在數(shù)字電子設(shè)備中，存儲(chǔ)器是至關(guān)重要的部分。它負(fù)責(zé)存儲(chǔ)和檢索數(shù)據(jù)，以支持各種計(jì)算和數(shù)據(jù)處理任務(wù)。在存儲(chǔ)器市場(chǎng)中，有兩種主要的類型：隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器 ( RAM ) 和只讀存儲(chǔ)器 ( ROM )。盡管都是存儲(chǔ)器，但它們之間存在一些關(guān)鍵區(qū)別。
2023-12-05 15:46:17
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ROM：Read-Only Memory，只讀存儲(chǔ)器。
2023-12-19 09:03:01784 自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND閃存等現(xiàn)有存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)在性能方面又超過(guò)了現(xiàn)有幾乎所有的存儲(chǔ)器，因此有可能會(huì)贏得巨大的市場(chǎng)(見(jiàn)表1)。具體在功能方面，自旋注入MRAM與閃存一樣
2023-04-07 16:41:05
操作是通過(guò)在MTJ兩端施加非常低的電壓來(lái)完成的，從而在部件使用壽命內(nèi)支持無(wú)限的操作。圖3：MRAM讀寫周期FRAM技術(shù)FRAM或鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器使用1個(gè)晶體管–1個(gè)鐵電電容器（1T-1FC）架構(gòu)，該
2022-11-17 15:05:44
RAM,ROM,EPROM,EEPROM,FLASH ROM的區(qū)別1、RAM指的是“隨機(jī)存取存儲(chǔ)器”，即Random Access Memory。它可以隨時(shí)讀寫，而且速度很快，缺點(diǎn)是斷電后信息丟失
2022-01-07 07:51:17
基礎(chǔ)部分——RAM和ROM的區(qū)別？RAM：簡(jiǎn)稱隨機(jī)存儲(chǔ)器，掉電后數(shù)據(jù)會(huì)丟失，任何時(shí)候都可以讀寫，讀寫速度快；ROM：簡(jiǎn)稱只讀存儲(chǔ)器，掉電后數(shù)據(jù)不會(huì)丟失，但數(shù)據(jù)不能隨意更新。——什么是IO的上拉和下拉
2021-11-08 09:04:22
RAM和ROM的區(qū)別？答：ROM（只讀存儲(chǔ)器）：它的信息一次寫入后只能被讀出，而不能***作者修改或者刪除。一般用于存放固定的程序或數(shù)據(jù)表格。但是，“只讀”這個(gè)概念有時(shí)候可以被一些新特性的器件顛覆
2019-03-22 09:46:44
Access Memory：鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，簡(jiǎn)稱鐵電存儲(chǔ)器)。把FRAM歸類為非易失性存儲(chǔ)器是可以，但是FRAM的高速讀寫性質(zhì)又與SRAM、DRAM更為接近，它也是一種RAM。于是，存儲(chǔ)器的分類令人
2012-01-06 22:58:43
硬磁材料、環(huán)狀元件（4）光盤存儲(chǔ)器激光、磁光材料2.按存取方式分類（1）存取時(shí)間與物理地址無(wú)關(guān)（隨機(jī)訪問(wèn)）隨機(jī)存儲(chǔ)器在程序的執(zhí)行過(guò)程中 可讀可寫只讀存儲(chǔ)器 在程序的執(zhí)行過(guò)程中 只讀（2）存取時(shí)間與物理地址有關(guān)（串行訪問(wèn)）順序存取存儲(chǔ)器磁帶直
2021-07-29 07:40:10
擦除，擦除后又可重新寫入新的程序。 4、可電改寫只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）： EEPROM可用電的方法寫入和清除其內(nèi)容，其編程電壓和清除電壓均與微機(jī)CPU的5V工作電壓相同，不需另加電壓。它既有
2017-12-21 17:10:53
，擦除后又可重新寫入新的程序。 4、可電改寫只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）： EEPROM可用電的方法寫入和清除其內(nèi)容，其編程電壓和清除電壓均與微機(jī)CPU的5V工作電壓相同，不需另加電壓。它既有
2017-10-24 14:31:49
概述：AT24C08是ATMEL公司出品的一款8192位的串行電可擦寫可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)，每個(gè)存儲(chǔ)單元有1024字，每個(gè)字為8位。AT24C08系列芯片采用8引腳PDIP，8引腳JEDEC SOI
2021-04-06 08:35:58
盡管靜態(tài)RAM和鐵電RAM可以有完全不同的用途，但是隨著SPI等標(biāo)準(zhǔn)接口的出現(xiàn)，這些技術(shù)在功能上有很大的重疊。本篇詳細(xì)介紹了用FRAM替換SRAM時(shí)需要考慮的因素 FRAM注意事項(xiàng)FRAM與SRAM
