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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。

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6.3.5.4 其他方法∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

6.3.5.4其他方法6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改進(jìn)方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表...

2022-01-18 標(biāo)簽：SiC 1155 0

瞻芯電子參與編制SiC MOSFET可靠性和動(dòng)態(tài)開(kāi)關(guān)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)

日前，在第十屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）上，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）發(fā)布了9項(xiàng)碳化硅 (SiC) MOSFET測(cè)試與可靠性標(biāo)準(zhǔn)...

2024-11-29 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體 SiC 1153 0

激光裝備制造商萊普科技啟動(dòng)IPO輔導(dǎo)

近日，成都萊普科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“萊普科技”）在四川證監(jiān)局完成了輔導(dǎo)備案登記，標(biāo)志著該公司正式開(kāi)啟了沖刺資本市場(chǎng)的征程。

2024-03-07 標(biāo)簽：IGBT SiC 晶圓制造 1152 0

三菱電機(jī)發(fā)布新型低電流SiC-MOSFET模塊

三菱電機(jī)集團(tuán)近日宣布推出兩款新型低電流版本的肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）嵌入式SiC-MOSFET模塊，以滿足大型工業(yè)設(shè)備市場(chǎng)對(duì)高性能逆變器日益增長(zhǎng)的需求...

2024-06-12 標(biāo)簽：MOSFET 三菱電機(jī)SiC 1152 0

英飛凌推出全新62mm封裝CoolSiC產(chǎn)品組合，助力實(shí)現(xiàn)更高效率和功率密度

英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布其CoolSiC1200V和2000VMOSFET模塊系列新添全新工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封...

2023-12-02 標(biāo)簽：英飛凌封裝 SiC 1152 0

共同打造碳化硅在新能源汽車的應(yīng)用！

SiC是由碳元素和硅元素組成的一種化合物。這種半導(dǎo)體材料的性能大大優(yōu)于傳統(tǒng)硅材料：禁帶寬度是其3倍，導(dǎo)熱率達(dá)到4到5倍，擊穿電壓是8到10倍，電子飽和漂...

2023-06-28 標(biāo)簽：新能源汽車 SiC 碳化硅 1151 0

6.3.5.3 界面氮化∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

6.3.5.3界面氮化6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改進(jìn)方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表...

2022-01-17 標(biāo)簽：SiC 1150 0

旭化成推出一款兼容SiC和GaN的CZ39系列無(wú)芯電流傳感器

隨著電動(dòng)汽車市場(chǎng)的迅速增長(zhǎng)，對(duì)于更高效、更輕量、更可靠的充電系統(tǒng)的需求也變得愈發(fā)迫切。

2024-03-13 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)SiC 1150 0

泰國(guó)將建首個(gè)SiC工廠，預(yù)計(jì)2027年運(yùn)營(yíng)

泰國(guó)近日宣布將建立首家碳化硅（SiC）晶圓工廠，標(biāo)志著該國(guó)在半導(dǎo)體行業(yè)邁出了重要一步。據(jù)悉，該工廠預(yù)計(jì)將于2027年正式投入運(yùn)營(yíng)，有望為泰國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)...

2024-10-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 1149 0

碳化硅(SiC)功率器件在航空與航天領(lǐng)域的應(yīng)用與技術(shù)前景

隨著飛機(jī)、航天和衛(wèi)星系統(tǒng)對(duì)功率轉(zhuǎn)換需求的快速發(fā)展，技術(shù)趨勢(shì)正朝著更高功率和電壓水平、更小尺寸、更輕重量以及更高效率的轉(zhuǎn)換器方向發(fā)展。寬禁帶(WBG)半導(dǎo)...

2025-01-23 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 1149 0

英飛凌亮相PCIM Asia 2019，以最新產(chǎn)品技術(shù)助力多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)節(jié)能增效

英飛凌以“我們賦能世界”為主題，在展會(huì)上展示了具備更高功率密度、最新芯片技術(shù)和功能更集成的一系列新產(chǎn)品和技術(shù)。

2019-07-03 標(biāo)簽：英飛凌電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT 1147 0

SiC MOSFET的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)——如何平衡性能與可靠性

作者簡(jiǎn)介作者：FriedrichsPeter翻譯：趙佳碳化硅（SiC）的性能潛力是毋庸置疑的，但設(shè)計(jì)者必須掌握一個(gè)關(guān)鍵的挑戰(zhàn)：確定哪種設(shè)計(jì)方法能夠在其應(yīng)...

