女人自慰AV免费观看内涵网,日韩国产剧情在线观看网址,神马电影网特片网,最新一级电影欧美,在线观看亚洲欧美日韩,黄色视频在线播放免费观看,ABO涨奶期羡澄,第一导航fulione,美女主播操b

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

大面積燒結銀AS9387成為碳化硅功率器件封裝的首選

sharex ? 來源:sharex ? 作者:sharex ? 2024-08-09 18:15 ? 次閱讀

大面積燒結銀AS9387成為碳化硅功率器件封裝的首選

傳統功率模塊中,芯片通常通過錫焊材料連接到基板。在熱循環過程中,連接界面通過形成金屬間化合物層形成芯片、錫焊料合金與基板的互聯。目前電子封裝中常用的無鉛焊料熔點低于250℃,適用于低于150℃的服役溫度。然而,在175-200℃乃至更高的使用溫度下,這些連接層的性能將急速下降甚至熔化,嚴重影響模塊的正常運行和長期可靠性。

2018年標志性的轉變---使用碳化硅MOSFET替換傳統硅基IGBT于主驅逆變器中,為碳化硅技術在電動汽車中的廣泛應用奠定了基礎。此后,多家國內新能源汽車領先品牌紛紛投身碳化硅器件的研發應用。新技術的不斷涌現,如800V高壓快充,以及新能源汽車市場的持續擴張,促進了碳化硅的飛速發展。

在新能源汽車取得巨大成功的背后,碳化硅功率模塊扮演了舉足輕重的角色。從傳統功率模塊轉型到碳化硅功率模塊,對功率電子模塊及其封裝工藝提出了更高的要求,尤其是芯片與基板的連接技術在很大程度上決定了功率模塊的壽命和可靠性。傳統的錫焊料由于熔點低、導熱性差,難以滿足封裝高功率器件在高溫和高功率密度條件下的應用需求。隨著芯片工作溫度要求的不斷提升,至175°C甚至更高,連接技術的機械和熱性能要求也隨之提升。傳統方法中常見使用錫焊將芯片做貼裝的封裝技術已經無法滿足大部分碳化硅模塊的應用需求。隨著800V碳化硅技術日益普及,燒結銀技術為汽車電力電子產品封裝提供了革命性的解決方案,其應用前景備受關注。

一 燒結銀:功率器件封裝的革命性技術


AS9387加壓燒結銀

善仁新材作為全球低溫漿料的領導品牌,時刻關注低溫漿料在汽車領域的應用,早在2013年,公司開發的低溫銀漿就用在了汽車電子產品里面;2018年,公司的納米銀墨水在汽車電子的射頻器件到了應用;2019年,隨著純電動汽車的突破性進展,公司的燒結銀產品找到了在碳化硅功率模組的應用場景。

汽車中碳化硅功率模塊的廣泛使用,對封裝材料提出了日益苛刻的要求,特別是需要具備更高熔點、更強耐疲勞性、高熱導率、低電阻率的焊接材料。

燒結銀的獨特優勢主要表現在“三高”方面:高溫工作:—燒結銀的工作溫度可達到300℃,甚至更高;高熱導率—對于碳化硅模塊這類小尺寸、高功率應用,能夠有效導出熱量,提高功率密度;高可靠性—其在汽車應用中的車規級要求極為嚴格,燒結銀的高熔點、低蠕變傾向為整體系統提供了卓越的穩定性。燒結銀技術因此非常適合碳化硅功率模塊的封裝,完美滿足了其對高工作溫度、高功率密度和高可靠性的嚴格要求。

從2017年起,善仁新材在燒結銀材料的研發與生產方面走在行業前沿,提供多款產品以適應各種應用場景。從AS9000系列銀墨水,到AS9100系列納米銀漿、再到AS9300系列燒結銀膏,善仁新材一直引領燒結銀的技術應用,以滿足市場的多樣化需求。

二 大面積燒結的應用拓展

燒結銀技術作為封裝領域的一個突破,憑借無鉛、環保性和優異的導電導熱性能獲得了廣泛關注。該技術已在市場上得到了大范圍的認可。在逆變器系統中,燒結銀可以被應用于芯片與氮化硅AMB基板的邦定;或用于DTS燒結芯片頂部處理;或再將功率模塊焊接到散熱器底板上。

