鐵電存儲器(FRAM)具有非易失性,讀寫速度快,沒有寫等待時間等優勢,能夠像RAM一樣操作,低功耗,擦寫使用壽命長,芯片的擦寫次數為100萬次,比一般的E2PROM存儲器高10倍。特別適合在為工業記錄儀器、數據采集、可移動數據存儲器等方面的應用。本文主要介紹鐵電存儲器PB85RS2MC在智能配電箱中的應用。
電能記憶原理:電表作為一個計量用電量的儀器,電表的精度不但與檢測芯片的精度有關,而且與其存儲方式有關,如果檢測到的電量數據不能隨機寫入存儲器或寫入存儲器過程出錯,電表的精度就會大大降低。
基于FRAM PB85RS2MC存儲器的特點,本文將對傳統電表的電量存儲方案設計進行改革,由于PB85RS2MC的讀寫次數為100萬次,微處理器(MCU)檢測到一個脈沖就可以寫入FRAM內,由于電量數據是實時寫入FRAM,所以,掉電后數據也不會丟失。由于FRAM不會像普通存儲器那樣有10ms的寫周期,不用擔心電容的容量變小后會對FRAM存儲數據有影響,因為鐵電存儲器內沒有緩沖區,數據是直接寫入FRAM對應的地址中,所以寫入的數據也不會出錯。
國產FRAM PB85RS2MC應用特點:
1、PB85RS2MC通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術形成非易失性存儲單元,該芯片不需要電池就可以保持數據。
2、PB85RS2MC容量2M bit,提供SPI接口,工作頻率25兆赫茲,并支持40MHz高速讀命令。
3、PB85RS2MC工作環境溫度范圍-40℃至85℃,封裝為8引腳SOP封裝,符合RoHS;性能兼容MB85RS2MT(富士通)和FM25V20A(賽普拉斯)。
4、PB85RS2MC最低功耗9微安(待機),工作電壓2.7伏至3.6伏,可以在-40℃-85℃的溫度范圍內工作。
綜上,通過采用PB85RS2MC存儲器的電能數據存儲系統,可以使電能計量系統十分準確,降低了功耗,而且具有結構緊湊,接口線少,控制方式簡單,抗干擾能力強,通信速率較高,擴展靈活等許多優點。隨著FRAM技術的不斷發展,其應用范圍會更加廣泛,并且國芯思辰可提供專業的技術指導 。
審核編輯:湯梓紅
-
存儲器
+關注
關注
38文章
7637瀏覽量
166456 -
fram
+關注
關注
2文章
284瀏覽量
79834 -
鐵電存儲器
+關注
關注
2文章
198瀏覽量
18410 -
配電箱
+關注
關注
6文章
299瀏覽量
19739
原文標題:國產FRAM PB85RS2MC在智能配電箱中的應用,兼容MB85RS2MT
文章出處:【微信號:國芯思辰,微信公眾號:國芯思辰】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。
發布評論請先 登錄
如何掛載RK3568的SPI FRAM鐵電存儲芯片
基于LORA的信息采集系統可選用新型鐵電存儲器(VFRAM)PB85RS128
應用于電力監測儀中的存儲鐵電存儲器PB85RS2MC
2M大容量鐵電存儲器PB85RS2MC性能參數

淺談PB85RS2MC在工業記錄儀器中的應用

拍字節的新型3D鐵電存儲器(VFRAM)PB85RS128C可替代富士通MB85RS128B應用在藍牙網關

鐵電存儲器PB85RS2MC在MCU中的應用

評論