本文通過(guò)圖文并茂的方式生動(dòng)展示了MOSFET晶體管的工藝制造流程，并闡述了芯片的制造原理。

MOSFET的工藝流程

芯片制造工藝流程包括光刻、刻蝕、擴(kuò)散、薄膜、離子注入、化學(xué)機(jī)械研磨、清洗等等，在前面的文章我們簡(jiǎn)要的介紹了各個(gè)工藝流程的細(xì)節(jié)，這篇文章大致講解這些工藝流程是如何按順序整合在一起并且制造出一個(gè)MOSFET的。

1. 我們首先擁有一個(gè)硅純度高達(dá)99.9999999%的襯底。

硅襯底

2. 在硅晶襯底上生長(zhǎng)一層氧化薄膜。

生長(zhǎng)氧化薄膜

3. 均勻的旋涂上光刻膠。

膠旋涂光刻膠

4. 通過(guò)光掩膜進(jìn)行光刻，把光掩膜板上的圖案轉(zhuǎn)移到光刻膠上。

光刻

5. 感光區(qū)域的光刻膠顯影之后被清洗掉。

感光

顯影

6. 通過(guò)刻蝕把沒(méi)有被覆蓋光刻膠的氧化薄膜刻蝕掉，這樣把光刻圖案轉(zhuǎn)移到晶圓上了。

刻蝕

7. 清洗去掉多余的光刻膠。

去膠

8. 再長(zhǎng)一層較薄的氧化膜。之后再通過(guò)上面的光刻和刻蝕，只保留柵極區(qū)域的氧化膜。

柵氧生長(zhǎng)

9. 在上面生長(zhǎng)一層多晶硅。

多晶硅生長(zhǎng)

10. 和第8步一樣通過(guò)光刻和刻蝕，只保留柵氧化層上面的多晶硅。

多晶硅柵極

11. 在進(jìn)行光刻清洗覆蓋住氧化層和柵極，這樣就對(duì)整片晶圓進(jìn)行離子注入，就有了源極和漏極。

離子注入

源極和漏極的形成

12. 在晶圓上面生長(zhǎng)一層絕緣薄膜。

絕緣薄膜

13. 通過(guò)光刻和刻蝕把源極、柵極和漏極的接觸孔刻蝕出來(lái)。

接觸孔刻蝕

14. 再在刻蝕的地方進(jìn)行金屬的沉積，這樣就有了源極、柵極和漏極的導(dǎo)電金屬線了。

金屬沉積

最后通過(guò)各種工藝的組合就制造出來(lái)一個(gè)完整的MOSFET。

完整的MOSFET

芯片的制造原理

其實(shí)芯片的底層就是大量的晶體管組成的。

MOSFET中的源極、柵極、漏極

各種晶體管組成邏輯門(mén)

邏輯門(mén)組成運(yùn)算器

運(yùn)算器組成具有特定功能的集成電路

最后組成只有一個(gè)指甲大小的芯片