芯片封裝領域來看,此技術已廣泛普及,很多現有量產或即將量產的車型已經采用燒結銀來封裝其碳化硅功率模塊,一些傳統的硅基IGBT考慮到功率密度與可靠性也有時采用燒結銀方案。燒結銀技術已經從最初的小尺寸芯片貼片封裝逐漸過渡到更廣泛的功率模塊大面積應用。

在功率模組設計中,尋找可靠性、工藝參數、工作溫度及性能之間的精細平衡至關重要。

從2022年9月份開始,善仁新材開發的針對功率模塊焊接到散熱器上的大面積有壓燒結銀AS9387,在珠三角的客戶端得到客戶的廣泛認可,此款燒結銀可以200度的燒結條件下表現很好的性能,幫助客戶實現了高效的散熱效果。此款燒結銀不但可以在金銀表面進行燒結,也可以在裸銅表面上進行燒結,并且剪切強度高達50MPA以上。

wKgZoma169WAVS1cAADyZ5LEYuI564.pngAS9375無壓燒結銀

此款燒結銀解決了以下三大問題:

1性價比高:大面積燒結會大幅增加客戶對燒結銀膏的用量,而燒結銀成本相對較高,作為中國燒結銀的領航者,善仁新材完美的解決了這一困擾客戶的難題。

2低溫低壓燒結效果好:為了適應大面積燒結,燒結銀膏需要較低的溫度和壓力下達到良好的燒結效果,同時需要確保燒結質量的一致性和模塊的可靠性。善仁新材利用自主研發的納米銀粉解決了這一問題。

3印刷性好:在大面積上進行印刷要求銀膏的印刷性要足夠好,需要調整銀膏的觸變性和黏度以適應大面積印刷。

善仁新材第一研究院認為:隨著越來越多的碳化硅模塊制造商、封裝廠商乃至汽車制造商開始采用大面積燒結銀工藝,相信未來大面積燒結技術在高端車型中的采用率會越來越高。

功率模塊封裝技術的重要趨勢之一是在功率模塊中越來越多地使用碳化硅MOSFET作為Si IGBT的替代品,特別是在電動車的應用中。這導致了對能夠承受更高工作溫度的功率模塊封裝材料的日益增長的需求,例如銀燒結芯片粘接、先進的低雜散電感電氣互連、Si3N4-AMB襯板、結構化底板以及高溫穩定的封裝材料。

隨著技術的不斷演進和優化,燒結銀技術在高工作溫度、高熱導率和高可靠性方面的優勢將更加明顯,善仁新材也在通過技術創新、工藝改進和產業生態合作來推動燒結銀的應用。

善仁新材的系列燒結銀已經出口到德國,美國,英國,俄羅斯,馬來西亞,芬蘭等國家。

再次展示了善仁新材的“扎根中國,服務全球”的戰略格局。

wKgZoma16-2AZG8GAAEvnhIo3-A980.pngGVF9880預燒結銀焊片

審核編輯 黃宇

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 封裝
    +關注

    關注

    128

    文章

    8497

    瀏覽量

    144784
  • 功率器件
    +關注

    關注

    42

    文章

    1911

    瀏覽量

    92155
  • 碳化硅
    +關注

    關注

    25

    文章

    3017

    瀏覽量

    50059
收藏 人收藏

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    碳化硅功率器件有哪些特點

    隨著全球對綠色能源和高效能電子設備的需求不斷增加,寬禁帶半導體材料逐漸進入了人們的視野。其中,碳化硅(SiC)因其出色的性能而受到廣泛關注。碳化硅功率器件在電力電子、可再生能源以及電動
    的頭像 發表于 04-21 17:55 ?399次閱讀

    碳化硅功率器件的種類和優勢

    在現代電子技術飛速發展的背景下,功率器件的性能和效率面臨著越來越高的要求。碳化硅(SiC)作為一種新興的寬禁帶半導體材料,憑借其優異的電氣特性和熱性能,逐漸成為
    的頭像 發表于 04-09 18:02 ?528次閱讀

    碳化硅SiC芯片封裝燒結與銅燒結設備的技術探秘

    隨著碳化硅(SiC)功率器件在電力電子領域的廣泛應用,其高效、耐高壓、高溫等特性得到了業界的廣泛認可。然而,要充分發揮SiC芯片的性能優勢,封裝技術起著至關重要的作用。在SiC芯片
    的頭像 發表于 03-05 10:53 ?794次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>SiC芯片<b class='flag-5'>封裝</b>:<b class='flag-5'>銀</b><b class='flag-5'>燒結</b>與銅<b class='flag-5'>燒結</b>設備的技術探秘

