FRAM_READ_INST0x03 //讀存儲器數(shù)據(jù)
#define FRAM_WRITE_INST0x02//寫存儲器數(shù)據(jù)
#define FRAM_STATUS_REG0x0 //
#define
2024-03-20 08:08:05
我有個(gè)應(yīng)用設(shè)計(jì)，MCU用的是STM32G070rbt6芯片，外擴(kuò)了一片鐵電存儲器FRAM。STM32G070在2.0V-3.3V工作電壓下都能正常工作，但鐵電存儲器FRAM的工作電壓
2024-03-13 08:04:03
嵌入式鐵電存儲器可實(shí)現(xiàn)超低功耗微控制器的設(shè)計(jì)。將鐵電存儲器添加到微控制器中可以進(jìn)行快速可靠的非易失性數(shù)據(jù)存儲與處理，是存儲系統(tǒng)狀態(tài)、數(shù)據(jù)記錄及在多種應(yīng)用的非易失性的理想選擇，例如傳感器與計(jì)量儀表到
2024-03-06 09:57:22
ram在計(jì)算機(jī)和數(shù)字系統(tǒng)中用來暫時(shí)存儲程序、數(shù)據(jù)和中間結(jié)果。隨機(jī)存取存儲器（ram）既可向指定單元存入信息又可從指定單元讀出信息。
2024-02-19 11:23:31
568 
DRAM（動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）存儲器主要通過電容來存儲信息。這些電容用于存儲電荷，而電荷的多寡則代表了一個(gè)二進(jìn)制位是1還是0。
2024-02-19 10:56:36264 
：基于靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器（SRAM）的FPGA，其配置可以在每次上電時(shí)重新加載。這類FPGA具有較高的靈活性，但功耗較高。
Flash-based FPGA ：基于閃存的FPGA，其配置可以在斷電后保持。這類
2024-01-26 10:09:17
英飛凌科技旗下的Infineon Technologies LLC Memory Solution近日宣布，擴(kuò)展其集成嵌入式糾錯(cuò)碼（ECC）的抗輻射異步靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器（RAM）產(chǎn)品線。這款新產(chǎn)品的設(shè)計(jì)初衷是為了滿足航空和其他極端環(huán)境中的高性能計(jì)算需求。
2024-01-24 17:11:39358 鐵電存儲器通常具有更快的隨機(jī)存取時(shí)間（Access Time），能夠更快地執(zhí)行讀取和寫入操作。而閃存的存取速度較慢，通常與鐵電存儲器相比較為遲鈍。
2024-01-23 18:17:51516 
全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布推出DA14592低功耗藍(lán)牙（LE）片上系統(tǒng)（SoC），成為瑞薩功耗最低、體積最小的多核（Cortex-M33、Cortex-M0+
2024-01-19 16:37:30586 當(dāng)電源斷開時(shí)，隨機(jī)存取存儲器（RAM）中的數(shù)據(jù)通常會丟失。這是因?yàn)镽AM是一種易失性存儲器，它必須以恒定的電源供應(yīng)來維持存儲的數(shù)據(jù)。在斷電時(shí)，RAM中的電荷會逐漸耗盡，導(dǎo)致其中的數(shù)據(jù)丟失。在這
2024-01-16 16:30:19838 MRAM或磁性隨機(jī)存取存儲器使用具有鐵磁性材料的磁性“狀態(tài)”的1晶體管–1磁性隧道結(jié)（1T-1MTJ）體系結(jié)構(gòu)作為數(shù)據(jù)存儲元素。
2024-01-09 14:24:03208 
隨機(jī)存取存儲器 (RAM)的名稱源自 CPU 訪問它的方式，CPU對其進(jìn)行隨機(jī)掃描以獲取適當(dāng)?shù)男畔ⅲ皇亲裱瓏?yán)格的指示。這是為了均衡所有存儲的數(shù)據(jù)位之間的訪問時(shí)間。
2024-01-06 17:51:33158 
FeRAM在汽車行駛記錄儀中應(yīng)用:
存儲實(shí)時(shí)的數(shù)據(jù)如速度、剎車.
