1、晶圓代工

晶圓代工是指借助載有電路信息的光掩模，經過光刻和刻蝕等工藝流程的多次循環(huán)，逐層集成，并經離子注入、退火、擴散、化學氣相沉積、化學機械研磨等流程，最終在晶圓上實現特定的集成電路結構。晶圓代工的主要工藝流程如下：

（1）晶圓清洗

晶圓清洗是指通過將晶圓沉浸在不同的清洗藥劑內或通過噴頭將調配好的清洗液藥劑噴射于晶圓表面進行清洗，再通過超純水進行二次清洗，以去除晶圓表面的雜質顆粒和殘留物，確保后續(xù)工藝步驟的準確進行。

（2）光刻

光刻的主要環(huán)節(jié)包括涂膠、曝光和顯影，具體如下：

①涂膠

涂膠是指通過旋轉晶圓的方式在晶圓上形成一層光刻膠。

②曝光

曝光是指先將光掩模上的圖形與晶圓上的圖形對準，然后用特定的光照射。光能激活光刻膠中的光敏成分，從而將光掩模上的電路圖形轉移到光刻膠上。

③顯影

顯影是用顯影液溶解曝光后光刻膠中的可溶解部分，將光掩模上的圖形準確地用晶圓上的光刻膠圖形顯現出來。

（3）刻蝕

刻蝕是指未被光刻膠覆蓋的材料被選擇性去除的過程，主要分為干法刻蝕和濕法刻蝕，干法刻蝕主要利用等離子體對特定物質進行刻蝕，濕法刻蝕主要通過液態(tài)化學品對特定物質進行刻蝕。

（4）離子注入、退火

離子注入是指將硼、磷、砷等離子束加速到一定能量，然后注入晶圓材料的表層內，以改變材料表層物質特性的工藝。退火是指將晶圓放置于較高溫度的環(huán)境中，使得晶圓表面或內部的微觀結構發(fā)生變化，以達到特定性能的工藝。

（5）擴散

擴散是指在高溫環(huán)境下通過讓雜質離子從較高濃度區(qū)域向較低濃度區(qū)域的轉移，在晶圓內摻入一定量的雜質離子，改變和控制晶圓內雜質的類型、濃度和分布，從而改變晶圓表面的電導率。

（6）化學氣相沉積

化學氣相沉積是指不同分壓的多種氣相狀態(tài)反應物在一定溫度和氣壓下在襯底表面上進行化學反應，生成的固態(tài)物質沉積在晶圓表面，從而獲得所需薄膜的工藝技術。

（7）化學機械研磨化學機械研磨是指同時利用機械力的摩擦原理及化學反應，借助研磨顆粒，以機械摩擦的方式，將物質從晶圓表面逐層剝離以實現晶圓表面的平坦化。

（8）晶圓（加工后）檢測

晶圓檢測是指用探針對生產加工完成后的晶圓產品上的集成電路或半導體元器件功能進行測試，驗證是否符合產品規(guī)格。

（9）包裝

包裝是指對檢測通過的生產加工完成后的晶圓進行真空包裝。

2、封裝測試

封裝是指將芯片上的接點用導線連接到封裝外殼的引腳上，并通過印制板與其他器件建立連接，起到安放、固定、密封、保護芯片和增強電熱性能的作用。封裝測試的主要工藝流程如下：

（1）晶圓減薄

晶圓減薄是指減少晶圓背面一定區(qū)域的厚度，并且在晶圓邊緣保留一定厚度，這樣既保證了晶圓厚度的要求，同時增加了晶圓的整體強度。

（2）晶圓背金屬

晶圓背金屬是指在晶圓的背面鍍上金屬以便與裝片膠進行接合。

（3）劃片

劃片是指將整片晶圓按照大小分割成單一的芯片。

（4）貼片

貼片是指通過取放裝置將芯片從劃片后的晶圓上取下，放置在對應的框架或基板上的過程。

（5）鍵合

鍵合是使用金屬線（片）連接芯片與框架或基板的工藝技術，實現芯片與框架或基板間的電氣互連、芯片散熱以及芯片間的信息互通功能。

（6）塑封

塑封是指利用環(huán)氧膜塑料，在相應的模具上通過高溫、高壓把鍵合好的產品包封起來，用以隔絕濕氣與外在環(huán)境的污染，以達到保護芯片的目的。

（7）電鍍

電鍍是指在含有某種金屬離子的電解質溶液中，將待鍍件作為陰極，通過一定波形的低壓直流電，使得金屬離子不斷在陰極沉積為金屬薄層的加工過程。

（8）打印

打印也稱為打標，是指在半導體器件的表面上進行標記。

（9）切筋成形

切筋成形是指切除引線框架上連接引腳的橫筋及邊筋，并將引腳彎成一定的形狀，以適合后期裝配的需要。

（10）測試

測試是指根據半導體器件的類型，就其功能及特點進行的電性能測試，來確保器件性能及可靠性。

（11）包裝

包裝是指對性能測試通過的產品進行包裝。

審核編輯 ：李倩