2020-10-16 14:34:37
flash存儲(chǔ)轉(zhuǎn)換成鐵電存儲(chǔ),應(yīng)該怎么改代碼？需要注意哪些？
2023-01-29 10:56:32
鐵電存儲(chǔ)器FRAM是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，它將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM的快速讀取和寫入訪問(wèn)——它是個(gè)人電腦存儲(chǔ)中最常用的類型——與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力（就像其他穩(wěn)定的存儲(chǔ)設(shè)備一樣，如只讀存儲(chǔ)器
2020-05-07 15:56:37
一． 概述：FRAM是最近幾年由RAMTRON公司研制的新型存貯器,它的核心技術(shù)是鐵電晶體材料,擁有隨即存取記憶體和非易失性存貯產(chǎn)品的特性。FM24C256是一種鐵電存貯器（FRAM）,容量為
2019-07-11 06:08:19
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方案有靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM加電池的組合、FLASH閃存芯片、EEPROM和鐵電存儲(chǔ)器FRAM (Ferroelectric Random Accessmemory)等。SRAM加電池的組合容易因
2014-04-25 11:05:59
鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術(shù)一樣，是一種非易失性的存儲(chǔ)器。鐵電存儲(chǔ)器在這兩類存儲(chǔ)類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。相對(duì)于其它類型的半導(dǎo)體技術(shù)
2011-11-19 11:53:09
鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術(shù)一樣，是一種非易失性的存儲(chǔ)器。鐵電存儲(chǔ)器在這兩類存儲(chǔ)類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。相對(duì)于其它類型的半導(dǎo)體技術(shù)
2011-11-21 10:49:57
什么是FRAM?FRAM（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）是被稱為FeRAM。這種存儲(chǔ)器采用鐵電質(zhì)膜用作電容器來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。FRAM具有ROM（只讀存儲(chǔ)器）和RAM（隨機(jī)存取器）的特點(diǎn)，在高速讀寫入、高讀寫耐久性
2014-06-19 15:49:33
AT24C04B-PU港定ATMEL原廠現(xiàn)貨電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器DIP封裝AT24C04B-PU Microchip Technology / ATMEL Corporation 電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器 PB/HALO FREE 1.8V EEPROM PB/HALO FREE 1.8V DIP封裝
2018-11-30 17:35:13
AT25128A是ATMELCorporation公司生產(chǎn)的一款144位串行電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器。它提供131,072/262,144位串行電可擦出可編程的只讀存儲(chǔ)器（EEPROM），換算成
2021-04-23 08:03:09
摘要：介紹鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）的一般要領(lǐng)和基本原理，詳細(xì)分析其讀寫操作過(guò)程及時(shí)序。將FRAM與其它存儲(chǔ)器進(jìn)行比較，分析在不同場(chǎng)合中各自的優(yōu)缺點(diǎn)。最后以FM1808為例說(shuō)明并行FPGA與8051系列
2014-04-25 13:46:28
非易失性存儲(chǔ)器主要是用來(lái)存放固定數(shù)據(jù)、固件程序等一般不需要經(jīng)常改動(dòng)的數(shù)據(jù)。目前主流非易失性存儲(chǔ)器主要有EEPROM、MRAM、FLASH、FRAM。EEPROM的存儲(chǔ)原理EEPROM即電
2020-12-16 16:27:22
。 Everspin MRAM技術(shù)可靠 與大多數(shù)其他半導(dǎo)體存儲(chǔ)技術(shù)不同，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)為磁性狀態(tài)而不是電荷，并通過(guò)測(cè)量電阻來(lái)感測(cè)而不干擾磁性狀態(tài)。使用磁性狀態(tài)進(jìn)行存儲(chǔ)有兩個(gè)主要好處。首先，磁極化不會(huì)像電荷一樣隨時(shí)