推薦型號：MB85RS64T
·非易失性存儲器
·高可靠性
·FeRAM無需寫等待，快速讀寫
·低功耗，靜態(tài)電流小于10uA
·無限次的擦寫次數(shù)(一萬億次)
2024-01-02 15:46:16314 
富士通嵌入FRAM的RFID射頻芯片MB89R118C的優(yōu)點(diǎn):? 抗金屬，可在金屬環(huán)境中使用。? 可耐200度高溫。? 高速數(shù)據(jù)寫入：可提高數(shù)據(jù)寫入時(shí)的效率。? 穩(wěn)定的通信距離
2023-12-27 13:53:33
東芝不僅是家電巨頭、消費(fèi)電子巨頭，還曾經(jīng)是全球最大的半導(dǎo)體制造商之一。1985年，東芝率先研發(fā)出1M容量動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)。到了次年，東芝1M DRAM月產(chǎn)能超過100萬片，包括東芝在內(nèi)的日本廠商在 DRAM市場的份額則超過80%。
2023-12-21 16:19:48267 
最高48MHz。芯片有TSSOP20, QFN20兩種封裝類型。PY32L020 單片機(jī)集成I2C、SPI、USART 等通訊外設(shè)，1 路 12bit ADC，2 個(gè) 16bit 定時(shí)器，一個(gè)低功耗
2023-12-20 16:02:38
從存儲芯片的市場表現(xiàn)來看，兩大類別DRAM（動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）與NAND Flash（閃存存儲器）目前的價(jià)格較今年谷底都出現(xiàn)了上漲。
2023-12-19 15:19:32136 FRAM具有其他傳統(tǒng)內(nèi)存產(chǎn)品所不具備的四個(gè)突出特性。特點(diǎn)是：“非易失性”、“高讀寫耐久性”、“寫入速度快”和“低功耗”。
2023-12-15 11:35:46412 其中，電阻式隨機(jī)存取存儲器（RRAM）依靠改變電阻水平來存儲數(shù)據(jù)。最近發(fā)表在《Angewandte Chemie》雜志上的一項(xiàng)研究詳細(xì)介紹了清華大學(xué)李原領(lǐng)導(dǎo)的研究小組的工作，他們開創(chuàng)了一種制造超分子憶阻器的方法，而憶阻器是構(gòu)建納米隨機(jī)存取存儲器的關(guān)鍵部件之一。
2023-12-06 16:05:36341 
在數(shù)字電子設(shè)備中，存儲器是至關(guān)重要的部分。它負(fù)責(zé)存儲和檢索數(shù)據(jù)，以支持各種計(jì)算和數(shù)據(jù)處理任務(wù)。在存儲器市場中，有兩種主要的類型：隨機(jī)訪問存儲器 ( RAM ) 和只讀存儲器 ( ROM )。盡管都是存儲器，但它們之間存在一些關(guān)鍵區(qū)別。
2023-12-05 15:46:17731 
非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 (NVSRAM) 是一種即使斷電也能保留數(shù)據(jù)的存儲器，提供非易失性存儲。
2023-12-05 10:09:56302 該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-11-27 16:41:47
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)
2023-11-27 16:37:59
易失性存儲和精確的實(shí)時(shí)時(shí)鐘，本文推薦使用國產(chǎn)PB85RS2MC鐵電存儲器用于該存儲系統(tǒng)中。鐵電存儲器PB85RS2MC在系統(tǒng)主要是實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的非易失性存儲和的實(shí)時(shí)時(shí)
2023-11-27 10:17:05
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《半導(dǎo)體存儲器電子課件.ppt》資料免費(fèi)下載
2023-11-21 14:40:03
0 存儲中，鐵電存儲器在數(shù)據(jù)存儲方面的出色性能，可以應(yīng)用在大量的現(xiàn)代儀器儀表中，如水表、煤氣表、門禁系統(tǒng)、醫(yī)療設(shè)備、自動取款機(jī)、汽車記錄儀、工業(yè)儀器等等。國產(chǎn)鐵電存儲器
2023-11-21 09:59:20
低功耗雙倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 (Low Power Double Data Rate SDRAM, LPDDR SDRAM)簡稱為 LPDDR，是DDR SDRAM 的一種，由于廣泛用于移動
