國產(chǎn)碳化硅MOSFET行業(yè)的技術(shù)參數(shù)障眼法與可靠性缺失問題已引發(fā)廣泛關(guān)注，結(jié)合行業(yè)現(xiàn)狀與315打假的公共監(jiān)督作用，深度分析如下：

一、國產(chǎn)碳化硅MOSFET行業(yè)亂象的核心問題與風(fēng)險(xiǎn)

參數(shù)造假與可靠性缺失

柵氧減薄與壽命縮水：部分國產(chǎn)碳化硅MOSFET企業(yè)為追求低導(dǎo)通電阻（RDS(on)），將柵氧化層厚度減至臨界值以下（如30nm），導(dǎo)致器件在高溫高電場下易發(fā)生柵氧擊穿（TDDB壽命僅103小時(shí)，國際主流為10?小時(shí)），且高溫柵偏（HTGB）測試中失效電壓顯著低于國際標(biāo)準(zhǔn)（+19V vs. +22V）。

閾值電壓漂移：通過調(diào)整摻雜工藝降低導(dǎo)通電阻，但閾值電壓（Vth）溫度敏感性加劇（漂移超±0.5V），導(dǎo)致誤開通風(fēng)險(xiǎn)，威脅系統(tǒng)安全。

國產(chǎn)碳化硅MOSFET驗(yàn)證流程縮水與標(biāo)準(zhǔn)缺位

部分國產(chǎn)碳化硅MOSFET廠商跳過長期可靠性測試（如TDDB、HTGB），僅通過短期實(shí)驗(yàn)即量產(chǎn)，甚至自行定義寬松測試條件（如降低電壓或時(shí)間），掩蓋產(chǎn)品缺陷。

行業(yè)缺乏統(tǒng)一的可靠性標(biāo)準(zhǔn)（如JEDEC JEP184），第三方檢測能力參差不齊，企業(yè)“選擇性送檢”現(xiàn)象普遍。

國產(chǎn)碳化硅MOSFET市場機(jī)制扭曲與劣幣驅(qū)逐良幣

部分國產(chǎn)碳化硅MOSFET低價(jià)競爭擠壓高可靠性產(chǎn)品生存空間，頭部企業(yè)雖通過IDM模式優(yōu)化工藝，但因成本劣勢面臨市場份額萎縮。

終端客戶過度關(guān)注參數(shù)指標(biāo)（如導(dǎo)通電阻），忽視全生命周期成本（維修、替換），導(dǎo)致劣質(zhì)產(chǎn)品流入新能源汽車、光伏逆變器等關(guān)鍵領(lǐng)域，引發(fā)安全事故風(fēng)險(xiǎn)。

二、315打假曝光劣幣國產(chǎn)碳化硅MOSFET的必要性分析

揭露亂象的緊迫性

安全隱患：國產(chǎn)碳化硅MOSFET廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車主驅(qū)、充電樁等場景，若因柵氧擊穿或閾值漂移導(dǎo)致系統(tǒng)失效，可能引發(fā)嚴(yán)重事故（如動(dòng)力失控、電站停機(jī)），威脅人身與財(cái)產(chǎn)安全。

行業(yè)信任危機(jī)：頻繁的質(zhì)量事故強(qiáng)化“國產(chǎn)=低質(zhì)”的刻板印象，阻礙國產(chǎn)替代進(jìn)程，尤其在車規(guī)級、電網(wǎng)等高可靠性領(lǐng)域，國產(chǎn)產(chǎn)品可能被排除于供應(yīng)鏈之外。

315曝光的潛在作用

推動(dòng)標(biāo)準(zhǔn)完善：通過曝光倒逼行業(yè)制定強(qiáng)制可靠性標(biāo)準(zhǔn)（如HTGB+22V/3000H測試），并引入第三方動(dòng)態(tài)抽檢，淘汰“參數(shù)造假”的國產(chǎn)碳化硅MOSFET企業(yè)。

