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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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隨著云計(jì)算、超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、5G應(yīng)用和大型設(shè)備的不斷發(fā)展，市場(chǎng)對(duì)不間斷電源 (UPS)的需求保持高位，且正在往小型化、高容量化、高效化發(fā)展，設(shè)計(jì)人員面...

2022-07-05 標(biāo)簽：UPS 安森美 SiC 1179 0

SiC 和 GaN：兩種半導(dǎo)體的發(fā)展

在元件層面，硅 IGBT 比 SiC 同類產(chǎn)品便宜得多，并且不會(huì)很快從電力應(yīng)用中消失。但一級(jí)制造商和原始設(shè)備制造商表示，將高功率密度碳化硅應(yīng)用到逆變器設(shè)...

2023-10-08 標(biāo)簽：SiC 氮化鎵 GaN 1177 0

8.1.6 功率JFET器件的實(shí)現(xiàn)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

8.1.6功率JFET器件的實(shí)現(xiàn)8.1結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)第８章單極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：8....

2022-02-21 標(biāo)簽：SiC 1175 0

碳化硅 MOSFET 給電力電子系統(tǒng)帶來哪些創(chuàng)新設(shè)計(jì)

我們常說，一代電力電子器件決定一代系統(tǒng)設(shè)計(jì)。那么，基于寬禁帶半導(dǎo)體材料的SiCMOSFET的出現(xiàn)，將給電力電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)帶來哪些顛覆性的改變？英飛凌零碳工...

2023-11-17 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 1175 0

5.2.3 擴(kuò)展缺陷對(duì)SiC器件性能的影響∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

5.2.3擴(kuò)展缺陷對(duì)SiC器件性能的影響5.2SiC的擴(kuò)展缺陷第５章碳化硅的缺陷及表征技術(shù)《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：5....

2022-01-06 標(biāo)簽：SiC 1174 0

益中封裝擴(kuò)建車規(guī)Si/SiC產(chǎn)線

浙江益中封裝技術(shù)有限公司宣布其一期擴(kuò)建項(xiàng)目正式開工。這一重要項(xiàng)目標(biāo)志著其在車規(guī)級(jí)半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的戰(zhàn)略布局邁出了實(shí)質(zhì)性的一步。

2024-01-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體封裝技術(shù)SiC 1174 0

基于SiC碳化硅的雙向儲(chǔ)能變流器PCS設(shè)計(jì)

隨著雙向儲(chǔ)能變流器(PCS)朝著高電壓、高效率的趨勢(shì)發(fā)展,SiC器件在雙向PCS中開始應(yīng)用。SiC的PCS主電路拓?fù)洳捎每梢杂行Ы档筒⒕W(wǎng)電流諧波的T型三...

2025-01-06 標(biāo)簽：SiC PCS 碳化硅 1172 0

安森美推出一款基于PLECS的具有獨(dú)特功能的領(lǐng)先在線仿真工具

Elite Power仿真工具是安森美(onsemi)推出的一款基于PLECS的具有獨(dú)特功能的領(lǐng)先在線仿真工具，適用于軟/硬開關(guān)應(yīng)用，使工程師在開發(fā)周期...

2024-03-20 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車安森美 IGBT 1172 0

Wolfspeed 8英寸向中國(guó)客戶批量出貨碳化硅MOSFET

當(dāng)前SiC的火熱浪潮主要由逆變器以及電動(dòng)汽車中的車載充電器和DC-DC轉(zhuǎn)換器驅(qū)動(dòng)的汽車市場(chǎng)，到2022年將占功率SiC市場(chǎng)份額的 70%，到2028年這...

2023-09-04 標(biāo)簽：MOSFET 晶圓逆變器 1169 0

芯塔電子與南京博蘭得達(dá)成長(zhǎng)期戰(zhàn)略合作伙伴

近日，安徽芯塔電子科技有限公司董事長(zhǎng)兼總經(jīng)理倪煒江一行到訪南京博蘭得電子科技有限公司，與博蘭得董事長(zhǎng)徐明博士進(jìn)行深入交流。

2023-10-10 標(biāo)簽：MOSFET SiC 直流充電 1169 0

ROHM開發(fā)出業(yè)界先進(jìn)的第4代低導(dǎo)通電阻SiC MOSFET

對(duì)于功率半導(dǎo)體來說，當(dāng)導(dǎo)通電阻降低時(shí)短路耐受時(shí)間※2就會(huì)縮短，兩者之間存在著矛盾權(quán)衡關(guān)系，因此在降低SiC MOSFET的導(dǎo)通電阻時(shí)，如何兼顧短路耐受時(shí)...

