女人自慰AV免费观看内涵网,日韩国产剧情在线观看网址,神马电影网特片网,最新一级电影欧美,在线观看亚洲欧美日韩,黄色视频在线播放免费观看,ABO涨奶期羡澄,第一导航fulione,美女主播操b

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

碳化硅SiC的光學優勢及應用

向欣電子 ? 2025-02-22 14:40 ? 次閱讀

碳化硅(SiC)在大口徑光學反射鏡上的應用,主要得益于其高比剛度、優異熱穩定性和寬光譜響應等特性,成為空間觀測、深空探測等領域的核心材料。以下是關鍵應用進展與技術突破:

一、材料優勢

1. 輕量化與高剛度:碳化硅的比剛度是傳統玻璃的4倍,相同口徑下重量僅為四分之一,適合航天器減重需求。

2. 熱穩定性:導熱系數比玻璃高兩個數量級,溫控難度大幅降低,適應太空極端溫差環境。

3. 光學性能:表面鍍膜后可見光至紅外波段反射率超95%,滿足高分辨率成像需求。

eb4c1a98-f0e7-11ef-9434-92fbcf53809c.png

傳統的大口徑反射鏡多用微晶或者石英玻璃,這里把碳化硅與微晶玻璃及石英玻璃的相關特性進行了對比,通過數據可以更直觀地感受到差異,如下所示:

eb772aee-f0e7-11ef-9434-92fbcf53809c.png

二、制造技術突破

1. 鏡坯制備:采用類似“做豆腐”的膠態成型工藝,將微米級碳化硅粉末制成鏡坯,支持復雜輕量化結構,三種制備工藝路線如下圖。中國長春光機所通過5次試驗攻克4米鏡坯燒結難題,成功制備全球最大單體碳化硅鏡坯(4.03米)。

eb98cfbe-f0e7-11ef-9434-92fbcf53809c.png

2. 精密加工:鏡坯制備完成之后,進入光學精密加工(工藝路線如下圖)。磁流變拋光將4米反射鏡面形精度提升至15.2納米(相當于北京五環地面平整度誤差<1毫米)。3D打印技術2024年國內實現0.6米碳化硅反射鏡3D打印,解決傳統工藝加工誤差大、成本高的問題。

ebc0b510-f0e7-11ef-9434-92fbcf53809c.png

3. 鍍膜技術:首創長方形磁控濺射鍍膜裝備,膜厚不均勻性控制在5%以內,確保高反射率。

三、應用實例

1.4米口徑反射鏡:全球最大碳化硅單體反射鏡,可清晰觀測地面汽車天窗細節,應用于國家地基大型光電系統。

2.中國“巡天”空間望遠鏡:主鏡直徑2米,采用 CVD-SiC蜂窩結構,面形精度<15 nm RMS,重量僅200 kg。

3.歐洲極大望遠鏡(E-ELT):鏡面拼接技術中,CVD-SiC用于校正鏡單元(熱膨脹系數匹配主鏡微晶玻璃)。

四、挑戰與趨勢

1.工藝復雜度:燒結周期長(單次需5-6個月)、拋光耗時(4米鏡需64個月)。

2.未來方向:結合3D打印實現更大口徑(如米級)反射鏡快速制造,推動商業化應用。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 光學
    +關注

    關注

    4

    文章

    784

    瀏覽量

    36989
  • SiC
    SiC
    +關注

    關注

    31

    文章

    3157

    瀏覽量

    64442
  • 碳化硅
    +關注

    關注

    25

    文章

    3017

    瀏覽量

    50059
收藏 人收藏

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    具有決定性的影響。因此,深入理解柵極氧化層的特性,并掌握其可靠性測試方法,對于推動碳化硅 MOSFET的應用和發展具有重要意義。今天的“SiC科普小課堂”將聚焦于“柵極氧化層”這一新話題:“什么是柵極
    發表于 01-04 12:37

