女人自慰AV免费观看内涵网,日韩国产剧情在线观看网址,神马电影网特片网,最新一级电影欧美,在线观看亚洲欧美日韩,黄色视频在线播放免费观看,ABO涨奶期羡澄,第一导航fulione,美女主播操b

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

【KUU重磅發(fā)布】2款100V耐壓雙MOSFET以5mm×6mm和3mm×3mm尺寸及超低導(dǎo)通電阻,助力通信基站高效節(jié)能

永裕泰KUU ? 2025-04-30 18:33 ? 次閱讀

隨著通信基站和工業(yè)設(shè)備電源系統(tǒng)向48V升級,高效、節(jié)能的元器件需求日益迫切。KUU憑借先進(jìn)工藝與封裝技術(shù),全新推出2款100V耐壓雙MOSFET,以超低導(dǎo)通電阻和緊湊尺寸,為風(fēng)扇電機(jī)驅(qū)動(dòng)提供高性能解決方案,助力客戶實(shí)現(xiàn)設(shè)備功耗與空間的雙重優(yōu)化!

0148V系統(tǒng)升級催生高性能MOSFET需求

在通信基站、工業(yè)設(shè)備等領(lǐng)域,為提高能效并降低電流損耗,電源系統(tǒng)正從傳統(tǒng)的12V/24V向48V升級。作為設(shè)備散熱的關(guān)鍵部件,風(fēng)扇電機(jī)同樣需適配48V電壓,而電源波動(dòng)要求其開關(guān)元件具備更高的耐壓能力(如100V)。然而,耐壓提升往往伴隨導(dǎo)通電阻(Ron)增加,導(dǎo)致效率下降。如何平衡高耐壓與低導(dǎo)通電阻,成為行業(yè)技術(shù)難點(diǎn)。

與此同時(shí),設(shè)備小型化趨勢推動(dòng)了對高集成度元件的需求。傳統(tǒng)方案需使用多顆分立MOSFET,而雙MOSFET(一體化封裝兩枚芯片)既能節(jié)省空間,又能簡化設(shè)計(jì),成為市場新寵。


02KUU創(chuàng)新方案:超低導(dǎo)通電阻+極致緊湊設(shè)計(jì)

針對這一挑戰(zhàn),KUU通過新工藝芯片開發(fā)與散熱優(yōu)化封裝技術(shù),推出2款100V耐壓雙MOSFET(Nch/Nch組合),以兩大核心優(yōu)勢引領(lǐng)行業(yè):

1、超低導(dǎo)通電阻,能效提升顯著

  • 采用自主新工藝,結(jié)合背面散熱封裝(如PDFN3x3-8L、 PDFN5X6-8L),顯著降低導(dǎo)通電阻。
  • Nch+Nch產(chǎn)品導(dǎo)通電阻低至PDFN5X6-8L為35mΩ、PDFN3x3-8L為85mΩ,大幅減少導(dǎo)通損耗,助力設(shè)備能效升級。

2、高集成封裝,節(jié)省77%安裝空間

  • 以PDFN5X6-8L封裝為例,替換傳統(tǒng)TO-252單MOSFET(兩顆分立方案),安裝面積減少56%。
  • 提供5mm×6mm(PDFN5X6-8L)和3mm×3mm(PDFN3x3-8L)兩種緊湊尺寸,靈活適配高密度設(shè)計(jì)需求。
8ce0b13e-25ae-11f0-9434-92fbcf53809c.png

03應(yīng)用場景:為高可靠性設(shè)備注入動(dòng)能新產(chǎn)品專為48V系統(tǒng)風(fēng)扇電機(jī)驅(qū)動(dòng)優(yōu)化,適用于: - 通信基站:5G設(shè)備散熱模塊

- 工業(yè)設(shè)備:伺服驅(qū)動(dòng)器PLC控制系統(tǒng)

- 其他領(lǐng)域:數(shù)據(jù)中心新能源電力設(shè)備

04KUU使命:以技術(shù)驅(qū)動(dòng)綠色未來

此次發(fā)布的100V雙MOSFET系列,是KUU在工業(yè)設(shè)備功率器件領(lǐng)域的重要布局。未來,我們將繼續(xù)擴(kuò)展耐壓陣容,并開發(fā)低噪聲產(chǎn)品,通過技術(shù)創(chuàng)新助力客戶應(yīng)對環(huán)保與能效挑戰(zhàn),為可持續(xù)發(fā)展貢獻(xiàn)力量。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 通信
    +關(guān)注

    關(guān)注

    18

    文章

    6173

    瀏覽量

    137368
  • 導(dǎo)通電阻
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    379

    瀏覽量

    20129
收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    MAX32660超低功耗、高成效、高度集成微控制器技術(shù)手冊