2020-08-31 13:59:46
M24C08只讀存儲(chǔ)器介紹
2021-03-24 07:31:49
M24C64/M24C32是一個(gè)只讀存儲(chǔ)器，它受IIC總線控制，工作電壓可降至2.5V，這些設(shè)備可兼容IIC的存儲(chǔ)協(xié)議，這是一個(gè)使用雙向數(shù)據(jù)總線和串行時(shí)鐘的兩線串行接口。
2021-05-11 07:20:30
MSP430G2553單片機(jī)里的ADC10MEM存儲(chǔ)器怎么在IAR環(huán)境中說(shuō)是只讀存儲(chǔ)器呢？怎么更改它的設(shè)置？
2013-11-26 17:22:09
生產(chǎn)，進(jìn)一步發(fā)展出了可編程只讀存儲(chǔ)器（PROM）、可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器（EPROM）。EPROM需要用紫外線長(zhǎng)時(shí)間照射才能擦除，使用很不方便。1980s又出現(xiàn)了電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器（EEPROM），它
2021-06-20 18:20:44
ROM只讀存儲(chǔ)器，在單片機(jī)運(yùn)行時(shí)，只能從中讀取數(shù)據(jù)，不能向里面寫數(shù)據(jù)。特點(diǎn)是掉電不丟失數(shù)據(jù)，在單片機(jī)中主要用來(lái)存儲(chǔ)代碼和常量等內(nèi)容。FLASH存程序，單片機(jī)上電后會(huì)自動(dòng)從這里讀代碼開(kāi)始運(yùn)行。SRAM
2022-01-26 07:14:56
ROM存儲(chǔ)和RAM存儲(chǔ)在物理結(jié)構(gòu)上有什么區(qū)別，如何才能實(shí)現(xiàn)只讀存儲(chǔ)和隨機(jī)存儲(chǔ)？
2023-10-30 07:09:38
ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，ROM是Read Only Memory的縮寫，RAM是Random Access Memory的縮寫。ROM在系統(tǒng)停止供bai電的時(shí)候仍然可以保持?jǐn)?shù)據(jù)，而RAM
2021-12-09 08:32:12
當(dāng)系統(tǒng)運(yùn)行了一個(gè)嵌入式實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)時(shí)（RTOS），操作系統(tǒng)通常都是使用非易失的存儲(chǔ)器來(lái)運(yùn)行軟件以及采集數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)器的選擇面很廣闊，其中包括電池供電的SRAM（靜態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)儲(chǔ)存器），各種各樣的閃存以及串口EEPROM（電可擦的，可編程的只讀存儲(chǔ)器）。
2019-06-28 08:29:29
MRAM，即磁阻式隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器的簡(jiǎn)稱，兼?zhèn)銼RAM的高速讀寫性能與閃存存儲(chǔ)器的非易失性。STT-MRAM是通過(guò)自旋電流實(shí)現(xiàn)信息寫入的一種新型MARM，屬于MRAM的二代產(chǎn)品，解決了MRAM寫入信息
2021-12-10 07:06:51
stm32擴(kuò)展鐵電存儲(chǔ)器FM16W08的程序怎么寫？？有參考 的嗎讀寫程序該怎么操作！！
2013-12-26 21:47:03
/寫存儲(chǔ)器，在斷電時(shí)無(wú)需外部電池即可保留數(shù)據(jù)。Everspin不支持/ZZ睡眠功能。/ZZ可能需要上拉。表1概述：MB85R8M2TPBS與MR3A16ACMA35原作者：宇芯電子
2023-04-07 16:26:28
) ： 可自由對(duì)存儲(chǔ)內(nèi)容進(jìn)行讀寫。* ROM (Read Only Memory) ： 只讀存儲(chǔ)器。各種存儲(chǔ)器的特點(diǎn)項(xiàng)目RAMROM易失非易失SRAMDRAMFeRAMMask
2019-04-21 22:57:08
TAS-MRAM概念從磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器到磁性邏輯單元
2021-03-03 06:10:33
閱讀哦。 一、存儲(chǔ)器卡 存儲(chǔ)器卡（Memory Card）是一種用電可擦除的可編程只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）為核心的，能多次重復(fù)使用的IC卡。沒(méi)有任何的加密保護(hù)措施 ，對(duì)于卡片上的數(shù)據(jù)可以任意改寫
2020-12-25 14:50:34
這條指令不會(huì)丟失，這是個(gè)什么地方呢？這個(gè)地方就是單片機(jī)內(nèi)部的只讀存儲(chǔ)器即ROM(READ ONLY MEMORY)。為什么稱它為只讀存儲(chǔ)器呢？剛才我們不是明明把兩個(gè)數(shù)字寫進(jìn)去了嗎？原來(lái)在89C51中
