女人自慰AV免费观看内涵网,日韩国产剧情在线观看网址,神马电影网特片网,最新一级电影欧美,在线观看亚洲欧美日韩,黄色视频在线播放免费观看,ABO涨奶期羡澄,第一导航fulione,美女主播操b

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

英國公司Clas-SiC考慮在印度建設(shè)碳化硅工廠

CHANBAEK ? 來源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2024-06-13 09:44 ? 次閱讀

總部位于英國蘇格蘭的碳化硅(SiC)晶圓制造公司Clas-SiC,正積極尋求與多家企業(yè)合作,在印度建立一座或多座碳化硅功率半導(dǎo)體晶圓廠。這一舉措不僅彰顯了Clas-SiC在碳化硅技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位,也反映了該公司對印度市場的深度布局和長期投資信心。

Clas-SiC成立于2017年,作為世界上首批規(guī)模化生產(chǎn)碳化硅的晶圓廠之一,其技術(shù)實(shí)力和市場地位不言而喻。目前,該公司已經(jīng)成功支持150mm晶圓的生產(chǎn),并在業(yè)界享有良好聲譽(yù)。隨著全球半導(dǎo)體市場的蓬勃發(fā)展,特別是在電動汽車、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域?qū)μ蓟韫β拾雽?dǎo)體的需求日益增長,Clas-SiC決定進(jìn)一步擴(kuò)大其產(chǎn)能,以滿足市場需求。

據(jù)悉,Clas-SiC已與印度軟件公司Zoho Corp. Pvt.展開合作,共同向印度政府提交了一份投資約7億美元的生產(chǎn)化合物半導(dǎo)體的提案。其中,Clas-SiC計(jì)劃投資2億美元,用于建設(shè)碳化硅晶圓廠的基礎(chǔ)設(shè)施和生產(chǎn)線。同時,該公司還希望印度國家和當(dāng)?shù)刂菡軌蛱峁╊~外的5億至6億美元資金支持,以推動項(xiàng)目的順利實(shí)施。

這一合作計(jì)劃對于印度半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展具有重要意義。通過引進(jìn)Clas-SiC的先進(jìn)技術(shù)和生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn),印度將能夠加速其半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展步伐,提高本土產(chǎn)業(yè)的競爭力和創(chuàng)新能力。同時,這也將為印度創(chuàng)造更多的就業(yè)機(jī)會和經(jīng)濟(jì)增長點(diǎn),推動印度經(jīng)濟(jì)的持續(xù)發(fā)展。

展望未來,Clas-SiC將繼續(xù)致力于碳化硅技術(shù)的研發(fā)和應(yīng)用,推動全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的進(jìn)步和發(fā)展。同時,該公司也將加強(qiáng)與印度等國家的合作與交流,共同推動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的全球化進(jìn)程。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 晶圓
    +關(guān)注

    關(guān)注

    52

    文章

    5125

    瀏覽量

    129185
  • SiC
    SiC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    31

    文章

    3165

    瀏覽量

    64478
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    25

    文章

    3024

    瀏覽量

    50087
收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場格局重構(gòu)

    SiC碳化硅MOSFET國產(chǎn)化替代浪潮:國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場格局重構(gòu) 1 國產(chǎn)SiC
    的頭像 發(fā)表于 06-07 06:17 ?115次閱讀

    麥科信光隔離探頭碳化硅SiC)MOSFET動態(tài)測試中的應(yīng)用

    碳化硅SiC)MOSFET 是基于寬禁帶半導(dǎo)體材料碳化硅SiC)制造的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,相較于傳統(tǒng)硅(Si)MOSFET,具有更高的擊穿電壓、更低的導(dǎo)通電阻、更快的開關(guān)
    發(fā)表于 04-08 16:00

    SiC碳化硅二極管公司成為國產(chǎn)碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對象

    結(jié)合國產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體市場的競爭格局和技術(shù)發(fā)展趨勢,SiC碳化硅二極管公司已經(jīng)成為國產(chǎn)碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對象,比如2024已經(jīng)有
    的頭像 發(fā)表于 02-28 10:34 ?337次閱讀

