今天，國內又新增1個SiC襯底項目；2024一開年，國內就有7個SiC項目傳新進展，詳情請往下看。

博藍特：新建SiC襯底項目

今天（1月18日），據“丹陽延陵鎮”消息，江蘇省丹陽市延陵鎮或將引進1個碳化硅襯底項目，項目建設方為浙江博藍特半導體。

據介紹，延陵鎮黨委書記張金偉于今天會見了博藍特董事長徐良等一行，并陪同他們實地考察了位于鳳凰工業園區的2宗地塊。

考察中，雙方就博藍特第三代半導體碳化硅襯底項目落地延陵鎮進行了深度洽談，博藍特計劃在延陵鎮投資10億元建設年產25萬片的6-8英寸碳化硅襯底，該項目建成后預計可實現年銷售收入15億元。

企查查顯示，博蘭特成立于2012年，致力于GaN基LED芯片（圖形化）襯底、第三代半導體材料碳化硅、MEMS智能傳感器的研發及產業化。

“行家說三代半”發現，2023年4月，延陵鎮已與博藍特簽訂了戰略合作，此次實地考察將進一步推動該碳化硅襯底項目的落地。

爍科、合盛、連城數控等多個SiC項目加速推進

2024年以來，國內多個SiC項目傳新進展，包括爍科、合盛、連城數控等：

● 1月15日，誠盛科技舉辦了“麒思大功率器件項目發布會暨功率半導體高峰論壇”，并公布了該SiC項目的具體進度——項目位于高郵經濟開發區，主要生產大功率器件、SiC、IGBT模塊封測等產品，總投資9億元。項目分兩期實施，一期投入4.8 億元，預計將于今年8月量產，可年產分立器件3.3億只、模塊120萬只。

●1月15日，飛仕得在官微宣布，其“SiC器件智能動態測試裝備”成功入選并被認定為浙江省首臺（套）裝備。

●1月10日，連城數控發布公告稱，他們及下屬全資子公司連科半導體擬與無錫市錫山區錫北鎮人民政府簽署《錫山區工業項目投資協議書》，將投資建設“第三代半導體設備研發制造項目”——該項目規劃用地 100 畝，分兩期實施，每期 50 畝，連科半導體計劃投資不超過人民幣10.50 億元，將在無錫市投資建設半導體大硅片長晶和加工設備、SiC長晶和加工設備的研發和生產制造基地。

●1月9日，據“西安發布”消息，陜西省舉行了2024年一季度重點項目開工活動，其中包括1個SiC項目。該項目聚焦研發SiC器件等高端產品及大功率晶閘管、FRD、IGCT等產品，購置離子注入機、光刻機、真空焊接爐等生產設備600余套，總建筑面積5.57萬平方米。

●1月8日，華潤上華發布了“6B工廠SiC & GaN FDC系統實施”公告，推進相關項目實施。企查查顯示，無錫華潤上華是華潤微電子的子公司，成立于2017年6月，主要負責晶圓制造服務。

●1月8日，據“太原日報”消息，爍科晶體的中國電科(山西)碳化硅材料產業基地(二期)項目現在已具備設備進廠條件，預計將在1月底前開始進場設備，2024年3月可投入試生產。該項目投資5億元，投產后可達30萬片。

●1月6日，據“青橙融媒”消息，合盛硅業旗下的“年產800噸電子級碳化硅顆粒材料及60萬片碳化硅切割片項目”將于3月初開始試產，3月底正式投產。該項目占地面積約為190畝，投資總額高達20億元。