SK海力士開發的HBM2E DRAM產品具有業界最高的帶寬。與之前的HBM2相比，新款HBM2E擁有大約50％的帶寬和100％的額外容量。 該公司透露，SK Hynix的HBM2E支持超過每秒
2019-08-13 09:28:41
5518 內核補丁中也透露了消息，AMD下一代基于CDNA 2核心的Instinct MI200 GPU也將用到HBM2e，顯存更是高達128GB。這意味著AMD很可能會在服務器市場全面擁抱HBM。 ? 已與
2021-07-24 10:21:125012 /s。 ? 過往，三星和SK海力士在HBM內存領域占據領先地位。目前，各大內存廠商在HBM2E層面已經開始鋪貨。就以SK海力士的節點來看，2020年
2021-08-23 10:03:281523 近年來，隨著內存帶寬逐漸成為影響人工智能持續增長的關鍵焦點領域之一，以高帶寬內存(HBM、HBM2、HBM2E)和GDDR開始逐漸顯露頭角，成為搭配新一代AI/ML加速器和專用芯片的新型內存解決方案
2020-10-23 15:20:174835 
然而在此過程中，我們除了看到AI對算力的要求以外，內存帶寬也是限制AI芯片發展的另一個關鍵要HBM2E成為了AI芯片的一個優先選擇，這也是英偉達在Tesla A100和谷歌在二代TPU上選擇這個內存方案的原因。
2020-11-09 12:45:402412 HBM作為基于3D堆棧工藝的高性能DRAM，打破內存帶寬及功耗瓶頸。HBM(High Bandwidth Memory)即高帶寬存儲器，通過使用先進封裝(如TSV硅通孔、微凸塊)將多個DRAM芯片進行堆疊，并與GPU一同進行封裝，形成大容量、高帶寬的DDR組合陣列。
2024-01-02 09:59:131327 
3月25日消息 三星電子（Samsung Electronics）宣布，已經出貨100萬業界首款10nm EUV級（D1x）DDR4 DRAM模組。新的基于EUV的DRAM模塊已經完成了全球客戶評估，并將為在高端PC、移動終端、企業級服務器等等應用領域開啟新大門。
2020-03-26 09:12:563600 SK海力士（或“公司”，www.skhynix.com） 宣布業界首次成功開發現有最佳規格的HBM3 DRAM。
2021-10-20 10:07:471479 
電子發燒友網報道（文/周凱揚）隨著DDR5的內存開始起量，DDR6的研發已經啟動，LPDDR5X開始普及，LPDDR6已經提上日程，DRAM市場可謂瞬息萬變。我們再來看看顯存市場，似乎仍停留
2022-12-02 01:16:002218 為由，將4家中國公司加入SDN名單。 ? 2. SK 海力士開發出世界首款12 層堆疊HBM3 DRAM ，已向客戶提供樣品 ? SK海力士20日宣布，再次超越了現有最高性能DRAM（內存
2023-04-20 10:22:191454 
電子發燒友網報道（文/黃晶晶） SK海力士近日發布全球首次實現垂直堆疊12個單品DRAM芯片，成功開發出最高容量24GB的HBM3 DRAM新產品。
2023-04-23 00:01:002617 
電子發燒友網報道（文/周凱揚）隨著AI芯片逐漸成為半導體市場的香餑餑，與之相關的附屬產物也在不斷升值，被一并炒熱。就拿高帶寬內存HBM來說，無論是英偉達的GPU芯片，還是初創公司打造的AI芯片
2023-08-15 01:14:001097 電子發燒友網報道（文/黃晶晶）新型存儲HBM隨著AI訓練需求的攀升顯示出越來越重要的地位。從2013年SK海力士推出第一代HBM來看，HBM歷經HBM1、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM
2023-10-25 18:25:242087 
電子發燒友網報道（文/周凱揚）今年對于存儲廠商而言，可謂是重新梳理市場需求的一年，不少企業對 NAND和DRAM 的業務進行了大幅調整，有的就選擇了將重心放在下一代 DRAM 上，尤其是在 AI
2023-12-13 01:27:001179 
`這幾年以來，國內巨頭都在花大力氣研發內存，以期打破壟斷，尤其是三星的壟斷。就移動DRAM而言，三星占了全球80%的份額，成為全球半導體領域的焦點。日前，三星一反常態，放緩了存儲器半導體業務的擴張
2018-10-12 14:46:09
