概述
HMC-XTB110是一款單芯片x3無(wú)源倍頻器，采用GaAs肖特基二極管技術(shù)，具有低轉(zhuǎn)換損耗和高度Fo隔離。 這款寬帶x3倍頻器無(wú)需直流電源，適用于低頻率的3倍頻率比直接生成高頻率更加經(jīng)濟(jì)的大規(guī)模應(yīng)用。 所有焊盤和芯片背面都經(jīng)過(guò)Ti/Au金屬化。 HMC-XTB110無(wú)源x3 MMIC可兼容常規(guī)的芯片貼裝方法，以及熱壓縮和熱超聲線焊，非常適合MCM和混合微電路應(yīng)用。 此處顯示的所有數(shù)據(jù)均是芯片在50 Ohm環(huán)境下使用RF探頭接觸測(cè)得。
數(shù)據(jù)表：*附件：HMC-XTB110 無(wú)源x3倍頻器，24-30GHz輸入技術(shù)手冊(cè).pdf

應(yīng)用

• E波段通信系統(tǒng)
• 短程/高容量無(wú)線電
• 汽車?yán)走_(dá)
• 測(cè)試和測(cè)量設(shè)備
• 衛(wèi)星通信

特性

• 轉(zhuǎn)換損耗： 19 dB
• 輸入驅(qū)動(dòng)： +13 dBm
• 無(wú)源： 無(wú)需直流偏置
• 裸片尺寸： 1.1 x 1.4 x 0.1 mm

框圖

電氣規(guī)格

外形圖

毫米波砷化鎵單片微波集成電路（GaAs MMIC）的安裝與鍵合技術(shù)

芯片應(yīng)通過(guò)導(dǎo)電方式直接連接到接地層，或使用導(dǎo)電環(huán)氧樹脂進(jìn)行連接（詳見HMC通用操作、安裝、鍵合說(shuō)明）。建議在0.127毫米（5密耳）厚的氧化鋁薄膜微帶線上布置50歐姆的微帶傳輸線，用于傳輸射頻信號(hào)并連接至芯片（見圖1）。如果使用0.254毫米（10密耳）厚的氧化鋁薄膜襯底，需將芯片抬高0.150毫米（6密耳），使芯片表面與襯底表面齊平。實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)的一種方法是將0.102毫米（4密耳）厚的芯片連接到0.150毫米（6密耳）厚的鉬散熱片（鉬片）上，然后將鉬片連接到接地層（見圖2）。

微帶襯底應(yīng)盡可能靠近芯片放置，以減小鍵合線長(zhǎng)度。典型的芯片與襯底間距為0.076毫米至0.152毫米（3至6密耳）。

操作注意事項(xiàng)

遵循以下預(yù)防措施，以免造成永久性損壞。

• 存儲(chǔ) ：所有裸芯片應(yīng)放置在防靜電華夫盒或凝膠基防靜電容器中，然后密封在防靜電袋中運(yùn)輸。防靜電袋開封后，芯片應(yīng)存放在干燥的氮?dú)猸h(huán)境中。
• 清潔度 ：在清潔環(huán)境中操作芯片。請(qǐng)勿使用液體清潔系統(tǒng)清潔芯片。
• 靜電敏感性 ：遵循防靜電措施，防止靜電沖擊。
• 瞬態(tài) ：施加偏置時(shí)，抑制儀器和偏置電源的瞬態(tài)。使用屏蔽信號(hào)和偏置電纜，以減少電感耦合。
• 一般操作 ：使用真空吸筆或鋒利的彎頭鑷子夾持芯片邊緣。芯片表面可能有脆弱的空氣橋，請(qǐng)勿用真空吸筆、鑷子或手指觸碰。

安裝

芯片背面有金屬化層，可使用金錫共晶預(yù)制件或?qū)щ姯h(huán)氧樹脂進(jìn)行芯片安裝。安裝表面應(yīng)保持清潔和平整。

• 共晶焊接 ：建議使用80/20金錫預(yù)制件，工作表面溫度為255°C，工具溫度為265°C。使用90/10氮?dú)?氫氣混合氣體時(shí)，工具尖端溫度應(yīng)為290°C。芯片溫度超過(guò)320°C的時(shí)間不得超過(guò)20秒。連接過(guò)程中擦拭時(shí)間不應(yīng)超過(guò)3秒。
• 環(huán)氧樹脂粘貼 ：在安裝表面涂抹適量環(huán)氧樹脂，確保芯片放置到位后，其周邊出現(xiàn)一圈薄的環(huán)氧樹脂邊。按照制造商的固化時(shí)間表固化環(huán)氧樹脂。

引線鍵合

建議使用0.003英寸×0.0005英寸的帶狀射頻鍵合線。這些鍵合線應(yīng)采用熱超聲鍵合，鍵合力為40 - 60克。推薦使用直徑0.001英寸（0.025毫米）的直流鍵合線，采用熱超聲鍵合。球鍵合的鍵合力應(yīng)為40 - 50克，楔形鍵合的鍵合力應(yīng)為18 - 22克。所有鍵合應(yīng)在標(biāo)稱階段溫度150°C下進(jìn)行。為實(shí)現(xiàn)可靠鍵合，應(yīng)施加最小量的超聲能量。所有鍵合線應(yīng)盡可能短，長(zhǎng)度小于12密耳（0.31毫米）。