2022-01-26 07:12:18
概述：24LC16B是一款電可擦寫可編程只讀存儲(chǔ)器芯片。
2021-04-08 07:04:40
MIKROE-2768，FRAM 2 CLICK Board帶有CY15B104Q 4 Mbit（512K x 8）串行F-RAM。鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器或F-RAM是非易失性的，并且執(zhí)行類似于SRAM
2020-07-22 10:30:31
如何使用多余的代碼內(nèi)存來(lái)釋放一些Ram。什么是只讀存儲(chǔ)器？微控制器存儲(chǔ)器被分為對(duì)應(yīng)于電氣特性（例如，易失性與非易失性）和結(jié)構(gòu)因素的類別，例如8051在內(nèi)部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器和“外部”數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器之間的區(qū)別（外部...
2021-12-20 06:42:35
富士通FRAM存儲(chǔ)器有哪些特點(diǎn)？富士通FRAM存儲(chǔ)器在智能電表中有什么應(yīng)用？
2021-07-11 06:09:49
我們公司是代理富士通鐵電存儲(chǔ)器FRAM，單片機(jī)和華邦的FLASH。因?yàn)閯傞_(kāi)始接觸到這一塊，只大概了解是用在電表，工業(yè)設(shè)備等產(chǎn)品上。但是曾找了很多這種類型的客戶，都普遍很少用，只是有一些對(duì)產(chǎn)品性能要求
2014-03-13 10:00:54
帶FRAM存儲(chǔ)器MSP430常見(jiàn)問(wèn)題及解答1. 什么是 FRAM？ FRAM 是 ferroelectric random access memory（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）的首字母縮寫，它是非易失性存儲(chǔ)器
2018-08-20 09:11:18
富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司供稿鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器（FRAM） RFID由于存儲(chǔ)容量大、擦寫速度快一直被用作數(shù)據(jù)載體標(biāo)簽。內(nèi)置的串行接口可將傳感器與RFID連接在一起，從而豐富了RFID應(yīng)用。
2019-07-26 07:31:26
（ＲＡＭ）和非易失性存儲(chǔ)器（ＲＯＭ）產(chǎn)品的特性。 ＦＭ１８０８是基于鐵電存儲(chǔ)器原理制造的并行接口２５６ｋｂｉｔ鐵電存儲(chǔ)器，該存儲(chǔ)器相比其它類型的存儲(chǔ)器有三大特點(diǎn)：●幾乎可以像ＲＡＭ那樣無(wú)限次寫入；●可隨
2019-04-28 09:57:17
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 FLASH程序存儲(chǔ)器 FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器各有什么區(qū)別？特點(diǎn)？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器包含三部分，片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴(kuò)展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
proteus 可以仿真鐵電存儲(chǔ)器FM25640嗎？或者直接用哪兒器件可以替代仿真嗎？
2015-07-27 17:24:15
、NAND 閃存、EEPROM（可擦除的可編程只讀存儲(chǔ)器）、FRAM（鐵電存儲(chǔ)器），MRAM（磁性 RAM）和 NVSRAM（非易失性靜態(tài)存儲(chǔ)器）等。每種類型存儲(chǔ)器在不同性能指標(biāo)下具有各自的優(yōu)勢(shì)和劣勢(shì)：存儲(chǔ)器
2019-07-23 06:15:10
磁阻式隨機(jī)存儲(chǔ)器MRAM的基本原理是什么？
2021-06-08 06:33:01
方式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）靜態(tài) RAM（SRAM）動(dòng)態(tài) RAM（DRAM）動(dòng)態(tài) RAM 和靜態(tài) RAM 的比較只讀存儲(chǔ)器（ROM）存儲(chǔ)容量的擴(kuò)展存儲(chǔ)器與 CPU 的連接提高訪存速度的措施存儲(chǔ)器概述
2021-07-26 06:22:47