2023-11-21 09:37:36257 
在同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（SDRAM)的工作模式中，以數(shù)據(jù)讀取速率來分類，有單倍數(shù)據(jù)速率 (Single Data Rate, SDR) SDRAM、雙倍數(shù)據(jù)速率(Double Data Rate
2023-11-20 10:58:25364 
Distributed Memory Generator IP 核采用 LUT RAM 資源創(chuàng)建各種不同的存儲器結(jié)構(gòu)。IP可用來創(chuàng)建只讀存儲器 (ROM)、單端口隨機(jī)存取存儲器 (RAM) 和簡單
2023-11-17 17:00:30687 
要考慮到電能系統(tǒng)復(fù)雜多變的環(huán)境、低功耗、讀寫操作頻率和斷電保存的能力。目前符合電能質(zhì)量監(jiān)測系統(tǒng)存儲要求的是國產(chǎn)PB85RS2MC（富士通MB85RS2MT），兩款
2023-11-17 10:28:51
20世紀(jì)70 年代到 90年代中期，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 (Dynamic Random Access Memory ，DRAM) 采用的是異步接口，這樣它可以隨時(shí)響應(yīng)控制輸入信號的變化從而直接影響
2023-11-17 09:26:27378 ，VM）兩大類。例如，人們熟知的閃速存儲器 ( Flash Memory，簡稱 Flash）就屬于 NVM，靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 (Static Random Access Memory， SRAM）和動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 (Dynamic Random Access Memory,DRAM)則屬于 VM。
2023-11-16 09:14:06413 根據(jù)貿(mào)易部周二公布的數(shù)據(jù)，存儲芯片出口同比增長1%，較9月份下滑了18%。多芯片封裝產(chǎn)品引領(lǐng)了反彈，增長了12.2%，而利潤豐厚的動態(tài)隨機(jī)存取存儲器的銷售額首次收窄至個(gè)位數(shù)。
2023-11-15 17:37:26719 后存儲內(nèi)容會丟失的存儲器稱作易失存儲器（Volatile Memory），存儲內(nèi)容不會丟失的存儲器稱作非易失存儲器（Non-Volatile Memory）。 半導(dǎo)體存儲器分類 1、按功能分為 （1）隨機(jī)存取存儲器（RAM）特點(diǎn)：包括DRAM（動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）和SRAM（靜態(tài)隨
2023-11-15 10:20:01731 
MB89R118C|富士通嵌入FRAM的RFID LSI無線射頻識別芯片
2023-11-09 13:59:01431 ? 點(diǎn)擊上方? “?意法半導(dǎo)體中國” ， 關(guān)注我們 ???????? Bluetooth 5.3 SoC：兼具低功耗和高性價(jià)比 意法半導(dǎo)體BlueNRG-LPS是一款可編程Bluetooth 低功耗
2023-11-09 11:20:01211 
摘要：萊迪思(Lattice )半導(dǎo)體公司在這應(yīng)用領(lǐng)域已經(jīng)推出兩款低成本帶有SERDES的 FPGA器件系列基礎(chǔ)上，日前又推出采用富士通公司先進(jìn)的低功耗工藝，目前業(yè)界首款最低功耗與價(jià)格并擁有SERDES 功能的FPGA器件――中檔的、采用65nm工藝技術(shù)的 LatticeECP3系列。
2023-10-27 16:54:24235 本文將介紹芯片設(shè)計(jì)中動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）的相關(guān)知識，包括其工作原理、分類以及在現(xiàn)代電子設(shè)備中的應(yīng)用。
2023-10-23 10:07:34816 對于做快速存儲采集數(shù)據(jù)類產(chǎn)品的用戶來說，在處理突發(fā)掉電情況時(shí)需要保存現(xiàn)有數(shù)據(jù)并避免數(shù)據(jù)丟失，這種情況下有很多種解決方案，鐵電存儲器(FRAM) 就是個(gè)很好的選擇。FRAM是一種具有快速寫入速度
2023-10-19 09:28:15