    國內(nèi)碳化硅功率器件設(shè)計(jì)公司的倒閉潮是市場集中化的必然結(jié)果

    碳化硅行業(yè)觀察:國內(nèi)碳化硅功率器件設(shè)計(jì)公司加速被行業(yè)淘汰的深度分析 近年來,碳化硅SiC)功率器件市場雖高速增長,但行業(yè)集中度快速提升,2
    的頭像 發(fā)表于 02-24 14:04 ?458次閱讀
    國內(nèi)<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率器件設(shè)計(jì)<b class='flag-5'>公司</b>的倒閉潮是市場集中化的必然結(jié)果

    碳化硅半導(dǎo)體中的作用

    碳化硅SiC半導(dǎo)體中扮演著至關(guān)重要的角色,其獨(dú)特的物理和化學(xué)特性使其成為制作高性能半導(dǎo)體器件的理想材料。以下是碳化硅半導(dǎo)體中的主要作
    的頭像 發(fā)表于 01-23 17:09 ?1085次閱讀

    40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!

    BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN! BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅M
    發(fā)表于 01-22 10:43

    產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊工商業(yè)儲能變流器PCS中的應(yīng)用

    *附件:國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊工商業(yè)儲能變流器PCS中的應(yīng)用.pdf
    發(fā)表于 01-20 14:19

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    具有決定性的影響。因此,深入理解柵極氧化層的特性,并掌握其可靠性測試方法,對于推動碳化硅 MOSFET的應(yīng)用和發(fā)展具有重要意義。今天的“SiC科普小課堂”將聚焦于“柵極氧化層”這一新話題:“什么是柵極
    發(fā)表于 01-04 12:37

    碳化硅SiC光電器件中的使用

    碳化硅的基本特性 碳化硅是一種由碳和硅組成的化合物半導(dǎo)體,具有以下特性: 寬帶隙 :SiC的帶隙寬度約為3.26eV,遠(yuǎn)大于硅(Si)的1.12eV,這使得SiC
    的頭像 發(fā)表于 11-25 18:10 ?1568次閱讀

    碳化硅SiC電動車中的應(yīng)用

    碳化硅SiC電動車中的應(yīng)用主要集中電力電子系統(tǒng)方面,以下是對其電動車中具體應(yīng)用的分析: 一、電動車充電設(shè)備
    的頭像 發(fā)表于 11-25 17:32 ?1354次閱讀

    碳化硅SiC高溫環(huán)境下的表現(xiàn)

    碳化硅SiC高溫環(huán)境下的表現(xiàn)非常出色,這得益于其獨(dú)特的物理和化學(xué)性質(zhì)。以下是對碳化硅高溫環(huán)境下表現(xiàn)的分析: 一、高溫穩(wěn)定性
    的頭像 發(fā)表于 11-25 16:37 ?2123次閱讀

    碳化硅SiC制造工藝詳解 碳化硅SiC與傳統(tǒng)半導(dǎo)體對比

    碳化硅SiC制造工藝詳解 碳化硅SiC)作為一種高性能的半導(dǎo)體材料,其制造工藝涉及多個復(fù)雜步驟,以下是對SiC制造工藝的詳細(xì)介紹: 原材料
    的頭像 發(fā)表于 11-25 16:32 ?4109次閱讀

    碳化硅SiC電子器件中的應(yīng)用

    隨著科技的不斷進(jìn)步,電子器件的性能要求也日益提高。傳統(tǒng)的硅(Si)材料某些應(yīng)用中已經(jīng)接近其物理極限,尤其是高溫、高壓和高頻領(lǐng)域。碳化硅SiC)作為一種寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體材料,
    的頭像 發(fā)表于 11-25 16:30 ?1703次閱讀

    碳化硅SiC材料應(yīng)用 碳化硅SiC的優(yōu)勢與性能

    碳化硅SiC材料應(yīng)用 1. 半導(dǎo)體領(lǐng)域 碳化硅是制造高性能半導(dǎo)體器件的理想材料,尤其是高頻、高溫、高壓和高功率的應(yīng)用中。SiC基半導(dǎo)體器件
    的頭像 發(fā)表于 11-25 16:28 ?1833次閱讀