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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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用于SiC應(yīng)用的低電感可編程柵極驅(qū)動(dòng)器模塊
碳化硅半導(dǎo)體 (SiC) 在工業(yè)產(chǎn)品的效率、更高的外形尺寸和工作溫度方面提供了創(chuàng)新技術(shù)。SiC 技術(shù)現(xiàn)在被廣泛認(rèn)為是硅的可靠替代品。許多功率模塊和功率逆...
2022-08-05 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器可編程SiC 1070 0
上海瞻芯電子科技有限公司(以下簡稱“瞻芯電子”)宣布完成數(shù)億元Pre-B輪融資,本輪融資由上汽集團(tuán)戰(zhàn)略直投基金、尚頎資本(上汽集團(tuán)旗下私募股權(quán)投資平臺)...
2022-12-21 標(biāo)簽:晶圓SiC功率半導(dǎo)體 1070 0
使用碳化硅(SiC)來應(yīng)對空調(diào)和熱泵的高溫挑戰(zhàn)
碳化硅(SiC)憑借前所未有的效率、增強(qiáng)的耐用性和在最惡劣環(huán)境中的卓越性能,正在改變熱泵和空調(diào)行業(yè)。SiC驅(qū)動(dòng)模塊的解決方案可以滿足新的、更嚴(yán)格的能效規(guī)...
2024-07-08 標(biāo)簽:SiC半導(dǎo)體器件冷卻系統(tǒng) 1066 0
5.3.2 載流子壽命“殺手”∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
5.3.2載流子壽命“殺手”5.3.1SiC中的主要深能級缺陷5.3SiC中的點(diǎn)缺陷第5章碳化硅的缺陷及表征技術(shù)《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件...
2022-01-06 標(biāo)簽:SiC 1062 0
7月8日-10日,瞻芯電子將于上海新國際博覽中心參加慕尼黑上海電子展,展示碳化硅(SiC)分立器件和模塊、驅(qū)動(dòng)和控制芯片產(chǎn)品,以及多種參考設(shè)計(jì)方案,歡迎...
SiC 器件取代服務(wù)器、電機(jī)、EV 中的 Si MOSFET 和二極管
SiC 器件取代服務(wù)器、電機(jī)、EV 中的 Si MOSFET 和二極管
前不久,我們分享了安森美(onsemi)2023年度精選汽車方案。在2023年,安森美還發(fā)布了多項(xiàng)全新工業(yè)產(chǎn)品和解決方案,使我們能夠不斷將創(chuàng)新和愿景付諸...
安森美1200V EliteSiC M3e平臺讓平面碳化硅性能拉滿
最近,行業(yè)內(nèi)玩家8英寸碳化硅量產(chǎn)如火如荼的進(jìn)行中,安森美(onsemi)也計(jì)劃于今年晚些時(shí)候?qū)?英寸碳化硅晶圓進(jìn)行認(rèn)證,并于2025年投入生產(chǎn)。而在柵極...
隨著對電動(dòng)汽車(EV)需求的持續(xù)增長,制造商正在比較兩種半導(dǎo)體技術(shù),即碳化硅和硅,用于電力電子應(yīng)用。碳化硅(SiC)具有耐高溫、低功耗、剛性,并支持EV...
2022-11-15 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車SiC碳化硅 1058 0
與競爭對手相比,瑞薩發(fā)現(xiàn)自己落后了。該公司總裁 Hidetoshi Shibata 周五告訴記者,該公司“在傳統(tǒng)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域是后來者,但現(xiàn)在我們的產(chǎn)品...
安森美SiC方案助力800V車型加速發(fā)布 解決補(bǔ)能焦慮
實(shí)際上,近期有越來越多的國內(nèi)外車企開始加速800V電壓架構(gòu)車型的量產(chǎn),多款20-25萬元價(jià)格段的標(biāo)配SiC車型上市。
2024-04-01 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車安森美逆變器 1057 0
6.2.3 濕法腐蝕∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
6.2.3濕法腐蝕6.2刻蝕第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容:6.2.2高溫氣體刻蝕∈《碳化硅技術(shù)基本原理—...
2022-01-04 標(biāo)簽:SiC 1053 0
華潤微電子兩項(xiàng)產(chǎn)品入選中央企業(yè)科技創(chuàng)新成果產(chǎn)品手冊
華潤微“SiC JBS器件及系列化產(chǎn)品”“SiC MOSFET器件及系列化產(chǎn)品”兩項(xiàng)成果入選電子元器件領(lǐng)域科技創(chuàng)新成果
如何更好地驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET器件?
IGBT的驅(qū)動(dòng)電壓一般都是15V,而SiC MOSFET的推薦驅(qū)動(dòng)電壓各品牌并不一致,15V、18V、20V都有廠家在用。更高的門極驅(qū)動(dòng)電壓有助于降低器...
意法半導(dǎo)體在意大利建設(shè)SiC功率器件制造基地
意法半導(dǎo)體近日宣布,計(jì)劃在意大利卡塔尼亞投資建設(shè)一座綜合性大型制造基地,專注于8英寸碳化硅(SiC)功率器件和模塊的制造、封裝及測試。此項(xiàng)目預(yù)計(jì)于202...
2024-06-07 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體功率器件SiC 1051 0
10月26日,晶升股份憑借其在碳化硅領(lǐng)域的創(chuàng)新技術(shù)引起了市場關(guān)注。據(jù)“證券時(shí)報(bào)”報(bào)道,晶升股份已成功研發(fā)出可視化的8英寸電阻法SiC單晶爐,該設(shè)備能將...
三菱電機(jī)與安世宣布將聯(lián)合開發(fā)高效的碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體
2023年11月,日本三菱電機(jī)、安世半導(dǎo)體(Nexperia)宣布,將聯(lián)合開發(fā)高效的碳化硅(SiC)MOSFET分立產(chǎn)品功率半導(dǎo)體。
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