HBM傳感器性能介紹 T10F扭矩傳感器可測量扭矩和轉速，是第一款扭矩法蘭，采用測量剪應力替代扭矩應力對扭矩進行測量。這種技術是HBM公司的專利。它設計緊湊，占有非常小的空間；高側向的防護允許
2020-06-19 16:31:10
方面的穩定與專注，使三星成為為數不多的幾個能夠在經濟危機后繼續增長的公司之一。 1998年2月三星電子開發出世界第一個128MB同步DRAM以及128MBFlash內存。 7月三星電子開發出世界最小
2019-04-24 17:17:53
的存儲卡，那三星就是你的菜。三星公司的高端MicroSD存儲卡產品線Pro Plus最新推出128GB容量版本。天啊，還真不便宜！該款存儲卡起售價$199.99，對于一張存儲卡而言，這個定價可以算得
2015-12-16 11:31:26
三星電子近日在國際學會“IEDM 2015”上就20nm工藝的DRAM開發發表了演講。演講中稱，三星此次試制出了20nm工藝的DRAM，并表示可以“采用同樣的方法，達到10nm工藝”。 國際電子
2015-12-14 13:45:01
三星宣布將開發手持式裝置用的ＲＦＩＤ（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）讀取芯片，能讓使用者透過手機得知產品和服務信息，但三星并未透露產品何時上市。 三星指出，ＲＦＩＤ
2019-07-04 07:26:16
1.一般的描述LT8311EX是一款低成本的高性能USB中繼器，支持通過cat5/5e/6電纜進行信號傳輸擴展，符合USB2.0規范。 延伸長度可達120米以上的CAT6電纜。 它消除了USB2.0
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2133MT/s，運作電壓在1.2V，這也是史上第一條DDR4內存。在此之前，三星電子40nm制程的DRAM芯片的成功流片，成為DDR4發展的關鍵。三個月之后，SK海力士宣布2400MT/s速率的2
2022-10-26 16:37:40
ofweek電子工程網訊 據英國路透社10月13日報道，韓國科技業巨擘三星電子當天發布業績初估稱，第三季營業利潤可能較上年同期增長近兩倍，創下新高，并優于分析師預期，因內存芯片價格強勁可能推高了
2017-10-13 16:56:04
的靜電防護電路是在設計指標和生產成本之間求得的平衡，大部分時候僅僅只是夠用而已。為了驗證這個平衡，就需要采取一些測試手段，其中就有HBM測試。業內常用的HBM測試（芯片級）規范主要有
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2020-12-14 16:00:38
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2021-03-10 17:45:41
更積極，繼Altera之后賽靈思也宣布了集成HBM 2做內存的FPGA新品，而且用了8GB容量。 HBM顯存雖然首發于AMD顯卡上，不過HBM 2這一代FPGA廠商比GPU廠商更積極 AMD
2016-12-07 15:54:22
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2021-07-06 19:32:41
回收三星字庫，全國回收三星字庫。帝歐長期回收ssd固態硬盤，回收服務器內存條，回收硬盤，回收cpu,回收芯片，回收傳感器，收購連接器，收購鉭電容，回收sd卡，收購tf卡。回收工廠庫存ic，大量收購工廠
2021-02-23 17:54:12
據市場分析，GPU業者對繪圖DRAM需求料將有增無減，2018年繪圖DRAM銷量會持續上揚，三星、SK海力士相繼量產HBM2，價格比一般DRAM貴5倍。
2018-02-07 14:47:531619 三星今天宣布，開始生產針腳帶寬2．4Gbps的HBM2顯存，封裝容量8GB，其中，HBM是High Bandwidth Memory高帶寬存儲芯片的簡寫。
2018-07-02 10:23:001777 Altera公司（Nasdaq： ALTR）今天公開業界第一款異構系統級封裝（SiP，System-in-Package）器件，集成了來自SK Hynix的堆疊寬帶存儲器（HBM2）以及高性能