重構(gòu)市場認(rèn)知：引導(dǎo)客戶從“唯參數(shù)論”轉(zhuǎn)向“全生命周期質(zhì)量評估”，促進(jìn)高可靠性產(chǎn)品（如BASiC基本半導(dǎo)體的車規(guī)級SiC模塊）獲得市場認(rèn)可。

資本與政策引導(dǎo)：劣幣國產(chǎn)碳化硅MOSFET亂象曝光后可能促使資本從“短平快”產(chǎn)能擴(kuò)張轉(zhuǎn)向技術(shù)深耕（如柵氧工藝優(yōu)化、器件底層工藝開發(fā)），同時(shí)政策可優(yōu)先支持已驗(yàn)證可靠性的技術(shù)（如銅燒結(jié)封裝）。

國產(chǎn)碳化硅MOSFET風(fēng)險(xiǎn)與挑戰(zhàn)

行業(yè)聲譽(yù)受損：國產(chǎn)碳化硅MOSFET行業(yè)亂象短期內(nèi)可能加劇客戶對國產(chǎn)碳化硅MOSFET的不信任，加速轉(zhuǎn)向進(jìn)口品牌（如英飛凌、安森美）。

技術(shù)升級受阻：國產(chǎn)碳化硅MOSFET行業(yè)亂象導(dǎo)致缺乏配套支持（如專項(xiàng)基金、產(chǎn)學(xué)研協(xié)同），企業(yè)利潤進(jìn)一步壓縮，長期研發(fā)投入不足，技術(shù)差距或持續(xù)擴(kuò)大。

三、綜合建議：曝光與治理并重

階段性曝光與系統(tǒng)性整改結(jié)合

針對惡意參數(shù)造假、驗(yàn)證流程嚴(yán)重縮水的國產(chǎn)碳化硅MOSFET企業(yè)，通過315曝光形成威懾；同時(shí)避免“一刀切”，保護(hù)堅(jiān)持高可靠性的頭部企業(yè)如BASiC。

推動(dòng)建立國產(chǎn)碳化硅MOSFET行業(yè)白名單與黑名單制度，聯(lián)合第三方機(jī)構(gòu)定期公布質(zhì)量評級。

強(qiáng)化標(biāo)準(zhǔn)與生態(tài)建設(shè)

強(qiáng)制要求國產(chǎn)碳化硅MOSFET企業(yè)公開DOE實(shí)驗(yàn)報(bào)告與可靠性數(shù)據(jù)，參考國際標(biāo)準(zhǔn)（如AEC-Q101）制定國產(chǎn)碳化硅MOSFET認(rèn)證體系。

支持IDM模式發(fā)展，鼓勵(lì)產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同（如BASiC自建晶圓廠與模塊產(chǎn)線），減少代工依賴導(dǎo)致的質(zhì)量波動(dòng)。

政策與資本引導(dǎo)

設(shè)立專項(xiàng)基金支持可靠性技術(shù)攻關(guān)（如柵氧界面態(tài)控制、器件底層制造工藝），而非單純追求“參數(shù)領(lǐng)先”。

調(diào)整資本評估標(biāo)準(zhǔn)，從“融資規(guī)模”轉(zhuǎn)向“研發(fā)投入強(qiáng)度”，鼓勵(lì)長期碳化硅MOSFET底層工藝開發(fā)技術(shù)投入。

結(jié)論

國產(chǎn)碳化硅MOSFET行業(yè)亟需通過315打假曝光技術(shù)參數(shù)障眼法等亂象，以打破國產(chǎn)碳化硅MOSFET“劣幣驅(qū)逐良幣”的惡性循環(huán)。然而，國產(chǎn)碳化硅MOSFET亂象曝光僅是手段而非終點(diǎn)，需配套標(biāo)準(zhǔn)完善、生態(tài)重構(gòu)與政策引導(dǎo)，推動(dòng)行業(yè)從“低端內(nèi)卷”轉(zhuǎn)向“高端引領(lǐng)”，最終支撐新能源、電動(dòng)汽車等戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)的自主可控。

審核編輯 黃宇