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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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長電科技在功率器件封裝領域積累了數十年的技術經驗,具備全面的功率產品封裝外形,覆蓋IGBT、SiC、GaN等熱門產品的封裝和測試。
今日,ITECH宣布IT7800系列大功率可編程交流電源、IT7900系列回饋式電網模擬器、IT7900P系列高性能回饋式電網模擬器和IT8200 系列...
近日,長城汽車公司旗下的芯動半導體與全球知名的半導體企業意法半導體在深圳簽署了重要的戰略合作協議,旨在穩定SiC芯片的供應,共同應對新能源汽車市場日益增...
快速上車!LRC9440一體式ZR電機帶加熱模塊,助您領跑國內SiC封裝設備市場
國奧科技LRC9440具有精準溫控、靈活均勻壓力,卓越的Z+R運動控制精度等優勢,助您輕松應對SiC銀燒結(預燒結)工藝對設備的高要求。
來源:CISSOID公司 比利時蒙-圣吉貝爾和中國重慶 – 2022年10月17日 –提供基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)的耐高溫、長壽命、高效率...
三菱電機計劃在熊本縣菊池市的現有工廠廠區內投資約1000億日元(折合人民幣約48.56億元)建設新的SiC(碳化硅)晶圓廠。
6.3.4.6 C-Ψs方法∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
6.3.4.6C-Ψs方法6.3.4電學表征技術及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件...
2022-01-10 標簽:SiC 1117 0
總部位于英國蘇格蘭的碳化硅(SiC)晶圓制造公司Clas-SiC,正積極尋求與多家企業合作,在印度建立一座或多座碳化硅功率半導體晶圓廠。這一舉措不僅彰顯...
Cree Wolfspeed攜手泰克,共迎寬禁帶半導體器件發展契機與挑戰
Cree Wolfspeed與泰克共同應對寬禁帶半導體器件的挑戰,共同促進寬禁帶半導體行業的發展。
Vishay微型降壓DC/DC轉換器SiC461ED-T1-GE3
SiC461ED是一個寬輸入電壓、高效率DC/DC轉換器,集成高壓端和低壓端同步降壓調節功率MOSFET。其功率MOSFET能夠以高達2MHz的開關頻率...
來源:羅姆半導體社區? 近年來,全球對電力的需求逐年增長。伴隨著化學燃料的枯竭和CO2排放量增多引發的全球變暖現象,人們對能源問題和地球環境問題的擔憂日...
開關電源設計優質選擇 Vishay威世科技第三代650V SiC二極管
Vishay 新型第三代 650V?SiC 二極管 器件采用 MPS 結構設計 額定電流 4 A~ 40 A 正向壓降、電容電荷和反向漏電流低 Vish...
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