2018-08-16 11:15:001150 高帶寬存儲器（High Bandwidth Memory，HBM）是超微半導體和SK Hynix發起的一種基于3D堆棧工藝的高性能DRAM，適用于高存儲器帶寬需求的應用場合，像是圖形處理器、網絡交換及轉發設備（如路由器、交換器）等。
2018-11-10 10:27:4929981 雖然封裝不易，但 HBM 存儲器依舊會被 AMD 或者是 NVIDIA 導入。SK海力士宣布推出 HBM2E 標準存儲器，而這也是接續 Samsung 之后的第二家。
2019-09-09 16:02:49815 日前，三星正式宣布推出名為Flashbolt的第三代HBM2(HBM2E)存儲芯片。
2020-02-05 13:49:113185 三星近日發布了代號為“Flashbolt”的HBM2E存儲芯片，HBM2E單顆最大容量為16GB，由8顆16Gb的DRAM顆粒堆迭而成，單個封裝可實現16GB容量。
2020-02-05 23:34:453246 最近，JEDEC固態存儲協會正式公布了HBM技術第三版存儲標準HBM2E，針腳帶寬、總容量繼續大幅提升。對于一些大企業，集成這些技術可以說不費吹灰之力，但不是誰都有這個實力。
2020-03-08 19:43:563487 三星電子（Samsung Electronics）今天宣布，已經出貨100萬業界首款10nm EUV級（D1x）DDR4 DRAM模組。新的基于EUV的DRAM模塊已經完成了全球客戶評估，并將為在高端PC、移動終端、企業級服務器等等應用領域開啟新大門。
2020-03-25 16:53:572345 相比GDDR顯存，HBM技術的顯存在帶寬、性能及能效上遙遙領先，前不久JEDEC又推出了HBM2e規范，三星搶先推出容量可達96GB的HBM2e顯存。
2020-03-27 09:11:317569 部全高清（FHD）電影（每部3.7GB），是目前業界速度最快的DRAM解決方案。不僅如此，公司的HBM2E借助TSV（Through Silicon Via）技術將8個16Gb DRAM垂直連接，其容量達到了16GB，是前一代HBM2容量的兩倍以上。
2020-07-03 08:42:19432 7月2日消息，據外媒報道，SK 海力士宣布，其已能夠大規模批量生產新一代高速 “HBM2E” DRAM 芯片。這是公司去年8月宣布完成HBM2E開發僅十個月之后的成果。
2020-07-03 14:48:332549 Flashbolt的第三代16GB HBM2E，在HBM2E封裝上的緩沖芯片頂部垂直堆棧8層10nm級(1y)16Gb DRAM芯片，使其前一代的Aquabolt容量提高了一倍。其HBM2E封裝
2020-08-19 14:38:05993 Flashbolt內存搭載在HBM2E上的內存供應商，能達到3.2Gbps的速度（超標能達到4.2Gbps）。這反而使得三星成為英
2020-09-10 14:39:011988 為了給人工智能和機器學習等新興應用提供足夠的內存帶寬，HBM2E和GDDR6已經成為了設計者的兩個首選方案。
2020-10-26 15:41:132139 
和 HBM2 內存技術，而這次的 HBM-PIM 則是在 HBM 芯片上集成了 AI 處理器的功能，這也是業界第一個高帶寬內存（HBM）集成人工智能（AI）處理能力的芯片。 三星關于 HBM
2021-02-18 09:12:322044 三星宣布新的HBM2內存集成了AI處理器，最高可提供1.2 TFLOPS嵌入式計算能力，使內存芯片本身可以執行CPU、GPU、ASIC或FPGA的操作。
2021-02-20 16:35:461842 存儲器）和PCU（可編程計算單元）可在內存中處理運算，以減少CPU、內存之間的數據移動，從而提高系統性能并減少能耗。 三星電子內存產品規劃高級副總裁Kwangil Park表示：“我們開創性的HBM-PIM是業界首個可編程的PIM解決方案，專門針對各種人工智能驅動的工作負載，如HPC、訓
2021-02-24 15:09:331643 韓國SK海力士公司剛剛正式宣布已經成功開發出業界第一款HBM3 DRAM內存芯片，可以實現24GB的業界最大的容量。HBM3 DRAM內存芯片帶來了更高的帶寬，每秒處理819GB的數據，相比上一代速度提高了78%。
