背金工藝的工藝流程
本文介紹了背金工藝的工藝流程。
本文將解析一下背金工藝的具體的工藝流程及每步的工藝原理。
背金工藝的工藝流程
如上圖，步驟為： tape→grinding →Si etch→ Detape→ Pre-treatment→back metal 即貼膠紙→減薄→硅刻蝕→撕膠紙→前處理→背面金屬化
1，tape
在晶圓正面貼上上圖所示的藍色膠帶，保護晶圓正面的圖形。 2，grinding ：將硅片背面研磨，減薄到適宜厚度，采用機械拋光的方法 3，Si etch：在背面減薄之后，硅片背面會有很多缺陷，并且有硅粉殘留。此時wafer內部應力很大，容易碎片，硅腐蝕可以消除其內部應力，并且使其表面粗糙度更大，金屬更容易在其上淀積。
常用硝酸和氫氟酸進行刻蝕處理，方程式為： Si+HNO3+6HF=H2SiF6+H2NO2+H2O+H2 4，Pre-treatment：硅片背面的清潔度對種子層金屬與Si的結合力影響很大，因此要保證足夠的清潔。一般用BOE洗去硅表面的自然氧化層。
5，back metal：用電子束蒸發或磁控濺射的方法，沉積相應的金屬層，以Ti/Ni/Au（Ag）為例，我曾見過的對應的金屬厚度為：Ti1k?，Ni3.5k?，Au（Ag）1k?（6k?），當然厚度可以根據具體的場景而不同。 END 轉載內容僅代表作者觀點 不代表中國科學院半導體所立場
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原文標題：背金工藝的工藝流程
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