。RAM中的存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)在掉電是會(huì)丟失，因而只能在開(kāi)機(jī)運(yùn)行時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。其中RAM又可以分為兩種，一種是Dynamic RAM(DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器),另一種是Static RAM(SRAM,靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)。ROMROM又稱只讀存儲(chǔ)器，只能從里面讀出數(shù)據(jù)而不能任意寫入數(shù)據(jù)。ROM與RAM相比
2022-01-26 06:05:59
集成鐵電存儲(chǔ)器的MCU，由于在MCU上集成了鐵電存儲(chǔ)器，該產(chǎn)品數(shù)據(jù)寫入速度比基于閃存和EEPROM的MCU快100倍,功耗降低250倍。它還可在所有的電源模式中提供數(shù)據(jù)保存功能、支持超過(guò)100萬(wàn)億次
2021-11-10 08:28:08
隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）和OUM(Ovshinsky電統(tǒng)一隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)，三者科技內(nèi)涵各有所長(zhǎng),市場(chǎng)預(yù)測(cè)尚難預(yù)料。本篇文章Everspin MRAM代理商宇芯電子要介紹的是關(guān)于非易失性MRAM的單元結(jié)構(gòu)
2020-10-20 14:34:03
存儲(chǔ)器的分類及原理,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,只讀存儲(chǔ)器,其他存儲(chǔ)器和技術(shù).
2008-08-17 22:29:43
20 24AA04/24LC04B（24XX04*）是一種4kbit電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器。該設(shè)備被組織為兩塊256 x 8位存儲(chǔ)器，具有2線串行接口。低電壓設(shè)計(jì)允許工作電壓低至1.7V，待機(jī)電流和有效
2022-11-10 15:35:07
描述AT28C256是一種高性能的電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器。它的256K內(nèi)存由8位的32，768個(gè)字組成。該器件采用Atmel先進(jìn)的非易失性CMOS技術(shù)制造，訪問(wèn)時(shí)間高達(dá)150 ns，功耗僅為440
2023-12-08 15:05:01
AT24C04電可檫編程只讀存儲(chǔ)器
腳號(hào) 電壓（V） 紅筆測(cè)（KΩ） 黑筆測(cè)（KΩ） 引腳功能
1 5 8.5 14 地址線0
2 0 0 0 地址線1
3 0 0 0 地址線2
4 0 0 0 地
5
2008-01-16 23:42:307752 鐵電存儲(chǔ)器FRAM詳解:
鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）產(chǎn)品將ROM的非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)特性和RAM的無(wú)限次讀寫、高速讀寫
2008-01-30 09:13:504172 
數(shù)控只讀存儲(chǔ)器構(gòu)成的二進(jìn)制碼一七段顯示變換器
2009-04-10 10:11:30567 
存儲(chǔ)器卡,存儲(chǔ)器卡是什么意思
存儲(chǔ)器卡(Memory Card)是一種用電可擦除的可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)為核心的，能多次重復(fù)使用的IC卡。沒(méi)
2010-04-01 17:44:073641 電子發(fā)燒友網(wǎng)核心提示： 可編程只讀存儲(chǔ)器PROM是早期的PLD，是一種簡(jiǎn)單PLD。電子發(fā)燒友網(wǎng)小編帶大家一起來(lái)深入了解什么是PROM、PROM的發(fā)明過(guò)程和PROM的分類等知識(shí)。 什么是PROM？ PROM，
2012-10-12 14:33:1710307 FRAM（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）是被稱為FeRAM。這種存儲(chǔ)器采用鐵電質(zhì)膜用作電容器來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。FRAM具有ROM（只讀存儲(chǔ)器）和RAM（隨機(jī)存取器）的特點(diǎn)，在高速讀寫入、高讀寫耐久性、低功耗和防竄改方面具有優(yōu)勢(shì)。
2017-03-28 18:05:301459 作為現(xiàn)代最重要的發(fā)明之一，可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器（EPROM）的問(wèn)世要從一次質(zhì)量控制問(wèn)題說(shuō)起。
2018-08-20 18:26:357183 本視頻主要詳細(xì)介紹了只讀存儲(chǔ)器分幾種，ROM、可編程只讀存儲(chǔ)器、可編程可擦除只讀存儲(chǔ)器、一次編程只讀內(nèi)存、電子可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器以及閃速存儲(chǔ)器。