    ^?^ Cortex ^?^ -M4處理器組合使用,采用小尺寸封裝:1.6mm x 1.6mm、16引腳WLP或4mm x 4mm、20引腳
    的頭像 發(fā)表于 05-08 16:46 ?160次閱讀
    MAX32660<b class='flag-5'>超低</b>功耗、高成效、高度集成微控制器技術(shù)手冊

    CSD18513Q5A 40V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET數(shù)據(jù)手冊

    mm 塑料封裝 參數(shù) 方框圖 1. 產(chǎn)品概述 ? 型號 ?:CSD18513Q5A ? 類型 ?:40V N溝道 NexFET 功率MOSFET ? 封裝 ?:SON
    的頭像 發(fā)表于 04-16 10:54 ?279次閱讀
    CSD18513Q<b class='flag-5'>5</b>A 40<b class='flag-5'>V</b>、N 通道 NexFET? 功率 <b class='flag-5'>MOSFET</b>數(shù)據(jù)手冊

    CSD18511Q5A 40V、N通道 NexFET? 功率 MOSFET,單 SON 5mm x 6mm,2.3mOhm技術(shù)手冊

    ) 低熱阻 雪崩評級 邏輯電平 無鉛端子電鍍 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn) 無鹵素 SON 5 mm × 6 mm 塑料封裝 參數(shù) 方框圖 1. 產(chǎn)品特性 ? 低
    的頭像 發(fā)表于 04-16 10:45 ?237次閱讀
    CSD18511Q<b class='flag-5'>5</b>A 40<b class='flag-5'>V</b>、N通道 NexFET? 功率 <b class='flag-5'>MOSFET</b>,單 SON <b class='flag-5'>5mm</b> x <b class='flag-5'>6mm</b>,2.3mOhm技術(shù)手冊

    CSD18543Q3A 60V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET數(shù)據(jù)手冊

    3.3mm × 3.3mm 塑料封裝 參數(shù) 方框圖 1. 產(chǎn)品特性 ? 超低柵極電荷(Q_g 和 Q_gd) ?:有助于減少開關(guān)損耗。 ? 低導(dǎo)
    的頭像 發(fā)表于 04-16 10:35 ?249次閱讀
    CSD18543Q<b class='flag-5'>3</b>A 60<b class='flag-5'>V</b>、N 通道 NexFET? 功率 <b class='flag-5'>MOSFET</b>數(shù)據(jù)手冊

    CSD18512Q5B 40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET數(shù)據(jù)手冊

    產(chǎn)品概述 ? 型號 ?:CSD18512Q5B ? 類型 ?:40V N溝道 NexFET? 功率MOSFET ? 封裝 ?:SON 5mm ×
    的頭像 發(fā)表于 04-16 10:20 ?273次閱讀
    CSD18512Q<b class='flag-5'>5</b>B 40<b class='flag-5'>V</b>、N 溝道 NexFET? 功率 <b class='flag-5'>MOSFET</b>數(shù)據(jù)手冊

    CSD18510Q5B 40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET技術(shù)手冊

    這款 40V、0.79mΩ、SON 5mm × 6mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。 *附件:CSD18510Q
    的頭像 發(fā)表于 04-16 10:05 ?213次閱讀
    CSD18510Q<b class='flag-5'>5</b>B 40<b class='flag-5'>V</b>、N 溝道 NexFET? 功率 <b class='flag-5'>MOSFET</b>技術(shù)手冊

    CSD87313DMS 30V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET共漏 SON 3mm x 3mm、5.5mOhm數(shù)據(jù)手冊

    CSD87313DMS 是一 30V 共漏極、 N 通道器件,專為 USB Type-C/PD 和電池保護(hù)而設(shè)計(jì)。這款 SON 3.3mm × 3.3
    的頭像 發(fā)表于 04-16 09:55 ?246次閱讀
    CSD87313DMS 30<b class='flag-5'>V</b>、N 通道 NexFET? 功率 <b class='flag-5'>MOSFET</b>、<b class='flag-5'>雙</b>共漏 SON <b class='flag-5'>3mm</b> x <b class='flag-5'>3mm</b>、5.5mOhm數(shù)據(jù)手冊

    CSD22206W -8V、P 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單通道 WLP 1.5 mm x 1.5 mm、5.7 mOhm、柵極ESD保護(hù)數(shù)據(jù)手冊

    這款 –8V、4.7mΩ、1.5mm × 1.5mm 器件旨在盡可能小的外形提供最低的導(dǎo)通電阻
    的頭像 發(fā)表于 04-16 09:32 ?232次閱讀
    CSD22206W -8<b class='flag-5'>V</b>、P 通道 NexFET? 功率 <b class='flag-5'>MOSFET</b>、單通道 WLP 1.5 <b class='flag-5'>mm</b> x 1.5 <b class='flag-5'>mm</b>、5.7 mOhm、柵極ESD保護(hù)數(shù)據(jù)手冊