MT53E512M32D1ZW-046 WT:B ，MICRON/美光，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 16Gb低VDDQ移動低功耗DDR4 SDRAM（LPDDR4X）是一種高速CMOS
2023-10-16 15:48:28
使用，需要增添片外存儲器。因此鐵電存儲器（FRAM）是便攜式醫(yī)療設(shè)備的理想解決方案。1、高寫入耐久度PB85RS2MC是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存
2023-10-16 10:13:25
NEW PRODUCT ?I 2 C 接口 512Kbit FeRAM MB85RC512LY 加賀富儀艾電子旗下的代理品牌富士通半導(dǎo)體存儲器解決方案有限公司于近期 宣布推出 I 2 C 接口
2023-09-28 16:20:02267 
怎么隨機(jī)存取存儲器ram中的存儲單元
2023-09-28 06:17:04
眾所周知，鐵電存儲器（FRAM）是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機(jī)存取兩個(gè)特長的鐵電隨機(jī)存儲器。本文所提到的國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC在數(shù)據(jù)保持上，不僅不需要備用電池，而且
2023-09-27 10:00:51
三星電子宣布已開發(fā)出其首款 7.5Gbps（千兆字節(jié)每秒）低功耗壓縮附加內(nèi)存模組（LPCAMM）形態(tài)規(guī)格，這有望改變個(gè)人計(jì)算機(jī)和筆記本電腦的 DRAM（動態(tài)隨機(jī)存取存儲器） 市場，甚至改變數(shù)據(jù)中心的DRAM市場。三星的突破性研發(fā)成果已在英特爾平臺上完成了系統(tǒng)驗(yàn)證。
2023-09-26 10:32:33849 、隨機(jī)存取存儲器、定時(shí)器以及并行接口等。微處理器執(zhí)行存放在程序存儲器中的各種保護(hù)程序，對由數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)輸入到隨機(jī)存取存儲器中的數(shù)據(jù)進(jìn)行分析處理，以完成各種繼電器保護(hù)的功能。 3、數(shù)字量輸入/輸出接口 即開關(guān)量輸入/輸出
2023-09-22 16:34:33544 
微控制器的處理器類型根據(jù)不同的應(yīng)用而有所不同。可供選擇的范圍從簡單的4位、8位或16位處理器到更復(fù)雜的32位或64位處理器。微控制器還可以使用不同類型的存儲器，包括易失性存儲器，如隨機(jī)存取存儲器
2023-09-07 15:54:332171
-40℃~+85℃
片上只讀存儲器
384KB
片上靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器
512KB
外部閃光
8MB
封裝內(nèi) PSRAM
2MB
無線上網(wǎng)
IEEE 802.11 b/g/n，2.4Ghz 頻段
2023-09-07 10:05:03
或是其他數(shù)據(jù)處理時(shí)，只有這類內(nèi)存才能夠可靠而無延遲地儲存?zhèn)鞲?b class="flag-6" style="color: red">器所搜集的數(shù)據(jù)。故此鐵電存儲器FRAM將是提高這些核心技術(shù)的關(guān)鍵元件，無論是BMS，還是VCU，這些系統(tǒng)
2023-09-01 10:04:52
我們知道除了只讀存儲器外還有隨機(jī)存取存儲器，這一篇將介紹另一種 存儲類IP核 ——RAM的使用方法。RAM是 隨機(jī)存取存儲器 （Random Access Memory），是一個(gè)易失性存儲器，斷電丟失。RAM工作時(shí)可以隨時(shí)從任何一個(gè)指定的地址寫入或讀出數(shù)據(jù)。
2023-08-29 16:46:071658 
隨著高速數(shù)據(jù)通信的進(jìn)步，數(shù)據(jù)更頻繁地發(fā)送意味著對非易失性存儲器的需求增加，因?yàn)榉且资?b class="flag-6" style="color: red">存儲器可以承受這種頻繁的數(shù)據(jù)操作。鐵電存儲器是具有物聯(lián)網(wǎng)新時(shí)代所要求的高讀寫耐久性和快速寫入速度的理想存儲設(shè)備
2023-08-24 10:05:59
和“讀寫”段，前者包含代碼和只讀數(shù)據(jù)，后者包含初始化和未初始化或零初始化(ZI)數(shù)據(jù)。
通常，“只讀”段被放在只讀存儲器中，而“讀寫”段在開始執(zhí)行之前從只讀存儲器復(fù)制到隨機(jī)存取存儲器。