2023-04-13 標(biāo)簽：MOSFET SiC 1146 0

CISSOID推出適用于航空應(yīng)用的SiC智能功率模塊，以滿足其對(duì)自然冷卻的需求

CISSOID 實(shí)現(xiàn)了功率模塊和柵極驅(qū)動(dòng)器的整體融合設(shè)計(jì)，且可通過(guò)仔細(xì)調(diào)整dv/dt去實(shí)現(xiàn)控制，通過(guò)快速切換所固有的電壓過(guò)沖來(lái)優(yōu)化IPM，從而將開(kāi)關(guān)能量...

2021-04-27 標(biāo)簽：功率轉(zhuǎn)換器晶體管 CISSOID 1143 0

一家全新的碳化硅創(chuàng)新公司

正海集團(tuán)與羅姆已同意組建合資公司，創(chuàng)建新的功率模塊公司。新公司名為“HAIMOSIC”，將于2021年12月在中國(guó)成立，正海集團(tuán)旗下的上海正海半導(dǎo)體科技...

2022-08-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 1142 0

貿(mào)澤電子Empowering Innovation Together系列最新節(jié)目，探討電源管理新技術(shù)

本系列將重點(diǎn)關(guān)注每個(gè)月的行業(yè)技術(shù)熱點(diǎn)，并圍繞當(dāng)今的關(guān)鍵技術(shù)趨勢(shì)及時(shí)推出播客、視頻、博客、文章和信息圖

2021-06-03 標(biāo)簽：電源管理安森美半導(dǎo)體 SiC 1142 0

為第三代寬禁帶制造工藝提供支持，泰克新推S530系列參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)

基于新興GaN和SiC寬禁帶技術(shù)的新型半導(dǎo)體產(chǎn)品，有望實(shí)現(xiàn)更快的開(kāi)關(guān)速度，更寬的溫度范圍，更好的功率效率，以及其他更多增強(qiáng)功能。

2020-10-23 標(biāo)簽：泰克混合信號(hào)測(cè)試系統(tǒng) 1142 0

安富利推出了SiC高功率密度3.3KW雙向功率PFC電源解決方案

在儲(chǔ)能領(lǐng)域，一款高效的電源解決方案不僅能夠提升能源轉(zhuǎn)換效率，還能為電力系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行提供堅(jiān)實(shí)保障。

2024-04-17 標(biāo)簽：MOSFET 安富利 SiC 1142 0

是什么使SiC成為組串式逆變器的完美解決方案

作者簡(jiǎn)介作者：sureshthangavel翻譯：趙佳與硅技術(shù)相比，SiCMOSFET在光伏和儲(chǔ)能應(yīng)用中具有明顯的優(yōu)勢(shì)，它解決了能效與成本的迫切需求，特...

2023-01-17 標(biāo)簽：逆變器 SiC 1136 0

Qorvo發(fā)布1200V碳化硅模塊

全球知名的連接和電源解決方案供應(yīng)商Qorvo近日宣布，推出四款采用E1B封裝的1200V碳化硅（SiC）模塊。這些模塊包括兩款半橋配置和兩款全橋配置，其...

2024-03-06 標(biāo)簽：SiC 碳化硅 Qorvo 1136 0

6.3.1 氧化速率∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

6.3.1氧化速率6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.2.3濕法腐蝕∈《...

2022-01-04 標(biāo)簽：SiC 1136 0

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快充技術(shù)

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尼吉康

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trinamic

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
無(wú)線供電

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無(wú)線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無(wú)需任何物理上的連接，電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無(wú)線供電。
寧德時(shí)代

寧德時(shí)代

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艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過(guò)不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
Qi標(biāo)準(zhǔn)

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國(guó)際無(wú)線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚(yú)臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無(wú)線充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
Pebble

Pebble

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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
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手機(jī)快充

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手機(jī)快充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。
電池系統(tǒng)

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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過(guò)充電和過(guò)放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
A4WP

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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無(wú)線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
智能變電站

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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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太陽(yáng)能充電

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PSR

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浪涌抑制器

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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過(guò)交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
納微半導(dǎo)體

納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開(kāi)發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開(kāi)發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
USB-PD

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PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
醫(yī)療電源

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共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過(guò)440萬(wàn)，用戶規(guī)模超過(guò)2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開(kāi)始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷人物”
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