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ROHM | 開發出具有業界超低導通電阻的Nch MOSFET

jf_69883107 ? 來源:jf_69883107 ? 作者:jf_69883107 ? 2023-05-03 11:31 ? 次閱讀

全球知名半導體制造商ROHM (總部位于日本京都市)新推出“RS6xxxxBx/ RH6xxxxBx系列”共13款 Nch MOSFET*1產品(40V/60V/80V/100V/150V), 這些產品非常適合驅動以24V 、36V 、48V級電源 供電的應用,例如基站和服務器用的電源、工業和消費電子設備用的電機等。

近年來,全球電力需求量持續增長,如何有效利用電力已成為迫在眉睫的課題,這就要求不斷提高各 種電機和基站、服務器等工業設備的工作效率。在這些應用中,中等耐壓的MOSFET被廣泛應用于各種電 路中,制造商要求進一步降低功耗。另一方面,“導通電阻”和“Qgd”是引起MOSFET功率損耗的兩項主要參 數,但對于普通的MOSFET而言,由于導通電阻與芯片尺寸成反比,Qgd會成比例增加,因此很難同時兼 顧這兩項參數。針對這個課題,ROHM通過微細化工藝、采用銅夾片連接、改進柵極結構等措施,改善了 兩者之間的權衡關系。

新產品不僅利用微細化工藝提高了器件性能,還通過采用低阻值銅夾片連接的HSOP8封裝和HSMT8封裝, 實現了僅2.1mQ的業界超低導通電阻(Ron) *2 ,相比以往產品, 導通電阻降低了50% 。另外, 通過改 進柵極結構, Qgd*3 (柵-漏電荷,通常與導通電阻之間存在權衡關系)也比以往產品減少了約40% (Ron和 Qgd均為耐壓60V的HSOP8封裝產品之間的比較) 。這可以降低開關損耗和導通損耗,非常有助于各種應 用產品的高效率工作。例如,當在工業設備用電源評估板上比較電源效率時,新產品在穩態工作時的輸出 電流范圍內,實現了業界超高的電源效率(峰值時高達約95%)。

新產品已于2023年1月開始暫以月產100萬個的規模投入量產 。另外, 新產品也已開始電商銷售,從 Oneyac 電商平臺均可購買。

未來,ROHM將繼續開發導通電阻更低的MOSFET,通過助力各種設備降低功耗和更加節能,為環境 保護等社會問題貢獻力量。

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<產品陣容>

wKgaomRR1aCAHGQkAAU2oYWDkbc779.jpg

<應用示例>

通信基站和服務器用的電源

◇工業和消費電子產品用的電機

以及其他各種設備的電源電路和電機驅動。

<術語解說>

*1) Nch MOSFET

通過向柵極施加相對于源極為正的電壓而導通的MOSFET。

與Pch MOSFET相比, 由于Nch MOSFET具有更低的導通電阻,并且在各種電路中具有更出色的易用性。

*2) 導通電阻(Ron)

MOSFET導通時漏極和源極之間的電阻值。該值越小,導通時的功率損耗越少。

*3) Qgd (柵-漏電荷)

MOSFET開始導通后, 柵極和漏極間的電容充電期間的電荷量。該值越小, 開關速度越快, 開關時的損耗 (功率損耗)越小。

審核編輯黃宇

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