2023-08-24 08:23:51
PB85RS128可替換MB85RS128B（富士通）/ FM25V01A-GTR（賽普拉斯）
2023-08-22 16:38:152 PB85RS2MC可替換MB85RS2MT（富士通）/FM25V20A（賽普拉斯）
2023-08-22 09:56:047 技術(shù)，每種技術(shù)都具有不同的特性和高級功能。雙數(shù)據(jù)速率 (DDR) 同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 (SDRAM) 已成為主系統(tǒng)存儲器最主流的存儲器技術(shù)，因?yàn)樗褂秒娙萜髯鳛?b class="flag-6" style="color: red">存儲元件來實(shí)現(xiàn)高密度和簡單架構(gòu)、低延遲和高性能、無限存取耐力和低功耗。
2023-08-17 09:54:20413 
發(fā)出警報(bào)聲。 本文主要介紹國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC用于醫(yī)療生命監(jiān)護(hù)儀的存儲方案中。對于這些應(yīng)用，鐵電存儲器與EEPROM相比可以更頻繁地寫入，設(shè)備可以
2023-08-16 10:30:26
昂科燒錄器支持Analog
Devices亞德諾半導(dǎo)體的超低功耗、獨(dú)立式電量計(jì)IC MAX17201X
芯片燒錄行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者-昂科技術(shù)近日發(fā)布最新的燒錄軟件更新及新增支持的芯片型號列表，其中昂科發(fā)布
2023-08-10 11:54:39
富士通半導(dǎo)體存儲器解決方案有限公司提供的一款 4Mbit FeRAM MB85RS4MT，是富士通 FeRAM 非易失性存儲器串行接口系列中密度最高的產(chǎn)品。目前已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)產(chǎn)品。 在不斷變化的環(huán)境中，隨著傳感器信息數(shù)據(jù)量的增加和邊緣計(jì)算的擴(kuò)展，客
2023-08-04 11:55:04339 
動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 (DRAM) 是一種集成電路，目前廣泛應(yīng)用于需要低成本和高容量內(nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備，如現(xiàn)代計(jì)算機(jī)、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機(jī)。
2023-08-03 12:27:03649 
動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（RAM）
?片上系統(tǒng)（SoC）外圍設(shè)備中已經(jīng)存在的高速鏈路。
TMC也可以作為系統(tǒng)中的先進(jìn)先出（FIFO）操作。這減少了跟蹤
通過平均跟蹤帶寬得出溢出和跟蹤端口大小
2023-08-02 14:35:05
，用于從計(jì)算機(jī)的RAM（隨機(jī)存取存儲器）或其他設(shè)備的內(nèi)存中提取關(guān)鍵信息，以便了解設(shè)備在特定時(shí)間點(diǎn)的狀態(tài)和活動。內(nèi)存取證的主要目的？內(nèi)存取證的主要目的是獲取在計(jì)算機(jī)或設(shè)
2023-08-01 11:21:511056 
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:13:33
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:08:13
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)和嵌入式閃存、一個(gè)提供時(shí)鐘、復(fù)位和電源管理功能的模擬子系統(tǒng)以及模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)子系統(tǒng)組成。本數(shù)據(jù)手冊描述ADuCM4050 MCU的A
2023-07-17 15:08:25
何謂半導(dǎo)體存儲器？ 半導(dǎo)體存儲器是指通過對半導(dǎo)體電路加以電氣控制，使其具備數(shù)據(jù)存儲保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。 與磁盤和光盤裝置等相比，具有 數(shù)據(jù)讀寫快 存儲密度高 耗電量少 耐震 等特點(diǎn)。 關(guān)閉電源
