甬矽電子“封裝結構和封裝方法”專利獲授權
甬矽電子（寧波）股份有限公司“封裝結構和封裝方法”專利獲授權，授權公告日為11月3日，授權公告號為CN116403918B。
專利摘要顯示，本公開實施例提供了一種封裝結構和封裝方法，涉及半導體封裝技術領域。該封裝結構包括轉接板以及間隔貼裝在轉接板上的第一器件、第二器件和第三器件，第一器件、第二器件和第三器件之間相互間隔設置，以在第三器件朝向第一器件和第二器件的一側形成第一間隙槽，第一器件和第二器件之間形成第二間隙槽，第一間隙槽和第二間隙槽相互連通，形成T形溝道；第一間隙槽靠近第二間隙槽處的寬度減小。這樣可以使得底部填充的保護膠在第一間隙槽靠近第二間隙槽處的膠量減少，從而降低此處膠體應力，防止由于膠體應力過大而出現器件隱裂等現象。
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