    SIC碳化硅二極管

    SIC碳化硅二極管
    發表于 11-04 15:50

    如何用碳化硅(SiC)MOSFET設計一個高性能門極驅動電路

    對于高壓開關電源應用,碳化硅SiC MOSFET帶來比傳統硅MOSFET和IGBT明顯的優勢。在這里我們看看在設計高性能門極驅動電路時使用SiC MOSFET的好處。
    發表于 08-27 13:47

    碳化硅(SiC)肖特基二極管的特點

    器件的特點  碳化硅SiC的能帶間隔為硅的2.8倍(寬禁帶),達到3.09電子伏特。其絕緣擊穿場強為硅的5.3倍,高達3.2MV/cm.,其導熱率是硅的3.3倍,為49w/cm.k。  它與硅半導體材料
    發表于 01-11 13:42

    碳化硅的歷史與應用介紹

    硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC),俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在,但十分稀少。不過,自1893 年以來,粉狀碳化硅已被大量生產用作研磨劑。
    發表于 07-02 07:14

    碳化硅深層的特性

    。超硬度的材料包括:金剛石、立方氮化硼,碳化硼、碳化硅、氮化硅碳化鈦等。3)高強度。在常溫和高溫下,碳化硅的機械強度都很高。25℃下,
    發表于 07-04 04:20

    碳化硅半導體器件有哪些?

    200V,但是碳化硅肖特基二極管能擁有較短恢復時間實踐,同時在正向電壓也減少,耐壓也大大超過200V,典型的電壓有650V、1200V等,另外在反向恢復造成的損耗方面碳化硅肖特基二極管也有很大優勢。在
    發表于 06-28 17:30

    碳化硅基板——三代半導體的領軍者

    92%的開關損耗,還能讓設備的冷卻機構進一步簡化,設備體積小型化,大大減少散熱用金屬材料的消耗。半導體LED照明領域碳化硅SiC)在大功率LED方面具有非常大的優勢,采用碳化硅
    發表于 01-12 11:48

    什么是碳化硅SiC)?它有哪些用途?

    什么是碳化硅SiC)?它有哪些用途?碳化硅SiC)的結構是如何構成的?
    發表于 06-18 08:32

    傳統的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)

    傳統的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生,以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。
    發表于 09-23 15:02

    請教碳化硅刻蝕工藝

    最近需要用到干法刻蝕技術去刻蝕碳化硅,采用的是ICP系列設備,刻蝕氣體使用的是SF6+O2,碳化硅上面沒有做任何掩膜,就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在
    發表于 08-31 16:29

    被稱為第三代半導體材料的碳化硅有著哪些特點

    一、什么是碳化硅碳化硅SiC)又叫金剛砂,它是用石英砂、石油焦、木屑、食鹽等原料通過電阻爐高溫冶煉而成,其實碳化硅很久以前就被發現了,它的特點是:化學性能穩定、導熱系數高、熱膨脹系數
    發表于 02-20 15:15

    功率模塊中的完整碳化硅性能怎么樣?

    降低到75%。    表 2:SEMITRANS 3 完整碳化硅案例研究  只有使用硅或碳化硅電源模塊才能用基于TO器件的電源設計取代耗時的生產流程。SiC的特定特性需要優化換向電感和熱性能。因此,可以提高性價比,并充分利用
    發表于 02-20 16:29

    碳化硅SiC技術導入應用的最大痛點

    了。  固有優勢加上最新進展  碳化硅的固有優勢有很多,如高臨界擊穿電壓、高溫操作、具有優良的導通電阻/片芯面積和開關損耗、快速開關等。最近,UnitedSiC采用常關型共源共柵的第三代SiC
    發表于 02-27 14:28

    碳化硅(SiC)基地知識

    碳化硅(SiC)基地知識 碳化硅又稱金鋼砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料
    發表于 11-17 09:41 ?1433次閱讀