2021-10-20 16:22:142055 HBM3 IP解決方案可為高性能計算、AI和圖形SoC提供高達921GB/s的內存帶寬。
2021-10-22 09:46:363104 點擊藍字關注我們 從高性能計算到人工智能訓練、游戲和汽車應用，對帶寬的需求正在推動下一代高帶寬內存的發展。 HBM3將帶來2X的帶寬和容量，除此之外還有其他一些好處。雖然它曾經被認為是一種
2021-11-01 14:30:506492 
SoC 設計人員和系統工程師在內存帶寬、容量和內存使用均衡方面面臨著與深度學習計算元素相關的巨大挑戰。 下一代 AI 應用面臨的挑戰包括是選擇高帶寬內存第 2 代增強型 (HBM2e) 還是圖形雙倍數據速率 6 (GDDR6) DRAM。對于某些 AI 應用程序，每種應用程序都有其自身的優點，但
2022-07-30 11:53:501804 HBM2E標準的每個裸片的最大容量為2GB，每個堆棧可以放置12層裸片，從而可實現24GB的最大容量。雖然標準是允許的，但我們尚未看到市場上出現任何 12 層的 HBM2E 堆棧。
2022-08-17 14:20:343376 電子發燒友網報道（文/周凱揚）隨著DDR5的內存開始起量，DDR6的研發已經啟動，LPDDR5X開始普及，LPDDR6已經提上日程，DRAM市場可謂瞬息萬變。 我們再來看看顯存市場，似乎仍停留
2022-12-02 07:15:03852 據韓媒報道，自今年年初以來，三星電子和SK海力士的高帶寬存儲器（HBM）訂單激增。盡管HBM具有優異的性能，但其應用比一般DRAM少。這是因為HBM的平均售價（ASP）至少是DRAM的三倍。HBM
2023-02-15 15:14:444689 
HBM2E（高帶寬內存）是一種高性能 3D 堆疊 DRAM，用于高性能計算和圖形加速器。它使用更少的功率，但比依賴DDR4或GDDR5內存的顯卡提供更高的帶寬。由于 SoC 及其附屬子系統（如內存子系統、互連總線和處理器）結構復雜，驗證內存的性能和利用率對用戶來說是一個巨大的挑戰。
2023-05-26 10:24:38437 
據韓媒報道，韓國三星電子公司正在加緊努力，更深入地滲透到HBM3市場，由于其在整個內存芯片市場中所占的份額很小，因此相對于其他高性能芯片來說，該公司一直忽視了這一領域。
2023-06-27 17:13:03453 HBM技術之下，DRAM芯片從2D轉變為3D，可以在很小的物理空間里實現高容量、高帶寬、低延時與低功耗，因而HBM被業界視為新一代內存解決方案。
2023-06-30 16:31:33626 
7月5日，在三星每周三舉行的員工內部溝通活動期間，三星電子負責半導體業務的 DS 部門總裁 Kyung Kye-hyun 表示，“三星高帶寬內存 (HBM) 產品的市場份額仍超過 50%”，他駁斥了有關該公司內存競爭力正在下降的擔憂。
2023-07-10 10:56:03516 近日，HBM成為芯片行業的火熱話題。據TrendForce預測，2023年高帶寬內存（HBM）比特量預計將達到2.9億GB，同比增長約60%，2024年預計將進一步增長30%。
2023-07-11 18:25:08702 
時任AMD CEO的蘇姿豐表示，HBM采用堆疊式設計實現存儲速度的提升，大幅改變了GPU邏輯結構設計，DRAM顆粒由“平房設計”改為“樓房設計”，所以HBM顯存能夠帶來遠遠超過當前GDDR5所能夠提供的帶寬上限，其將率先應用于高端PC市場，和英偉達（NVIDIA）展開新一輪的競爭。
2023-07-13 15:18:24497 
Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布，公司已開始出樣業界首款 8 層堆疊的 24GB 容量第二代 HBM3 內存，其帶寬超過
2023-07-28 11:36:40535 據業界透露，三星電子、sk海力士等存儲半導體企業正在推進hbm生產線的擴張。兩家公司計劃到明年年底為止投資2萬億韓元以上，將目前hbm生產線的生產能力增加兩倍以上。sk海力士計劃在利川現有的hbm生產基地后，利用清州工廠的閑置空間。
2023-08-01 11:47:02632 （美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布，公司已開始出樣業界首款8層堆疊的24GB容量第二代HBM3內存，其帶寬超過1.2TB/s，引腳速率超過9.2Gb/s，比當前市面上現有的HBM3解決方案