2023-07-12 17:01:131098 
隨機(jī)存取存儲器（RAM）用于實(shí)時(shí)存儲CPU正在使用的程序和數(shù)據(jù)。隨機(jī)存取存儲器上的數(shù)據(jù)可以被多次讀取、寫入和擦除。RAM是存儲當(dāng)前使用的數(shù)據(jù)的硬件元素。它是一種易失性存儲器。
2023-07-06 14:22:271948 鐵電存儲器(FRAM)具有非易失性，讀寫速度快，沒有寫等待時(shí)間等優(yōu)勢，能夠像RAM一樣操作，低功耗，擦寫使用壽命長，芯片的擦寫次數(shù)為100萬次，比一般的E2PROM存儲器高10倍。特別適合在為工業(yè)
2023-06-29 09:39:03382 的信息不會丟失，且鋰電池還存在使用壽命的問題，所以當(dāng)使用了FRAM（鐵電存儲器）上述問題就將迎刃而解。將國產(chǎn)FRAM PB85RS128替代以前SRAM組成的顯示屏
2023-06-28 11:43:30
，非易失性存儲器在計(jì)算機(jī)關(guān)閉后存儲數(shù)據(jù)仍保留在計(jì)算機(jī)中。易失性存儲器的主要特征是它們需要電源來維持其存儲狀態(tài)。主要分為兩種類型：靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)和動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)。 1963年，F(xiàn)airchild發(fā)明了SRAM。作為即1959年I
2023-06-28 09:05:28873 半導(dǎo)體存儲器一般可分為易失性(Volatile Memory)和非易失性存儲器(Non Volatile Memory)。易失性存儲器是指數(shù)據(jù)信息只有在通電條件下才能保存，斷電后數(shù)據(jù)會丟失，主要有
2023-06-25 14:30:181959 
LPDDR是什么？ LPDDR （Low Power Double Data Rate SD RAM）低功耗雙倍速率動態(tài)隨機(jī)存取存儲器，是DDR SDRAM的一種，是JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會
2023-06-22 08:40:021807 
鐵電存儲器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料，這種特殊材料使鐵電存儲器同時(shí)擁有隨機(jī)存取記憶體(RAM)和非易失性存儲器的特性，芯片能在常溫、沒有電場的情況下，數(shù)據(jù)保持此狀態(tài)達(dá)100年以上
2023-06-20 14:19:25391 
隨機(jī)存取存儲器(SRAM)，而系統(tǒng)存儲器(4KB)除可作啟動加載程序(Bootloader)外，也可一次性配置成一
般用戶程序和數(shù)據(jù)區(qū)，達(dá)到64+4KB的最大空間使用。片上還集成1個(gè)OTG控制器(設(shè)備模式支持
2023-06-08 16:10:08
鐵電存儲器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料，這種特殊材料使鐵電存儲器同時(shí)擁有隨機(jī)存取記憶體(RAM)和非易失性存儲器的特性，芯片能在常溫、沒有電場的情況下，數(shù)據(jù)保持此狀態(tài)達(dá)100年以上，鐵電
2023-06-08 09:52:17
字節(jié) OTP 存儲器
?CRC 硬件計(jì)算單元
?復(fù)位和電源管理
--低功耗模式（Sleep，DeepSleep）
--上電和掉電復(fù)位（POR/BOR）
--可編程低電壓檢測器（LVD）
?時(shí)鐘管理
2023-06-07 11:04:28
作為一種非易失性存儲器，鐵電存儲器兼具動態(tài)隨機(jī)存取存儲器DRAM的高速度與可擦除存儲器EEPROM非易失性優(yōu)點(diǎn)，雖然容量和密度限制了其大規(guī)模應(yīng)用，但在要求高安全性與高可靠性等工業(yè)應(yīng)用場合，鐵電存儲器以幾乎無限的讀寫次數(shù)、超低及高抗干擾能力得到用戶的青睞。
2023-06-01 10:57:52134 
無論是在網(wǎng)飛上看電影、玩電子游戲，還是單純地瀏覽數(shù)碼照片，你的電腦都會定期進(jìn)入內(nèi)存獲取指令。沒有隨機(jī)存取存儲器（RAM），今天的計(jì)算機(jī)甚至無法啟動。
