概述
ADRF5740是一款硅、4位數(shù)字衰減器，以2 dB步長(zhǎng)提供22 dB的衰減控制范圍。

ADRF5740的工作頻率范圍為10 MHz至60 GHz，在55 GHz下提供小于3.3 dB的插入損耗和衰減精度（±0.2 + 7.0%的衰減狀態(tài)）。在所有狀態(tài)下，ADRF5740的ATTIN端口具有24 dBm（平均值）和24 dBm（峰值）的RF輸入功率處理能力。

ADRF5740需要+3.3 V和?3.3 V雙電源電壓供電。ADRF5740具有并行模式控制、CMOS和低壓晶體管對(duì)晶體管邏輯(LVTTL)兼容控制特性。

ADRF5740 RF端口設(shè)計(jì)用于匹配50 Ω的特征阻抗。ADRF5740采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的16引腳、2.5 mm × 2.5 mm、基板柵格陣列(LGA)封裝，工作溫度范圍為?40°C至+105°C。
數(shù)據(jù)表：*附件：ADRF5740 2dB LSB、4 位硅數(shù)字衰減器（100MHz至60GHz）技術(shù)手冊(cè).pdf

應(yīng)用

• 工業(yè)掃描儀
• 測(cè)試和儀器儀表
• 蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施：5G 毫米波
• 軍用無(wú)線電、雷達(dá)、電子對(duì)抗(ECM)
• 微波無(wú)線電和甚小孔徑終端(VSAT)
  特性
• 超寬帶頻率范圍：10 MHz至60 GHz
• 衰減范圍：2 dB步進(jìn)至22 dB
• 低插入損耗
  • 1.4 dB，最高為20 GHz
  • 2.2 dB，最高為44 GHz
  • 3.3 dB，最高為55 GHz
• 衰減精度
• ±(0.1 + 1.0%)的狀態(tài)，最高20 GHz
• ±(0.2 + 3.0%)的狀態(tài)，最高44 GHz
• ±(0.2 + 7.0%)的狀態(tài)，最高55 GHz
• 典型步進(jìn)誤差
• ± 0.30 dB，最高為20 GHz
• ± 0.50 dB，最高為44 GHz
• ± 0.60 dB，最高為55 GHz
• 高輸入線性度
  • P0.1dB：25.5 dBm（典型值）
  • IP3：45 dBm（典型值）
• 高RF輸入功率處理：24 dBm平均值，24 dBm峰值
• 相對(duì)相位中的緊湊分布
• 無(wú)低頻雜散信號(hào)
• 并行模式控制，CMOS和LVTTL兼容
• RF幅度建立時(shí)間（0.1 dB最終RF輸出）：175 ns
• 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的16引腳、2.5 mm × 2.5 mm、LGA封裝

框圖

引腳配置描述

接口示意圖

典型性能特征

應(yīng)用信息

布局注意事項(xiàng)

本數(shù)據(jù)手冊(cè)中的所有測(cè)量均在ADRF5740 - EVALZ - 185評(píng)估板上進(jìn)行。ADRF5740 - EVALZ - 185和ADRF5740 - EVALZ - 292的設(shè)計(jì)為ADRF5740應(yīng)用的布局提供了建議。

電路板布局

ADRF5740 - EVALZ - 185和ADRF5740 - EVALZ - 292是四層評(píng)估板。外層銅（Cu）層為0.5盎司（0.7密耳），鍍覆至1.5盎司（2.2密耳），中間由電介質(zhì)材料隔開(kāi)。圖25展示了ADRF5740 - EVALZ - 185和ADRF5740 - EVALZ - 292的堆疊結(jié)構(gòu)。

所有射頻和直流走線都布置在頂層銅層，而內(nèi)層和底層為接地層，為射頻傳輸線提供穩(wěn)固的接地。頂層電介質(zhì)材料為12密耳的Rogers RO4003，可提供最佳的高頻性能。中間和底層電介質(zhì)材料提供機(jī)械強(qiáng)度。電路板總厚度為62密耳，可安裝1.85 mm的射頻連接器。

射頻與數(shù)字控制

射頻傳輸線采用共面波導(dǎo)（CPWG）模型設(shè)計(jì)，線寬為16密耳，與接地層間距為6密耳，特性阻抗為50Ω。為實(shí)現(xiàn)最佳射頻和熱接地效果，應(yīng)圍繞傳輸線及器件外露焊盤(pán)布置盡可能多的過(guò)孔。
射頻輸入和輸出端口（ATTIN和ATTOUT）通過(guò)50Ω?jìng)鬏斁€連接到1.85 mm射頻連接器。在VDD和VSS電源引線上，接有一個(gè)100 pF的旁路電容來(lái)濾除高頻噪聲。圖26展示了ADRF5740的簡(jiǎn)化應(yīng)用電路。