2018-11-27 17:29:0712376 只讀存儲(chǔ)器（簡(jiǎn)稱ROM）所存數(shù)據(jù)，一般是在裝入整機(jī)前事先寫好的。整機(jī)工作過(guò)程中只能從只讀存儲(chǔ)器中讀出事先存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，而不象隨機(jī)存儲(chǔ)器那樣能快速地、方便地加以改寫。
2020-03-08 10:46:002559 存儲(chǔ)器是數(shù)字系統(tǒng)中用以存儲(chǔ)大量信息的設(shè)備或部件，是計(jì)算機(jī)和數(shù)字設(shè)備中的重要組成部分。存儲(chǔ)器可分為隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（ram）和只讀存儲(chǔ)器（rom）兩大類。要說(shuō)它倆有什么區(qū)別，下面就由英尚微電子為大家解惑
2020-05-10 10:28:222798 只讀存儲(chǔ)器和隨機(jī)存儲(chǔ)器區(qū)別：作用不同、特點(diǎn)不同
2020-07-27 15:09:4316295 的領(lǐng)先趨勢(shì)來(lái)增強(qiáng)動(dòng)力。 什么是STT-MRAM？ 嵌入式存儲(chǔ)器IP選項(xiàng)包括STT-MRAM，相變存儲(chǔ)器（PCM），電阻RAM（ReRAM）和鐵電RAM（FRAM）。每種新興的內(nèi)存技術(shù)都不同，適合特定的應(yīng)用，但STT-MRAM似乎已成為主流。 STT-MRAM是一種電阻存儲(chǔ)技術(shù)，其中材料中電子的磁性自旋變
2020-08-04 17:24:263389 MRAM（磁性RAM）是一種使用電子自旋來(lái)存儲(chǔ)信息的存儲(chǔ)技術(shù)（MRAM設(shè)備是Spintronics設(shè)備）。MRAM具有成為通用存儲(chǔ)器的潛力，能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)存儲(chǔ)器的密度與SRAM的速度結(jié)合在一起，同時(shí)
2020-08-07 17:06:122003 相信有很多人都對(duì)計(jì)算機(jī)里的各種存儲(chǔ)器（ROM、RAM、FLASH 等等）傻傻分不清，就會(huì)存在，內(nèi)存條是 dram 還是 nand？nand flash 和 nor flash 的區(qū)別又是什么？程序
2020-12-17 14:56:3810522 MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有SRAM的高速讀取寫入能力，以及DRAM的高集成度，基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫入。專注于代理銷售MRAM芯片等存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商英尚微電子詳細(xì)介紹關(guān)于MRAM
2020-10-21 14:32:591451 
“永久性存儲(chǔ)器”通常是指駐留在存儲(chǔ)器總線上的高性能，可字節(jié)尋址的非易失性存儲(chǔ)設(shè)備。MRAM（磁性只讀存儲(chǔ)器）和 FRAM（鐵電 RAM）都具有相似的性能優(yōu)勢(shì)：低電壓運(yùn)行，長(zhǎng)壽命和極高的速度。它們
2020-12-14 11:30:0038 只讀存儲(chǔ)器的主要作用是完成對(duì)系統(tǒng)的加電自檢、系統(tǒng)中各功能模塊的初始化、系統(tǒng)的基本輸入／輸出的驅(qū)動(dòng)程序及引導(dǎo)操作系統(tǒng)。
2020-12-03 10:17:1721984 鐵電存儲(chǔ)器（FRAM，ferroelectric RAM）是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，它將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）的快速讀取和寫入訪問(wèn)——它是個(gè)人電腦存儲(chǔ)中最常用的類型——與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力（就像其他穩(wěn)定的存儲(chǔ)設(shè)備一樣，如只讀存儲(chǔ)器和閃存）結(jié)合起來(lái)。
2020-12-03 11:53:166108 對(duì)于存儲(chǔ)器，大家都有所了解，比如我們每天使用的手機(jī)內(nèi)就具備存儲(chǔ)器。為增進(jìn)大家對(duì)存儲(chǔ)器的認(rèn)識(shí)，本文將對(duì)只讀存儲(chǔ)器的種類予以介紹，并對(duì)相變存儲(chǔ)器、存儲(chǔ)器生命周期、技術(shù)進(jìn)行對(duì)比。如果你對(duì)存儲(chǔ)器相關(guān)內(nèi)容具有興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
