據(jù)報(bào)道，在昨日的摩根大通投資者活動(dòng)中，美光宣布其2025 年HBM存儲(chǔ)器相關(guān)的供需談判已經(jīng)達(dá)成初步共識。

該公司管理團(tuán)隊(duì)明確指出，已經(jīng)和下游客戶就明年HBM產(chǎn)品的訂購數(shù)量和定價(jià)達(dá)成了基本協(xié)議。

美光預(yù)計(jì)，HBM內(nèi)存將在2024財(cái)年為其帶來數(shù)億美元的收入，并在2025財(cái)年進(jìn)一步增長至數(shù)十億美元。

此外，美光還預(yù)計(jì)，未來幾年內(nèi)，其HBM內(nèi)存位元產(chǎn)能的年均增長率將達(dá)到50%。

為了滿足HBM領(lǐng)域的旺盛需求，美光決定將本財(cái)年的資本支出預(yù)算由原計(jì)劃的75~80億美元調(diào)整為80億美元（約合人民幣579.2億元）。

在HBM技術(shù)方面，美光本季度推出了12層堆疊的HBM3E內(nèi)存樣品，預(yù)計(jì)這款產(chǎn)品將成為推動(dòng)2025年業(yè)績增長的主要?jiǎng)恿Α?/p>

在非HBM領(lǐng)域，美光預(yù)計(jì)高AI算力PC對通用內(nèi)存的需求將增長40~80%，同時(shí)LPDDR內(nèi)存在數(shù)據(jù)中心市場的份額也將逐步擴(kuò)大。

總的來說，美光預(yù)測DRAM內(nèi)存行業(yè)的長期增長率將保持在15%左右，而NAND行業(yè)的長期增長率則有望超過20%。