2023-08-01 15:38:21489 
在人工智能（ai）時代引領世界市場的三星等公司將hbm應用在dram上，因此hbm備受關注。hbm是將多個dram芯片垂直堆積，可以適用于為ai處理而特別設計的圖像處理裝置（gpu）等機器的高性能產品。
2023-08-03 09:42:50487 來源：半導體芯科技編譯 業內率先推出8層垂直堆疊的24GB容量HBM3 Gen2，帶寬超過1.2TB/s，并通過先進的1β工藝節點實現“卓越功效”。 美光科技已開始提供業界首款8層垂直堆疊的24GB
2023-08-07 17:38:07587 該公司表示，HBM3E（HBM3的擴展版本）的成功開發得益于其作為業界唯一的HBM3大規模供應商的經驗。憑借作為業界最大HBM產品供應商的經驗和量產準備水平，SK海力士計劃在明年上半年量產HBM3E，鞏固其在AI內存市場無與倫比的領導地位。
2023-08-22 16:24:41541 HBM3E內存（也可以說是顯存）主要面向AI應用，是HBM3規范的擴展，它有著當前最好的性能，而且在容量、散熱及用戶友好性上全面針對AI優化。
2023-08-22 16:28:07559 有傳聞稱，三星緩存DRAM將使用與hbm不同的成套方式。hbm目前水平連接到gpu，但緩存d內存垂直連接到gpu。據悉，hbm可以將多個dram垂直連接起來，提高數據處理速度，因此，現金dram僅用一個芯片就可以儲存與整個hbm相同數量的數據。
2023-09-08 09:41:32400 目前，HBM產品的主要供應商是三星、SK海力士和美光。根據全球市場調研機構TrendForce集邦咨詢的調查顯示，2022年，SK海力士在HBM市場占據了50%的份額，三星占據了40%，美光占據了10%。
2023-09-15 16:21:16374 
? ? 據了解，HBM(High Bandwidth Memory)是指垂直連接多個DRAM，能夠提升數據處理速度，HBM DRAM產品以 HBM(第一代)、HBM2(第二代)、HBM2E(第三代
2023-10-10 10:25:46400 HBM技術是一種基于3D堆疊工藝的高性能DRAM，它可以為高性能計算、人工智能、數據中心等領域提供高帶寬、高容量、低延遲和低功耗的存儲解決方案。本文將介紹HBM技術的原理、優勢、應用和發展趨勢。
2023-11-09 12:32:524343 據預測，進入今年以來一直萎靡不振的三星電子半導體業績明年將迅速恢復。部分人預測，三星電子明年下半年的hbm市場占有率將超過sk海力士。
2023-11-14 11:50:57451 由于hbm芯片的驗證過程復雜，預計需要2個季度左右的時間，因此業界預測，最快將于2023年末得到部分企業對hbm3e的驗證結果。但是，驗證工作可能會在2024年第一季度完成。機構表示，各原工廠的hbm3e驗證結果將最終決定英偉達hbm購買分配權重值，還需要進一步觀察。
2023-11-27 15:03:57443 
目前，AI服務器對HBM（高帶寬內存）的需求量越來越大，因為HBM大大縮短了走線距離，從而大幅提升了AI處理器運算速度。HBM經歷了幾代產品，包括HBM、HBM2、HBM2e和HMB3，最新的HBM3e剛出樣品。
2023-11-28 09:49:10408 
由于hbm芯片的驗證過程復雜，預計需要2個季度左右的時間，因此業界預測，最快將于2023年末得到部分企業對hbm3e的驗證結果。但是，驗證工作可能會在2024年第一季度完成。機構表示，各原工廠的hbm3e驗證結果將最終決定英偉達hbm購買分配權重值，還需要進一步觀察。
2023-11-29 14:13:30353 
為增強AI/ML及其他高級數據中心工作負載打造的 Rambus 高性能內存 IP產品組合 高達9.6 Gbps的數據速率，支持HBM3內存標準的未來演進 實現業界領先的1.2 TB/s以上內存吞吐量
2023-12-07 11:01:13115 
據最新傳聞，英偉達正在籌劃發布兩款搭載HBM3E內存的新品——包括141GB HBM3E的H200 GPU及GH200超級芯片，這也進一步說明了對于HBM內存的大量需求。