    CSD22205L -8V、P 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單個(gè) LGA 1.2 mm x 1.2 mm、9.9 mOhm、柵極ESD保護(hù)數(shù)據(jù)手冊

    這款 –8V、8.2mΩ、1.2mm × 1.2mm 基板柵格陣列 (LGA) NexFET? 器件旨在盡可能小的外形提供最低的導(dǎo)
    的頭像 發(fā)表于 04-16 09:18 ?159次閱讀
    CSD22205L -8<b class='flag-5'>V</b>、P 通道 NexFET? 功率 <b class='flag-5'>MOSFET</b>、單個(gè) LGA 1.2 <b class='flag-5'>mm</b> x 1.2 <b class='flag-5'>mm</b>、9.9 mOhm、柵極ESD保護(hù)數(shù)據(jù)手冊

    CSD87503Q3E 30V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET共源 SON 3mm x 3mm、21.9mOhm技術(shù)手冊

    CSD87503Q3E 是一 30V、13.5mΩ、共源、 N 通道器件,專為 USB Type-C/PD 和電池保護(hù)而設(shè)計(jì)。這款 SON 3.3 × 3.3
    的頭像 發(fā)表于 04-15 17:02 ?287次閱讀
    CSD87503Q<b class='flag-5'>3</b>E 30<b class='flag-5'>V</b>、N 通道 NexFET? 功率 <b class='flag-5'>MOSFET</b>、<b class='flag-5'>雙</b>共源 SON <b class='flag-5'>3mm</b> x <b class='flag-5'>3mm</b>、21.9mOhm技術(shù)手冊

    CSD86336Q3D 25V、N 通道同步降壓 NexFET? 功率 MOSFET,SON 3mm x 3mm 電源塊,20A技術(shù)手冊

    CSD86336Q3D NexFET? 電源塊是針對同步降壓應(yīng)用的優(yōu)化設(shè)計(jì),可在 3.3mm × 3.3mm 的小型外形中提供高電流、高效率和高頻功能。該產(chǎn)品針對
    的頭像 發(fā)表于 04-15 15:42 ?256次閱讀
    CSD86336Q<b class='flag-5'>3</b>D 25<b class='flag-5'>V</b>、N 通道同步降壓 NexFET? 功率 <b class='flag-5'>MOSFET</b>,SON <b class='flag-5'>3mm</b> x <b class='flag-5'>3mm</b> 電源塊,20A技術(shù)手冊

    CSD86356Q5D 25V、N 通道同步降壓 NexFET? 功率 MOSFET,SON 5mm x 6mm電源塊數(shù)據(jù)手冊

    CSD86356Q5D NexFET? 電源塊是針對同步降壓應(yīng)用的優(yōu)化設(shè)計(jì),可在 5 mm × 6 mm 的小型外形中提供高電流、
    的頭像 發(fā)表于 04-15 15:26 ?259次閱讀
    CSD86356Q<b class='flag-5'>5</b>D 25<b class='flag-5'>V</b>、N 通道同步降壓 NexFET? 功率 <b class='flag-5'>MOSFET</b>,SON <b class='flag-5'>5mm</b> x <b class='flag-5'>6mm</b>電源塊數(shù)據(jù)手冊

    視覺插件是選擇3mm還是5mm直插燈珠

    、選擇3mm視覺插件燈珠和5mm視覺插件燈珠時(shí),需要考慮多個(gè)因素,亮度,光色,應(yīng)用場景都是優(yōu)先要考慮的。如果你不清楚3mm還是5mm適合你,可以分別測試下樣品。沒有對比就沒有發(fā)言權(quán)嘛
    的頭像 發(fā)表于 11-23 17:18 ?618次閱讀

    銳駿半導(dǎo)體發(fā)布全新超低導(dǎo)通電阻MOSFET

    近日,銳駿半導(dǎo)體正式推出了兩全新的超低導(dǎo)通電阻MOSFET產(chǎn)品,為市場帶來了更加高效的解決方案
    的頭像 發(fā)表于 10-08 15:15 ?620次閱讀

    Nexperia擴(kuò)展NextPower系列MOSFET陣容,引領(lǐng)高效低噪新紀(jì)元

    2024年8月7日,全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案提供商N(yùn)experia宣布,其NextPower 80V100V MOSFET產(chǎn)品線再次迎來重大擴(kuò)充,成功推出了采用標(biāo)準(zhǔn)化5x6mm及8x
    的頭像 發(fā)表于 08-07 14:53 ?670次閱讀