2020-12-06 10:31:007265 只讀存儲(chǔ)器，大部分只讀存儲(chǔ)器用金屬—氧化物—半導(dǎo)體（MOS）場(chǎng)效應(yīng)管制成，是一種只能讀出事先所存數(shù)據(jù)的固態(tài)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。
2020-12-17 10:49:257964 
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片，按照讀寫功能可分為隨機(jī)讀寫存儲(chǔ)器（RandomAccessMemory，RAM）和只讀存儲(chǔ)器（ReadOnlyMemory，ROM）兩大類。
2020-12-28 10:11:386046 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片中的只讀存儲(chǔ)器（Read Only Memory，ROM），是一種存儲(chǔ)固定信息的存儲(chǔ)器，在正常工作狀態(tài)下只能讀取數(shù)據(jù)，不能即時(shí)修改或重新寫入數(shù)據(jù)。
2020-12-28 15:33:035983 帶電可編程只讀存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)表的可編程禍不單行電壓監(jiān)控器
2021-05-15 09:48:541 “持久性存儲(chǔ)器”通常是指駐留在存儲(chǔ)器總線上的高性能、字節(jié)可尋址、非易失性存儲(chǔ)器設(shè)備。MRAM（磁性只讀存儲(chǔ)器）和FRAM（鐵電RAM）都聲稱具有相似的性能優(yōu)勢(shì)：低電壓操作、長(zhǎng)壽命和非常高的速度。他們
2021-06-17 15:35:451040 根據(jù)組成元件的不同，ROM內(nèi)存可以分類為掩模型只讀存儲(chǔ)器(MASK ROM)、可編程只讀存儲(chǔ)器(PROM)、可擦可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)、電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)、快閃存儲(chǔ)器(Flash Memory)。
2022-01-20 14:09:213984 什么是FRAM？ FRAM（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）是一種非易失性存儲(chǔ)器，它使用鐵電薄膜作為電容器來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。FRAM兼具ROM（只讀存儲(chǔ)器）和RAM（隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）的特性，具有寫入速度更快
2022-03-02 17:18:36766 一些自旋電子存儲(chǔ)器已經(jīng)面世。MRAM（磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器）已經(jīng)商業(yè)化，在某些情況下可以取代電子存儲(chǔ)器，但它是基于鐵磁開(kāi)關(guān)的。
2022-07-22 17:05:141596 MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力，以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
2023-04-19 17:45:462548 存儲(chǔ)器是用來(lái)進(jìn)行數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的（指令也是一種數(shù)據(jù)），按使用類型可分為只讀存儲(chǔ)器ROM(Read Only Memory)和隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器RAM(Random Access Memory)，RAM是其中最為常見(jiàn)的一種形式。
2023-06-27 16:45:30458 
只讀存儲(chǔ)器（ROM）是一種計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)設(shè)備，用于存儲(chǔ)固定數(shù)據(jù)和指令，其特點(diǎn)如下： 數(shù)據(jù)固定性：只讀存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)是在出廠時(shí)被編程固化的，用戶無(wú)法進(jìn)行修改。這意味著ROM中的信息是靜態(tài)的、不可
2024-01-17 14:17:39293 鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料，這種特殊材料使鐵電存儲(chǔ)器同時(shí)擁有隨機(jī)存取記憶體(RAM)和非易失性存儲(chǔ)器的特性，芯片能在常溫、沒(méi)有電場(chǎng)的情況下，數(shù)據(jù)保持此狀態(tài)達(dá)100年以上，鐵電
2023-06-08 09:52:17
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