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第二代SiC碳化硅MOSFET關斷損耗Eoff

國芯思辰(深圳)科技有限公司 ? 2024-06-20 09:53 ? 次閱讀

國產第二代SiC碳化硅MOSFET 1200V系列擊穿電壓BV值實測在1700V左右,高于市面主流競品,擊穿電壓BV設計余量可以抵御碳化硅襯底外延材料及晶圓流片制程的擺動,能夠確保大批量制造時的器件可靠性,這是第二代SiC碳化硅MOSFET布袋除塵器關鍵的品質。

第二代SiC碳化硅MOSFET雪崩耐量裕量相對較高,也增強了在電力電子系統應用中的可靠性。同時,SiC碳化硅MOSFET反向傳輸電容Crss在市面主流競品中是比較小的,帶來關斷損耗Eoff也是市面主流產品中非常出色的,優于部分海外競品,特別適用于LLC應用,同規格較小的Crss帶來出色的開關性能。

BTD25350功能框圖.png

Ciss:輸入電容(Ciss=Cgd+Cgs) ?柵極-漏極和柵極-源極電容之和:它影響延遲時間;Ciss越大,延遲時間越長。第二代SiC碳化硅MOSFET 優于主流競品。

Crss:反向傳輸電容(Crss=Cgd) ?柵極-漏極電容:Crss越小,漏極電流上升特性越好,這有利于MOSFET的損耗,在開關過程中對切換時間起決定作用,高速驅動需要低Crss。

Coss:輸出電容(Coss=Cgd+Cds)?柵極-漏極和漏極-源極電容之和:它影響關斷特性和輕載時的損耗。如果Coss較大,關斷dv/dt減小,這有利于噪聲。但輕載時的損耗增加。

國產第二代碳化硅MOSFET器件主要特色:

? 比導通電阻降低40%左右,Qg降低了60%左右,開關損耗降低了約30%

? 降低Coss參數,更適合軟開關

? 降低Crss,及提高Ciss/Crss比值,降低器件在串擾行為下誤導通風險

? 最大工作結溫175℃? HTRB、 HTGB+、 HTGB-可靠性按結溫Tj=175℃通過測試

? 優化柵氧工藝,提高可靠性,高可靠性鈍化工藝,優化終端環設計,降低高溫漏電流

? AEC-Q101

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