女人自慰AV免费观看内涵网,日韩国产剧情在线观看网址,神马电影网特片网,最新一级电影欧美,在线观看亚洲欧美日韩,黄色视频在线播放免费观看,ABO涨奶期羡澄,第一导航fulione,美女主播操b

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

ROHM開發(fā)出安裝可靠性高的10種型號(hào)、3種封裝的車載Nch MOSFET

江師大電信小希 ? 來源:江師大電信小希 ? 作者:江師大電信小希 ? 2024-08-12 11:20 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

在汽車領(lǐng)域,隨著安全性和便捷性的提高,電子產(chǎn)品逐漸增加,使得所安裝的電子元器件數(shù)量也與日俱增,而且,為了提高燃油效率和降低電耗,還要求降低這些產(chǎn)品的功耗。其中,尤其是在對(duì)于車載開關(guān)應(yīng)用不可或缺的MOSFET市場(chǎng),對(duì)導(dǎo)通電阻低、損耗低且發(fā)熱量低的產(chǎn)品需求高漲。

ROHM一直在為消費(fèi)電子和工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域提供采用中等耐壓新工藝的低導(dǎo)通電阻MOSFET。此次通過 將這種新工藝應(yīng)用于對(duì)可靠性要求高的車載產(chǎn)品,又開發(fā)出具有低導(dǎo)通電阻優(yōu)勢(shì)的10款車載Nch MOSFET新產(chǎn)品。不僅有近年來需求高漲的2.0mm×2.0mm和3.3mm×3.3mm尺寸的小型封裝產(chǎn)品,還有傳統(tǒng)的TO- 252封裝產(chǎn)品,未來將會(huì)繼續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)品陣容并持續(xù)供應(yīng)。

新產(chǎn)品的耐壓分別為40V、60V和100V,均通過采用split gate* 3實(shí)現(xiàn)了低導(dǎo)通電阻,有助于車載應(yīng)用的高效運(yùn)行。所有型號(hào)的新產(chǎn)品均符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101,并確保高可靠性。

封裝有適用于不同應(yīng)用的3種形式。小型封裝DFN2020Y7LSAA(2.0mm×2.0mm)和HSMT8AG (3.3mm×3.3mm)非常適用于高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)等安裝面積較小的應(yīng)用。(找元器件現(xiàn)貨上唯樣商城)另外還有已被廣泛用 于車載電源等應(yīng)用的TO-252(DPAK)封裝(6.6mm×10.0mm)。DFN2020Y7LSAA封裝的引腳采用的是 可潤(rùn)濕側(cè)翼(Wettable Flank)成型技術(shù)* 4,TO-252封裝的引腳采用的是鷗翼型結(jié)構(gòu)* 5,安裝可靠性都非常高。

目前,新產(chǎn)品暫以月產(chǎn)1,000萬個(gè)(10種型號(hào)合計(jì))的規(guī)模量產(chǎn)(樣品價(jià)格500日元/個(gè),不含稅)。前 道工序的生產(chǎn)基地為ROHM Co., Ltd.(日本滋賀工廠),后道工序的生產(chǎn)基地為ROHM Apollo Co., Ltd.(日 本福岡縣)和ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.(泰國(guó))。

未來,ROHM將致力于擴(kuò)大車載用中等耐壓Nch MOSFET的產(chǎn)品陣容。計(jì)劃于2024年10月開始量產(chǎn)DFN3333封裝(3.3mm×3.3mm)和HPLF5060封裝(5.0mm×6.0mm)的產(chǎn)品,于2025年開始量產(chǎn)80V耐壓的產(chǎn)品。另外還計(jì)劃增加Pch產(chǎn)品。ROHM將繼續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)品陣容,為車載應(yīng)用的高效運(yùn)行和小型化貢獻(xiàn)力量。

<產(chǎn)品陣容>

wKgaoma4q9CAc0TiAAzxbEENkQk035.png

<應(yīng)用示例>

◇各種車載電機(jī)(汽車門鎖、座椅調(diào)節(jié)器、電動(dòng)車窗等)

LED前照燈

◇信息娛樂系統(tǒng)、車載顯示器

◇高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)

<術(shù)語解說>

*1) 導(dǎo)通電阻(Ron)

MOSFET啟動(dòng)(ON)時(shí)漏極與源極之間的電阻值。該值越小,運(yùn)行時(shí)的損耗(電力損耗)越少。

*2) Nch MOSFET

通過向柵極施加相對(duì)于源極為正的電壓而導(dǎo)通的MOSFET。與Pch MOSFET相比,由于Nch MOSFET具有 更低的導(dǎo)通電阻,并且在各種電路中具有更出色的易用性,因而目前在市場(chǎng)上更受歡迎。

*3) split gate

一種將MOSFET的柵極分為多段以有效調(diào)整電子流動(dòng)的技術(shù)。利用該技術(shù)可實(shí)現(xiàn)高速且高可靠性的運(yùn)行。

*4) 可潤(rùn)濕側(cè)翼(Wettable Flank)成型技術(shù)