2023-05-30 15:19:55313 和耐久性設(shè)計(jì)，這些要求使國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC成為最佳的存儲選擇。 PB85RS2MC配置為262,144×8位，是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工
2023-05-26 10:14:23
在單板設(shè)計(jì)中，無論是涉及到一個(gè)簡易的CPU、MCU小系統(tǒng)或者是復(fù)雜的單板設(shè)計(jì)，都離不開存儲器設(shè)計(jì)：
1、存儲器介紹
存儲器的分類大致可以劃分如下：
ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲器，ROM在系統(tǒng)
2023-05-19 15:59:37
在定義方面它們有本質(zhì)的區(qū)別，硬盤屬于“ 非易失性存儲器”，而內(nèi)存是“隨機(jī)存取存儲器”，屬于“易失性存儲設(shè)備“。
2023-05-17 15:40:191537 EMI Serial SRAM是為串行接口的SRAM，外擴(kuò)SRAM可以通過使用SPI的接口來將外部RAM添加到幾乎所有應(yīng)用中。串行訪問的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器采用先進(jìn)的CMOS技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)和制造，以提供高速性能和低功耗。
2023-04-27 17:37:44615 
RAM ：隨機(jī)存取存儲器（random access memory，RAM）又稱作“隨機(jī)存儲器”。
2023-04-25 15:58:205062 
富士通電子芯片MB89R118C使用CLRC66301HN只讀取數(shù)據(jù)區(qū)不寫入數(shù)據(jù)，請告知
2023-04-23 07:19:24
PB85RS2MC是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲單元，對標(biāo)富士通和賽普拉斯從原料上能做到不含鉛，無污染。
2023-04-20 11:29:57224 具有非易失性，即使切斷電源，信息也不會丟失，而且它和DRAM一樣可隨機(jī)存取。表1存儲器的技術(shù)規(guī)格比較在性能方面，自旋注入MRAM的讀取1擦寫時(shí)間都很短，均在2ns~20ns之間。它不需要閃存所必需
2023-04-07 16:41:05
Everspin的8Mb MRAM MR3A16ACMA35可以在較慢的富士通8Mb FRAM MB85R8M2T上運(yùn)行，但還允許系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員利用MRAM的四倍隨機(jī)存取周期時(shí)間。Everspin
2023-04-07 16:26:28
隨著萬物智聯(lián)時(shí)代的到來，智能汽車等新興應(yīng)用場景對存儲提出了更高的性能要求。加賀富儀艾電子旗下代理品牌富士通半導(dǎo)體存儲器解決方案有限公司提供的一款2Mbit FeRAM——MB85RS2MLY
2023-04-07 11:24:481501 存儲器FRAM 128K（16 K×8）位SPI
2023-03-29 21:29:57
存儲器FRAM 16 K（2 K x 8）位SPI
2023-03-29 21:29:57
存儲器FRAM 64 K（8 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:56
存儲器FRAM 16 K（2 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:55
存儲器FRAM 1M（128 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:55
存儲器FRAM 256 K（32 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:55
存儲器FRAM 256 K（32 K×8）位SPI
2023-03-29 20:47:37
64 K（8 K×8）位I2C存儲器FRAM
2023-03-27 13:39:18
ReRAM代表電阻式隨機(jī)存取存儲器，是一種非易失性存儲器，具有如低功耗和快速寫入的特長。該存儲器在所有存儲器產(chǎn)品中的讀取電流都最小，特別適合于助聽器等可穿戴設(shè)備。
2023-03-25 15:49:351054 FRAM存儲器 SOP8_150MIL 16Kb 1MHz
2023-03-24 13:43:53
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