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ROHM開發出適用于AI服務器48V電源熱插拔電路的100V功率MOSFET

皇華ameya ? 來源:年輕是一場旅行 ? 作者:年輕是一場旅行 ? 2025-06-05 13:15 ? 次閱讀

~兼具更寬SOA范圍和更低導通電阻,被全球知名云平臺企業認證為推薦器件~

全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)于6月3日宣布,開發出100V耐壓的功率MOSFET*1“RY7P250BM”,是AI服務器的48V電源熱插拔電路*2以及需要電池保護的工業設備電源等應用的理想之選。

RY7P250BM為8×8mm尺寸的MOSFET,預計該尺寸產品未來需求將不斷增長,可以輕松替代現有產品。另外, 新產品同時實現了更寬SOA范圍*3( 條件:VDS=48V、Pw= 1ms/10ms) 和更低導通電阻(RDS(on))*4,由此既可確保熱插拔(電源啟動)工作時的更高產品可靠性,又能優化電源效率,降低功耗并減少發熱量。

為了兼顧服務器的穩定運行和節能,熱插拔電路必須具有較寬的SOA范圍,以承受大電流負載。特別是AI服務器的熱插拔電路,與傳統服務器相比需要更寬的SOA范圍。RY7P250BM的SOA在脈寬10ms時可達16A、1ms時也可達50A,實現業界超優性能,能夠應對以往MOSFET難以支持的高負載應用。

RY7P250BM是具有業界超寬SOA范圍的MOSFET,并且實現了更低導通電阻,從而大幅降低了通電時的功率損耗和發熱量。具有寬SOA范圍的普通8×8mm尺寸100V耐壓MOSFET的導通電阻絕大多數約為2.28mΩ ,而RY7P250BM 的導通電阻則降低了約18% —— 僅有1.86mΩ ( 條件: VGS=10V 、ID=50A 、 Tj=25℃)。這種低導通電阻有助于提升服務器電源的效率、減輕冷卻負荷并降低電力成本。

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與此同時,RY7P250BM還被全球知名云平臺企業認證為推薦器件,預計未來將在AI服務器領域得到更廣泛的應用。在注重可靠性與節能的服務器領域中,RY7P250BM更寬SOA范圍與更低導通電阻的平衡在云應用中得到了高度好評。

新產品已經暫以月產100萬個的規模投入量產(樣品價格800日元/個,不含稅)。前道工序的生產基地為ROHMCo., Ltd.(日本滋賀工廠),后道工序的生產基地為OSAT(泰國)。另外,新產品已經開始通過電商進行銷售,通過電商平臺均可購買。

未來,ROHM將繼續擴大適用于服務器和工業設備48V電源的產品陣容,通過提供效率高且可靠性高的解決方案,為建設可持續ICT基礎設施和節能貢獻力量。

<開發背景>

隨著AI技術的飛速發展,數據中心的負載急劇增加,服務器功耗也逐年攀升。特別是隨著配備生成式AI和高性能GPU的服務器日益普及,如何兼顧進一步提升電力效率和支持大電流這兩個相互沖突的需求,一直是個難題。在此背景下,相較傳統12V電源系統具有更高轉換效率的48V電源系統正在加速擴大應用。另外, 在服務器運行狀態下實現模塊更換的熱插拔電路中, 需要兼具更寬SOA范圍和更低導通電阻的 MOSFET,以防止浪涌電流*5和過載時造成損壞。新產品“RY7P250BM”在8×8mm尺寸中同時具備業界超寬SOA范圍和超低導通電阻,有助于降低數據中心的功率損耗、減輕冷卻負荷,從而提升服務器的可靠性并實現節能。

<產品主要特性>

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<應用示例>

?AI(人工智能)服務器和數據中心的48V系統電源熱插拔電路

?工業設備48V系統電源(叉車、電動工具、機器人、風扇電機等)

?AGV(自動導引車)等電池驅動的工業設備

?UPS、應急電源系統(電池備份單元)

<電商銷售信息>

發售時間:2025年5月起

新產品在其他電商平臺也將逐步發售。

產品型號:RY7P250BM

<關于EcoMOS?品牌>

EcoMOS?是ROHM開發的Si功率MOSFET品牌,非常適用于功率元器件領域對節能要求高的應用。 EcoMOS?產品陣容豐富,已被廣泛用于家用電器、工業設備和車載等領域。客戶可根據應用需求,通過噪聲性能和開關性能等各種參數從產品陣容中選擇產品。

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?EcoMOS?是ROHM Co., Ltd.的商標或注冊商標。

<術語解說>

*1)功率MOSFET

適用于功率轉換和開關應用的一種MOSFET。目前,通過給柵極施加相對于源極的正電壓而導通的Nch MOSFET是主流產品,相比Pch MOSFET,具有導通電阻小、效率高的特點。因其可實現低損耗和高速開關而被廣泛用于電源電路、電機驅動電路和逆變器等應用。

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*2)熱插拔電路

可在設備電源運轉狀態下實現元器件插入或拆卸的、支持熱插拔功能的整個電路。由MOSFET、保護元件和接插件等組成,負責抑制元器件插入時產生的浪涌電流并提供過流保護,從而確保系統和所連接元器件的安全工作。

*3)SOA(Safe Operating Area)范圍

元器件不損壞且可安全工作的電壓和電流范圍。超出該安全工作區工作可能會導致熱失控或損壞,特別是在會發生浪涌電流和過電流的應用中,需要考慮SOA范圍。

*4)導通電阻(RDS(on))

MOSFET工作(導通)時漏極與源極間的電阻值。該值越小,工作時的損耗(功率損耗)越少。

*5)浪涌電流(Inrush Current)

在電子設備接通電源時,瞬間流過的超過額定電流值的大電流。因其會給電源電路中的元器件造成負荷,所以通過控制浪涌電流,可防止設備損壞并提高系統穩定性。

審核編輯 黃宇

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