一種在底部電極封裝的引線框架側(cè)面進(jìn)行電鍍加工的技術(shù)。利用該技術(shù)可提高安裝可靠性。

*5) 鷗翼型結(jié)構(gòu)

引腳從封裝兩側(cè)向外伸出的封裝形狀。散熱性優(yōu)異,可提高安裝可靠性。

審核編輯 黃宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    150

    文章

    8571

    瀏覽量

    220337
  • 封裝
    +關(guān)注

    關(guān)注

    128

    文章

    8658

    瀏覽量

    145426
  • 引腳
    +關(guān)注

    關(guān)注

    16

    文章

    1719

    瀏覽量

    52850
  • Rohm
    +關(guān)注

    關(guān)注

    8

    文章

    385

    瀏覽量

    66871
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    關(guān)于LED燈具的9可靠性測(cè)試方案

    LED燈具的可靠性試驗(yàn),與傳統(tǒng)燈具有顯著區(qū)別。作為新一代光源,LED燈具正在逐漸取代傳統(tǒng)節(jié)能燈的市場(chǎng),因此無法簡(jiǎn)單地沿用傳統(tǒng)燈具的測(cè)試方法。那么,LED燈具需要進(jìn)行哪些可靠性試驗(yàn)?zāi)兀繕?biāo)準(zhǔn)名稱:LED
    的頭像 發(fā)表于 06-18 14:48 ?209次閱讀
    關(guān)于LED燈具的9<b class='flag-5'>種</b><b class='flag-5'>可靠性</b>測(cè)試方案

    東芝DFN2020B(WF)封裝提高可靠性

    隨著汽車電子化、智能化進(jìn)程不斷加速,車載系統(tǒng)對(duì)元器件的可靠性、小型化及熱管理能力提出了前所未有的嚴(yán)苛要求。在此背景下,東芝推出DFN2020B(WF)封裝,在2.0mm×2.0mm的小型體積下,實(shí)現(xiàn)了1.84W的
    的頭像 發(fā)表于 06-16 17:50 ?473次閱讀
    東芝DFN2020B(WF)<b class='flag-5'>封裝</b>提高<b class='flag-5'>可靠性</b>

    提供半導(dǎo)體工藝可靠性測(cè)試-WLR晶圓可靠性測(cè)試

    無需封裝:熱阻低,允許施加更高溫度和大電流密度而不引入新失效機(jī)理;實(shí)時(shí)反饋:與工藝開發(fā)流程深度融合,工藝調(diào)整后可立即通過測(cè)試反饋評(píng)估可靠性影響;行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化:主流廠商均發(fā)布WLR技術(shù)報(bào)告,推動(dòng)其成為工藝
    發(fā)表于 05-07 20:34

    B3M040120Z SiC MOSFET在充電樁中的應(yīng)用:低關(guān)斷損耗與柵氧可靠性的技術(shù)優(yōu)勢(shì)

    B3M040120Z SiC MOSFET在充電樁中的應(yīng)用:低關(guān)斷損耗與柵氧可靠性的技術(shù)優(yōu)勢(shì) 引言 隨著新能源汽車的快速發(fā)展,充電樁對(duì)功率器件的效率、
    的頭像 發(fā)表于 05-06 10:28 ?280次閱讀
    B<b class='flag-5'>3</b>M040120Z SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>在充電樁中的應(yīng)用:低關(guān)斷損耗與<b class='flag-5'>高</b>柵氧<b class='flag-5'>可靠性</b>的技術(shù)優(yōu)勢(shì)

    車載充電機(jī)(OBC)和熱泵空調(diào)等車載領(lǐng)域成為柵氧可靠性問題的“爆雷重災(zāi)區(qū)”

    景的極端工況、器件設(shè)計(jì)工藝缺陷、驗(yàn)證標(biāo)準(zhǔn)不足及行業(yè)生態(tài)等多維度綜合分析。以下是深度解析: 一、車載工況的極端嚴(yán)苛性 車載應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)SiC MOSFET的柵氧可靠性提出了遠(yuǎn)超其他領(lǐng)域的挑
    的頭像 發(fā)表于 05-05 08:53 ?239次閱讀
    <b class='flag-5'>車載</b>充電機(jī)(OBC)和熱泵空調(diào)等<b class='flag-5'>車載</b>領(lǐng)域成為柵氧<b class='flag-5'>可靠性</b>問題的“爆雷重災(zāi)區(qū)”

    國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET廠商?hào)叛?b class='flag-5'>可靠性危機(jī)與破局分析

    國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET在充電樁和車載OBC(車載充電機(jī))等領(lǐng)域出現(xiàn)柵氧可靠性問題后,行業(yè)面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。面對(duì)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET
    的頭像 發(fā)表于 04-20 13:33 ?352次閱讀
    國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅<b class='flag-5'>MOSFET</b>廠商?hào)叛?b class='flag-5'>可靠性</b>危機(jī)與破局分析

