在晶圓代工龍頭臺(tái)積電將于2020年正式量產(chǎn)5納米制程，而競爭對手三星也在追趕的情況下，目前兩家公司也在積極研發(fā)更先進(jìn)的3納米制程。這些先進(jìn)半導(dǎo)體制程能研發(fā)成功，且讓未來生產(chǎn)良率保持一定水準(zhǔn)，光刻機(jī)絕對是關(guān)鍵。

就臺(tái)積電與三星來說，最新極紫外光刻機(jī)（EUV）早就使用在7納米制程，未來5納米制程也將會(huì)繼續(xù)沿用。至于更新的3納米制程，目前光刻機(jī)龍頭──荷蘭商ASML也正研發(fā)新一代極紫外光刻機(jī)，以因應(yīng)市場需求。

根據(jù)外電報(bào)導(dǎo)，目前ASML出貨的EUV光刻機(jī)主要是NXE:3400B，以及進(jìn)化版的NXE:3400C兩款型號(hào)。基本上兩種型號(hào)的EUV光刻機(jī)構(gòu)造相同，但是NXE:3400C采用模組化設(shè)計(jì)，維護(hù)更加便捷，平均維修時(shí)間將從48小時(shí)縮短到8到10小時(shí)，可支援7納米及5納米制程的生產(chǎn)需求。

此外，NXE:3400C的產(chǎn)能，也從NXE:3400B每小時(shí)處理晶圓數(shù)的125WPH，提升到了175WPH，達(dá)到其更好的效率。

隨著臺(tái)積電與三星在7納米EUV制程量產(chǎn)，ASML的EUV光刻機(jī)需求也快速攀升。

根據(jù)2020年1月ASML公布的2019年第4季及當(dāng)年全年財(cái)報(bào)顯示，光是2019年第4季，ASML就出貨了8臺(tái)EUV光刻機(jī)，并收到9臺(tái)EUV光刻機(jī)訂單。全年EUV光刻機(jī)訂單量達(dá)到了62億歐元，總計(jì)出貨了26臺(tái)EUV光刻機(jī)，比2018年18臺(tái)有顯著成長，使EUV光刻機(jī)對ASML的營收占比，從2018年23%提升到31%。

在此情況下，隨著2020年臺(tái)積電與三星5納米制程的相繼量產(chǎn)，這將對于EUV光刻機(jī)的需求進(jìn)一步提高。根據(jù)ASML預(yù)估，2020年將會(huì)交付35臺(tái)EUV光刻機(jī)，2021年進(jìn)一步提高到45~50臺(tái)交付量。不僅如此，ASML還針對后續(xù)更為先進(jìn)的3納米、2納米制程的需求，開始規(guī)劃新一代EUV光刻機(jī)EXE:5000系列。

報(bào)導(dǎo)進(jìn)一步指出，EXE:5000系列將會(huì)把物鏡系統(tǒng)的NA（數(shù)值孔徑）由上一代的NXE:3400B/C的0.33，提升至0.55，如此可達(dá)成小于1.7納米的套刻誤差，每小時(shí)處理晶圓數(shù)也將提升至185WPH。根據(jù)ASML公布的資訊顯示，EXE:5000系列光刻機(jī)預(yù)計(jì)最快在2021年問世。不過首發(fā)設(shè)備還是樣機(jī)，所以最快要到2022年或2023年才能量產(chǎn)交付客戶。

而如果按照目前臺(tái)積電的和三星的進(jìn)度來看，臺(tái)積電在2020年量產(chǎn)5納米制程，而3納米制程預(yù)計(jì)最快可能也要等到2022年才會(huì)量產(chǎn)。

至于，三星方面，按照規(guī)劃，在6納米LPP制程之后，還有5納米LPE、4納米LPE兩個(gè)制程節(jié)點(diǎn)，之后將進(jìn)入3納米制程。規(guī)劃的3納米制程分為GAE（GAA Early）及GAP（GAA Plus）兩世代。

其中，2019年5月三星就宣布3納米GAE的設(shè)計(jì)套件0.1版本已經(jīng)準(zhǔn)備完成，可以幫助客戶啟動(dòng)3納米制程的設(shè)計(jì)。只是從設(shè)計(jì)到量產(chǎn)，預(yù)計(jì)還要一段時(shí)間，其中還有試產(chǎn)的部分，因此預(yù)估量產(chǎn)時(shí)間最快要等到2022年之后。

據(jù)了解，目前臺(tái)積電方面的3納米制程研發(fā)進(jìn)展順利，已經(jīng)開始與早期客戶進(jìn)行接觸。而臺(tái)積電新投資新臺(tái)幣6,000億元的3納米新竹寶山廠也于2019年通過了用地申請，預(yù)計(jì)將于2020年正式動(dòng)工。屆時(shí)完成之后，應(yīng)該就會(huì)看到ASML的新一代EXE:5000 A系列光刻機(jī)進(jìn)駐，生產(chǎn)更先進(jìn)的半導(dǎo)體芯片。