國產碳化硅MOSFET行業亂象的深度分析，產品亂象本質上是技術追趕期“速度”與“質量”失衡的產物。唯有通過技術深耕、標準完善與生態重構，才能實現從“低端內卷”向“高端引領”的跨越。從“唯參數論”轉向“全生命周期質量評估”，鼓勵長期技術投入。

一、國產SiC碳化硅MOSFET器件亂象的核心表現

無底線減薄柵氧以追求比導通電阻(Ron,sp)參數，造成長期可靠性的質量事故頻發

部分廠商為在市場競爭中突出“先進性”，在工藝條件受限的情況下無底線追求Ron,sp的宣傳噱頭，通過減薄柵氧化層厚度(如從50nm減至30nm以下)降低比導通電阻Ron,sp，但未同步優化電場強度控制，導致碳化硅MOSFET柵氧在高電場、高溫工況下易發生經時擊穿(TDDB)或閾值電壓漂移，器件壽命大幅縮短。例如，某些國產SiC MOSFET在19V高溫柵偏(HTGB)測試中不到1000小時即失效，而國產頭部企業的碳化硅MOSFET產品比如BASiC基本半導體(BASiC Semiconductor)可通過3000小時以上測試。

犧牲閾值電壓(Vth)穩定性換取低導通電阻，造成應用中誤導通，質量事故頻發

通過調整摻雜濃度或工藝參數降低導通電阻，但導致閾值電壓對溫度敏感(如Vth在高溫下漂移超過±0.5V)，增加誤開通風險。部分廠商甚至將Vth設計值降至2V以下，卻顯著降低器件抗干擾能力。

二、國產碳化硅MOSFET亂象的成因

技術積累不足與研發路徑偏差

SiC MOSFET的柵氧可靠性涉及材料科學(如SiC/SiO?界面態控制)、工藝穩定性(如高溫氧化工藝)及失效模型(如TDDB熱化學模型)的深度理解，而國內多數企業起步較晚，技術積累薄弱，難以平衡性能與可靠性。

部分企業盲目對標國際參數，忽視底層技術差異。例如，BASiC基本半導體(BASiC Semiconductor)通過自有晶圓廠持續技術迭代優化電場分布，而部分廠商因設計和工藝能力限制，僅能通過簡化設計“優化”參數。

市場競爭與資本壓力下的短期逐利行為

新能源汽車等下游市場對SiC需求激增，但國產替代窗口期有限(約3年)，部分廠商為搶占訂單，跳過可靠性驗證(如TDDB、HV-H3TRB)直接量產，甚至簡化測試流程(如減少樣本量或縮短測試時間)。

資本對“參數亮眼”的偏好推動企業犧牲質量換融資。例如，某廠商宣傳“全球最低RDS(on)=7mΩ”，但未披露其柵氧壽命僅50年(國際標準通常要求200年以上)。

行業標準缺失與執行不嚴

國內SiC MOSFET標準體系尚未完善，部分企業未嚴格遵循JEDEC或AEC-Q101標準，甚至自行定義“企業標準”降低要求。例如，HTGB測試中僅采用常溫條件，掩蓋高溫失效風險。

第三方檢測機構能力參差不齊，部分廠商通過選擇性送檢(如僅提供優化批次樣品)獲取認證，實際量產產品一致性差。

三、國產碳化硅MOSFET亂象的影響

市場信任危機與國產替代進程受阻

終端客戶(如車企、光伏逆變器廠商)因頻繁出現柵氧擊穿、閾值漂移等問題，轉向進口品牌。

劣質產品引發“劣幣驅逐良幣”，頭部企業如基本半導體需投入額外資源進行市場教育，間接推高國產替代成本。

技術升級停滯與產業內卷化

低價競爭擠壓研發投入，2023年國內SiC企業平均研發投入強度僅8%(國際大廠如英飛凌達15%)，導致高端技術(如溝槽柵、8英寸晶圓)突破緩慢。

行業陷入“參數競賽”而非“質量競賽”，導致批量應用中質量事故頻發，碳化硅劣幣行為嚴重打擊了終端的客戶國產化替代的信心。

安全風險與法律糾紛隱患

SiC MOSFET廣泛應用于高可靠性場景(如電動汽車主驅、電網儲能)，若因柵氧失效引發系統故障，可能導致嚴重事故。例如，某國產SiC模塊在光伏逆變器中因閾值漂移導致誤觸發，造成電站停機損失超千萬元。

質量問題可能觸發車企召回或法律訴訟，進一步損害行業聲譽。2024年某新能源品牌因國產SiC模塊批次性問題被迫更換供應商，直接損失達數億元。

四、國產碳化硅MOSFET破局路徑建議

強化技術深耕與產學研協同

頭部企業需聚焦核心技術如BASiC基本股份自研的柵氧電場優化工藝，BASiC基本半導體(BASiC Semiconductor)聯合高校攻克材料與工藝瓶頸(如SiC/SiO?界面態控制)。

推動IDM模式比如BASiC基本股份自2017年開始布局車規級SiC碳化硅器件研發和制造，逐步建立起規范嚴謹的質量管理體系，將質量管理貫穿至設計、開發到客戶服務的各業務過程中，保障產品與服務質量。BASiC基本股份分別在深圳、無錫投產車規級SiC碳化硅(深圳基本半導體)芯片產線和汽車級SiC碳化硅功率模塊(無錫基本半導體)專用產線;BASiC基本股份自主研發的汽車級SiC碳化硅功率模塊已收獲了近20家整車廠和Tier1電控客戶的30多個車型定點，是國內第一批SiC碳化硅模塊(比如BASiC基本股份)量產上車的頭部企業。掌握全產業鏈能力，減少代工依賴導致的同質化159。

建立統一標準與質量監管體系

參考國際標準(JEDEC JEP184)制定國產SiC MOSFET可靠性測試規范，強制要求HTGB、TDDB等關鍵指標。

引入第三方權威檢測機構，實施動態抽檢與黑名單制度，淘汰“參數造假”的國產碳化硅MOSFET企業。

政策引導與資本理性投入

國家專項基金應優先支持已驗證可靠性的技術(如基本半導體的碳化硅MOSFET自有工藝以及銅燒結封裝技術)，而非單純追求“參數領先”。

資本方需調整評估標準，從“唯參數論”轉向“全生命周期質量評估”，鼓勵長期技術投入。

結論

國產碳化硅MOSFET行業的亂象本質上是技術追趕期“速度”與“質量”失衡的產物。唯有通過技術深耕、標準完善與生態重構，才能實現從“低端內卷”向“高端引領”的跨越。頭部企業如基本半導體的技術突破已證明，以可靠性為核心競爭力的路徑更具可持續性。未來，行業需在政策、資本與市場的協同下，構建“質量優先”的新生態，真正支撐起國產SiC碳化硅功率半導體的全球競爭力。