    ROHM 30V耐壓Nch MOSFET概述

    AW2K21是一款同時(shí)實(shí)現(xiàn)了超小型封裝和超低導(dǎo)通電阻的30V耐壓Nch MOSFET。利用可共享2枚MOSFET電路源極的共源電路,不僅能以一體化
    的頭像 發(fā)表于 04-17 14:55 ?278次閱讀
    <b class='flag-5'>ROHM</b> 30V耐壓<b class='flag-5'>Nch</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>概述

    詳解晶圓級(jí)可靠性評(píng)價(jià)技術(shù)

    隨著半導(dǎo)體工藝復(fù)雜度提升,可靠性要求與測(cè)試成本及時(shí)間之間的矛盾日益凸顯。晶圓級(jí)可靠性(Wafer Level Reliability, WLR)技術(shù)通過直接在未封裝晶圓上施加加速應(yīng)力,實(shí)現(xiàn)快速、低成本的
    的頭像 發(fā)表于 03-26 09:50 ?661次閱讀
    詳解晶圓級(jí)<b class='flag-5'>可靠性</b>評(píng)價(jià)技術(shù)

    如何測(cè)試SiC MOSFET柵氧可靠性

    MOSFET的柵氧可靠性問題一直是制約其廣泛應(yīng)用的關(guān)鍵因素之一。柵氧層的可靠性直接影響到器件的長(zhǎng)期穩(wěn)定性和使用壽命,因此,如何有效驗(yàn)證SiC MOSFET柵氧
    的頭像 發(fā)表于 03-24 17:43 ?1163次閱讀
    如何測(cè)試SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>柵氧<b class='flag-5'>可靠性</b>

    ROHM推出超低導(dǎo)通電阻和超寬SOA范圍的Nch功率MOSFET

    全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向企業(yè)級(jí)高性能服務(wù)器和AI服務(wù)器電源,開發(fā)出實(shí)現(xiàn)了業(yè)界超低導(dǎo)通電阻*1和超寬SOA范圍*2的Nch功率MOSFET*
    的頭像 發(fā)表于 03-13 15:08 ?647次閱讀
    <b class='flag-5'>ROHM</b>推出超低導(dǎo)通電阻和超寬SOA范圍的<b class='flag-5'>Nch</b>功率<b class='flag-5'>MOSFET</b>

    芯片封裝可靠性測(cè)試詳解

    可靠性,作為衡量芯片封裝組件在特定使用環(huán)境下及一定時(shí)間內(nèi)損壞概率的指標(biāo),直接反映了組件的質(zhì)量狀況。
    的頭像 發(fā)表于 02-21 16:21 ?1575次閱讀
    芯片<b class='flag-5'>封裝</b><b class='flag-5'>可靠性</b>測(cè)試詳解

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測(cè)試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性

    具有決定性的影響。因此,深入理解柵極氧化層的特性,并掌握其可靠性測(cè)試方法,對(duì)于推動(dòng)碳化硅 MOSFET的應(yīng)用和發(fā)展具有重要意義。今天的“SiC科普小課堂”將聚焦于“柵極氧化層”這一新話題:“什么是柵極
    發(fā)表于 01-04 12:37

    車載用SiC MOSFET又增10個(gè)型號(hào),業(yè)界豐富的產(chǎn)品陣容!

    ROHM面向xEV車載充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器,又推出10款SCT3xxxxxHR系列的SiC MOSFET 【 關(guān)鍵詞 】 滿足汽車電子產(chǎn)
    的頭像 發(fā)表于 08-25 23:30 ?523次閱讀
    <b class='flag-5'>車載</b>用SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>又增<b class='flag-5'>10</b>個(gè)型號(hào),業(yè)界豐富的產(chǎn)品陣容!

    AMEYA360:ROHM開發(fā)出安裝可靠性10型號(hào)、3封裝車載Nch MOSFET

    x0xxBKHRB”。新產(chǎn)品非常適用于汽車門鎖和座椅調(diào)節(jié)裝置等所用的各種電機(jī)以及LED前照燈等應(yīng)用。目前,3封裝10型號(hào)的新產(chǎn)品已經(jīng)開始
    的頭像 發(fā)表于 08-07 11:31 ?643次閱讀
    AMEYA360:<b class='flag-5'>ROHM</b><b class='flag-5'>開發(fā)出</b><b class='flag-5'>安裝</b><b class='flag-5'>可靠性</b><b class='flag-5'>高</b>的<b class='flag-5'>10</b><b class='flag-5'>種</b>型號(hào)、<b class='flag-5'>3</b><b class='flag-5'>種</b><b class='flag-5'>封裝</b>的<b class='flag-5'>車載</b><b class='flag-5'>Nch</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>

    飛凌嵌入式-ELFBOARD 從七芯片封裝類型,看芯片封裝發(fā)展史

    ,即塑封J引線芯片封裝。PLCC封裝方式,外形呈正方形,32腳封裝,四周都有管腳,外形尺寸比DIP封裝小得多。PLCC封裝適合用SMT表面
    發(fā)表于 08-06 09:33