2024-01-02 09:27:04231 美國IT企業投資規模的加大使得HBM市場迅速成長。預計至2024年，HBM供應緊缺問題將愈發嚴重。對此，三星計劃于2023年末和2024年初供應第四代HBM產品HBM3，并計劃啟動第五代HBM產品HBM3E的量產。在此
2024-01-03 13:41:02348 數據顯示，首爾半導體操作 DRAM晶圓及HBM相關設備的定單數量有所上升。其中三星電子已開始擴大其HBM生產能力，并啟動大規模HBM設備采購；此外，三星和SK海力士計劃加強DRAM技術轉移，進一步加大對DRAM的投資力度。
2024-01-08 10:25:22389 “隨著AI行業對大容量HBM的需求日益增大，我們的新產品HBM3E 12H應運而生，”三星電子內存規劃部門Yongcheol Bae解釋道，“這個存儲方案是我們在人人工智能時代所推崇的HBM核心技術、以及創新堆疊技術的成果展示。”
2024-02-27 10:36:25204 2024年2月27日 - 三星電子今日宣布，公司成功發布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H，這是三星目前為止容量最大的HBM產品。
2024-02-27 11:07:00250 近日，三星電子宣布，已成功發布其首款12層堆疊的高帶寬內存（HBM3E）產品——HBM3E 12H，再次鞏固了其在半導體技術領域的領先地位。據了解，HBM3E 12H不僅是三星迄今為止容量最大的HBM產品，其性能也實現了質的飛躍。
2024-02-27 14:28:21330 除了GPU，另一個受益匪淺的市場就是HBM了。HBM是一種高性能的內存技術，能夠提供比傳統DRAM更高的帶寬和更低的延遲，這使得其在需要大量數據傳輸和處理的人工智能應用中具有顯著優勢。
2024-02-29 09:43:0598 AI服務器出貨量增長催化HBM需求爆發，且伴隨服務器平均HBM容量增加，經測算，預期25年市場規模約150億美元，增速超過50%。
2024-03-01 11:02:53203 
三星電子近期研發的這款36GB HBM3E 12H DRAM確實在業界引起了廣泛關注。其宣稱的帶寬新紀錄，不僅展現了三星在半導體技術領域的持續創新能力，也為整個存儲行業樹立了新的性能標桿。
2024-03-08 10:04:42149 三星電子近日宣布，公司成功研發并發布了其首款12層堆疊HBM3E DRAM，即HBM3E 12H，該產品在帶寬和容量上均實現了顯著的提升，這也意味著三星已開發出業界迄今為止容量最大的新型高帶寬存儲器（HBM）。
2024-03-08 10:10:51158 這一結構性調整體現出三星對于存儲器領域HBM產品間競爭壓力的關注。SK海力士已然在HBM3市場奪得先機，并因其在人工智能領域的廣泛運用吸引了大量訂單。
2024-03-10 14:52:501408 三星電子近期計劃設立專門的HBM（高帶寬存儲器）開發辦公室，旨在進一步強化其在HBM領域的競爭力。目前，關于新設辦公室的具體團隊規模尚未明確，但業界普遍預期，現有的HBM工作組將得到升級和擴充，以適應更高層次的研發需求。
2024-03-13 18:08:36570 實現HBM的關鍵所在為多層DRAM堆疊，市場主要采用兩種鍵合作程： SK海力士旗下的MR-RUF與三星的TC-NCF方案。前者為反流焊接粘附DRAM，后填塑模具填充間隙；后者則為熱壓粘連NCF（非導電薄膜）至各DRAM層之間。
2024-03-14 16:31:21375 Rambus HBM3E/3 內存控制器內核針對高帶寬和低延遲進行了優化，以緊湊的外形和高能效的封裝為人工智能訓練提供了最大的性能和靈活性。
2024-03-20 14:12:37110 
提及此前有人預測英偉達可能向三星購買HBM3或HBM3E等內存，黃仁勛在會上直接認可三星實力，稱其為“極具價值的公司”。他透露目前已對三星HBM內存進行測試，未來可能增加采購量。
2024-03-20 16:17:24352 電子發燒友網報道（文/李彎彎）據報道，繼英偉達之后，全球多個科技巨頭都在競購SK海力士的第五代高帶寬內存HBM3E。半導體行業知情人士稱，各大科技巨頭都已經在向SK海力士請求獲取HBM3E樣本，包括
2023-07-06 09:06:312126 
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