在同步動態(tài)隨機存取存儲器（SDRAM)的工作模式中，以數(shù)據(jù)讀取速率來分類，有單倍數(shù)據(jù)速率 (Single Data Rate, SDR) SDRAM、雙倍數(shù)據(jù)速率(Double Data Rate, DDR) SDRAM 和四倍數(shù)據(jù)速率 ( Quad Data Rate, QDR)SDRAM，如圖 2-18 所示。?

雙倍數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機存取存儲器 (DDR SDRAM)。習(xí)慣上簡稱為DDR，是在SDRAM 內(nèi)存基礎(chǔ)上發(fā)展而來的一種新的內(nèi)存規(guī)格。對于生產(chǎn)廠商而言，DDR 和 SDRAM 采用相同的生產(chǎn)體系，DDR廠商僅需對?SDRAM的設(shè)備稍加改進即可生產(chǎn)DDR 內(nèi)存，有效地降低了生產(chǎn)成本。SDRAM 從發(fā)展到現(xiàn)在已經(jīng)經(jīng)歷了五代，它們分別是：第一代 SDR（單信數(shù)據(jù)速率）SORAM、 第二代雙倍數(shù)據(jù)速率 DDR SDRAM，即DDR；第三代 DDR2；第四代 DDR3：第五代 DDR4。2017年3月30日，固態(tài)技術(shù)協(xié)會 (Joint Electron Device Engineerine Council，JEDEC) 公布了DDR5 的規(guī)格，它基本上是在 DDR4 的基礎(chǔ)上提高兩倍的數(shù)據(jù)帶寬和陣列密度，同時提高讀取效率，特別是降低了功耗。未來可以期盼見到使用DDR5 的高端電子產(chǎn)品，而這一發(fā)展主要是為了適應(yīng)虛擬現(xiàn)實 ( Virtual?Reality， VR） 等技術(shù)的應(yīng)用。

JEDEC 于?1993 年正式推出第一個SDRAM 的標(biāo)準(zhǔn)后，相繼推出了 DDR(DDR1)、DDR2、DDR3 和DDR4 標(biāo)準(zhǔn)，現(xiàn)在即將推出 DDR5 標(biāo)準(zhǔn)。DDR2 標(biāo)準(zhǔn)是JEDEC 在2004 年制定完成的，提供了相較于 DDR SDRAM 更高的運行性能與更低的電壓，是 DDR SDRAM 的后繼者。DDR3 標(biāo)準(zhǔn)（JESD79-3C）是 JEDEC在2008 年制定完成的，提供相較于 DDR2 SDRAM?更高的運行性能（增加至8倍）與更低的電壓。DDR4 標(biāo)準(zhǔn) （JESD79-4A）是JEDEC 在 2013年制定完成的，2015 年 DDR4 開始進入消費市場，也是現(xiàn)在流行的內(nèi)存產(chǎn)品。各種DDR之間的性能指標(biāo)對比見表 2-2。

目前 DDR 內(nèi)存有兩種形態(tài)，一是早期的168腳的 SDRAM 雙線內(nèi)存模組(168 Pin DIMM)，但從2012 年開始已不再生產(chǎn)，取而代之的是184 腳DDR 內(nèi)存。目前 DDR DIMM、DDR2 DIMM、DDR3 DIMM 和DDR4 DIMM 的設(shè)計都不兼容，不能混用。

　　審核編輯：湯梓紅