2020-06-22 標(biāo)簽：MOSFET SiC Rohm 1169 0

三菱電機(jī)推出兩款新型SBD嵌入式SiC-MOSFET模塊

三菱電機(jī)集團(tuán)近日宣布，從6月10日起開始為包括鐵路和電力系統(tǒng)在內(nèi)的大型工業(yè)設(shè)備提供低電流版本3.3kV/400A和3.3kV/200A肖特基勢(shì)壘二極管（...

2024-06-12 標(biāo)簽：MOSFET 三菱電機(jī)SiC 1168 0

揚(yáng)杰科技亮相2024全球車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體峰會(huì)暨優(yōu)秀供應(yīng)商創(chuàng)新展

聚焦行業(yè)趨勢(shì)，共話產(chǎn)業(yè)未來， 2024年5月30日，為期一天半的2024全球車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體峰會(huì)暨優(yōu)秀供應(yīng)商創(chuàng)新展（簡(jiǎn)稱GAPS）在杭州舉行。

2024-05-31 標(biāo)簽：汽車電子 SiC 功率半導(dǎo)體 1167 0

意法半導(dǎo)體完成對(duì)碳化硅晶圓廠商N(yùn)orstel AB的并購(gòu)

從材料專業(yè)知識(shí)和工藝工程，到SiC MOSFET和二極管設(shè)計(jì)制造，意法半導(dǎo)體加強(qiáng)內(nèi)部SiC生態(tài)系統(tǒng)建設(shè)。

2019-12-03 標(biāo)簽：晶圓意法半導(dǎo)體 SiC 1166 0

發(fā)布4款SiC車型！奧迪、沃爾沃也出狠招

據(jù)悉，RS6 E-tron除了以Avant 旅行車回歸之外，還將以轎車形式重新上市。均將搭載奧迪和保時(shí)捷共同開發(fā)的PPE平臺(tái)，該平臺(tái)的逆變器采用了碳化...

2023-08-11 標(biāo)簽：新能源逆變器 SiC 1165 0

汽車芯片需求：SiC每年110萬片，MCU要到10nm？

Yole 化合物半導(dǎo)體與新興材料技術(shù)與市場(chǎng)分析師 Poshun Chiu評(píng)論道：“SiC 被認(rèn)為是提供良好效率的推動(dòng)因素，1200V 器件的供應(yīng)是可行的...

2022-12-22 標(biāo)簽：微控制器 mcu SiC 1164 0

SiC市場(chǎng)供需之變與未來趨勢(shì)

從行業(yè)趨勢(shì)看，SiC上車是大勢(shì)所趨。盡管特斯拉曾在2023年3月的投資者大會(huì)上表示，將減少75%的SiC用量，一度引發(fā)SiC未來發(fā)展前景不明的猜測(cè)，但后...

2024-01-24 標(biāo)簽：MOSFET 逆變器導(dǎo)通電阻 1160 0

瞻芯電子開發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET通過了車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證

3月8日，瞻芯電子開發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品通過了嚴(yán)格的車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證（AEC-Q101 Qualified）。

2024-03-11 標(biāo)簽：MOSFET 導(dǎo)通電阻 SiC 1160 0

北一半導(dǎo)體完成B+輪1.5億元融資，加快SiC MOSFET技術(shù)研發(fā)

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉：5月8日，北一半導(dǎo)體科技（廣東）有限公司（以下簡(jiǎn)稱“北一半導(dǎo)體”）宣布其成功完成了B+輪融資。本輪融資資金將主要用于SiC MOSFE...

2024-05-10 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體晶圓 1160 0

7.3 pn與pin結(jié)型二極管∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

7.3pn與pin結(jié)型二極管第７章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：7.2肖特基勢(shì)磊二極管（SBD）∈《...

2022-02-10 標(biāo)簽：SiC 1156 0

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快充技術(shù)

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尼吉康

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trinamic

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
無線供電

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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時(shí)代

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艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
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國(guó)際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無線充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬美元。
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手機(jī)快充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來的能源。
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PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
DCDC電源

DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
醫(yī)療電源

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共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來越敏感。
系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷人物”
LT8705

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