    碳化硅功率器件封裝技術解析

    碳化硅(SiC)功率器件因其低內阻、高耐壓、高頻率和高結溫等優異特性,在電力電子系統中得到了廣泛關注和應用。然而,要充分發揮SiC器件的性能,封裝
    的頭像 發表于 02-03 14:21 ?469次閱讀

    不同的碳化硅襯底的吸附方案,對測量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響

    在當今蓬勃發展的半導體產業中,碳化硅(SiC)襯底作為關鍵基礎材料,正引領著高性能芯片制造邁向新的臺階。對于碳化硅襯底而言,其 BOW(彎曲度)和 WARP(翹曲度)參數猶如精密天平上的砝碼,細微
    的頭像 發表于 01-14 10:23 ?400次閱讀
    不同的<b class='flag-5'>碳化硅</b>襯底的吸附方案,對測量<b class='flag-5'>碳化硅</b>襯底 BOW/WARP 的影響

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    隨著電力電子技術的不斷進步,碳化硅MOSFET因其高效的開關特性和低導通損耗而備受青睞,成為功率、高頻應用中的首選。作為碳化硅MOSFET
    發表于 01-04 12:37

    高溫大面積碳化硅外延生長裝置及處理方法

    碳化硅(SiC)作為一種具有優異物理和化學性質的半導體材料,在電力電子、航空航天、新能源汽車等領域展現出巨大的應用潛力。高質量、大面積的SiC外延生長是實現高性能SiC器件制造的關鍵環節。然而
    的頭像 發表于 01-03 15:11 ?382次閱讀
    高溫<b class='flag-5'>大面積</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>外延生長裝置及處理方法

    碳化硅功率器件有哪些應用領域

    碳化硅功率器件作為下一代半導體技術的重要代表,以其優越的性能和廣闊的應用前景,成為能源革命中的重要推動力。本文將從市場資訊的角度,深入探討碳化硅
    的頭像 發表于 10-24 15:46 ?1013次閱讀

    碳化硅功率器件的工作原理和應用

    碳化硅(SiC)功率器件近年來在電力電子領域取得了顯著的關注和發展。相比傳統的硅(Si)基功率器件碳化
    的頭像 發表于 09-13 11:00 ?1130次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>的工作原理和應用

    碳化硅功率器件的優勢和應用領域

    在電力電子領域,碳化硅(SiC)功率器件正以其獨特的性能和優勢,逐步成為行業的新寵。碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料,具有高擊穿電場、高熱導率
    的頭像 發表于 09-13 10:56 ?1306次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>的優勢和應用領域

    碳化硅功率器件的原理簡述

    隨著科技的飛速發展,電力電子領域也迎來了前所未有的變革。在這場變革中,碳化硅(SiC)功率器件憑借其獨特的性能優勢,逐漸成為業界關注的焦點。本文將深入探討
    的頭像 發表于 09-11 10:47 ?1161次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>的原理簡述

    碳化硅功率器件的優點和應用

    碳化硅(SiliconCarbide,簡稱SiC)功率器件是近年來電力電子領域的一項革命性技術。與傳統的硅基功率器件相比,
    的頭像 發表于 09-11 10:44 ?1008次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>的優點和應用

    碳化硅功率器件有哪些優勢

    碳化硅(SiC)功率器件是一種基于碳化硅半導體材料的電力電子器件,近年來在功率電子領域迅速嶄露頭
    的頭像 發表于 09-11 10:25 ?1063次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>有哪些優勢

    探究電驅動系統中碳化硅功率器件封裝的三大核心技術

    在電動汽車、風力發電等電驅動系統中,碳化硅功率器件以其優異的性能逐漸取代了傳統的硅基功率器件。然而,要充分發揮
    的頭像 發表于 08-19 09:43 ?688次閱讀
    探究電驅動系統中<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b><b class='flag-5'>封裝</b>的三大核心技術

    碳化硅功率器件的優勢和分類

    碳化硅(SiC)功率器件是利用碳化硅材料制造的半導體器件,主要用于高頻、高溫、高壓和高功率的電子
    的頭像 發表于 08-07 16:22 ?1154次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>的優勢和分類