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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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CXL對(duì)數(shù)據(jù)中心的意義

一刀切的模式是行不通的，這就是為什么您會(huì)看到云提供商擁有數(shù)十種甚至數(shù)百種不同的實(shí)例類型。這些正在嘗試針對(duì)不同的工作負(fù)載優(yōu)化硬件產(chǎn)品。即便如此，許多用戶最...

2022-12-05 標(biāo)簽：芯片 NAND 數(shù)據(jù)中心 1101 0

不斷增長(zhǎng)的存儲(chǔ)需求推動(dòng)更多的NAND進(jìn)入汽車設(shè)計(jì)

為了在利潤(rùn)緊張的汽車市場(chǎng)中將成本保持在最低水平，汽車制造商及其供應(yīng)商也在使用消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)技術(shù)。當(dāng)然，在某些子系統(tǒng)（如ADAS或集群）中，這可能會(huì)導(dǎo)致可靠性...

2022-12-01 標(biāo)簽：智能手機(jī)NAND 591 0

2023年存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)下滑將比去年減少17％

由主要半導(dǎo)體廠商組成的世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織（WSTS）發(fā)布的報(bào)告稱，2023年半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將同比減少4.1％，降至5565億美元，此前曾預(yù)期增長(zhǎng)4....

2022-12-01 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)芯片 SK海力士 737 0

如何以每個(gè)人都能理解的方式解釋閃光

　　閃存控制器將對(duì)閃存上的數(shù)據(jù)執(zhí)行相同的操作，利用磨損均衡（WL）、垃圾收集（GC）、動(dòng)態(tài)數(shù)據(jù)刷新（DDR）和讀取干擾管理（RDM）等功能來(lái)...

2022-11-30 標(biāo)簽：控制器 NAND 781 0

NAND閃存應(yīng)用中的磨損均衡介紹

在NAND閃存的應(yīng)用中，編程/擦除周期存在限制，稱為“P/E周期”。在NAND閃存中，當(dāng)每個(gè)塊的P/E周期達(dá)到最大值時(shí)，這些塊變得不可工作，需要一個(gè)備用...

2022-11-30 標(biāo)簽：芯片 NAND 2842 0

佰維EPS200、C1008斬獲“硬核中國(guó)芯”最佳存儲(chǔ)芯片獎(jiǎng)、“汽車電子創(chuàng)新產(chǎn)品獎(jiǎng)”

近期，佰維EPS200、C1008產(chǎn)品喜報(bào)頻傳。兩款芯片先后在眾多參評(píng)產(chǎn)品中脫穎而出，一舉斬獲硬核中國(guó)芯2022年度最佳存儲(chǔ)芯片獎(jiǎng)、維科杯·OFweek...

2022-11-30 標(biāo)簽：NAND 汽車電子 SSD 760 0

RRAM的研究進(jìn)展 RRAM的四大發(fā)展機(jī)遇

嵌入式閃存微控制器自推出第一批發(fā)動(dòng)機(jī)管理系統(tǒng)以來(lái)，就被用作汽車中的ECU，市場(chǎng)上大多數(shù)MCU系列都基于eFlash技術(shù)，但該技術(shù)一直在努力遷移到28納米...

2022-11-29 標(biāo)簽：NAND RRAM 2847 0

利用3D NAND克服工業(yè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)問題

平面MLC NAND將其兩位數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在一個(gè)存儲(chǔ)單元中。這兩個(gè)位位于兩個(gè)不同的配對(duì)頁(yè)面中，這些頁(yè)面在不同的階段進(jìn)行編程。這意味著，如果在寫入一頁(yè)時(shí)電源出現(xiàn)...

2022-11-28 標(biāo)簽：電源驅(qū)動(dòng)器 NAND 720 0

采用物聯(lián)網(wǎng)兼容外形的存儲(chǔ)卡脫穎而出

3D-NAND閃存技術(shù)，其中閃存單元垂直分層，正在成為存儲(chǔ)卡的最佳解決方案，注定要用于強(qiáng)大和安全的工業(yè)用途。雖然 2D-SLC-NAND（SLC 是最快...

2022-11-25 標(biāo)簽：NAND 物聯(lián)網(wǎng)攝像頭 702 0

3D pSLC NAND彌合了5G基站設(shè)計(jì)人員與DDR5的差距

與4G相比，毫無(wú)疑問，5G的性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過其前身。它提供更高的峰值數(shù)據(jù)速度（高達(dá) 20Gbps）、超低延遲、更高的可靠性、巨大的網(wǎng)絡(luò)容量、更高的可用性和更...

2022-11-25 標(biāo)簽：NAND 5G DDR5 1588 0

輸入電壓如何影響固態(tài)驅(qū)動(dòng)器

在這里，原始誤碼率（RBER）很重要。RBER是糾錯(cuò)碼（ECC）之前的誤碼率，它反映了NAND閃存的初始可靠性。RBER 越高，NAND 閃存的可靠性越低。

2022-11-24 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器 NAND 1030 0

工業(yè)4.0：您需要的存儲(chǔ)類型

　　工業(yè)4.0背后的主要目標(biāo)是將決策過程部分轉(zhuǎn)移到自主的信息物理設(shè)置。通過利用系統(tǒng)內(nèi)外生成的大量數(shù)據(jù)，這些設(shè)置能夠根據(jù)情況需求做出適當(dāng)?shù)倪x擇。工業(yè)4.0...

2022-11-24 標(biāo)簽：NAND 工業(yè)4.0 邊緣計(jì)算 695 0

不要讓存儲(chǔ)成為物聯(lián)網(wǎng)、元宇宙和汽車設(shè)計(jì)事后的想法

　　一個(gè)簡(jiǎn)單的事實(shí)是，現(xiàn)代的、永遠(yuǎn)在線的、完全數(shù)字化的世界依賴于大量的數(shù)據(jù)。嵌入式系統(tǒng)的開發(fā)人員和系統(tǒng)架構(gòu)師需要從產(chǎn)品開發(fā)過程的開始就考慮存儲(chǔ)需求，無(wú)論...

2022-11-18 標(biāo)簽：NAND 物聯(lián)網(wǎng)元宇宙 433 0

MK SD NAND 1.8v IO電壓應(yīng)用分享

近日，有客戶詢問MK的SD NAND產(chǎn)品是否可以支持1.8V?的IO電壓，原因是他們選擇的低功耗藍(lán)牙芯片，如阿波羅 Apollo 3.5或恒玄BES27...

2022-11-18 標(biāo)簽：mcu NAND 電壓 1711 0

以存儲(chǔ)創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)未來(lái)計(jì)算，西部數(shù)據(jù)有哪些實(shí)力？

隨著數(shù)字化轉(zhuǎn)型的深入，數(shù)據(jù)呈現(xiàn)出指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)的態(tài)勢(shì)。調(diào)查數(shù)據(jù)顯示，全球數(shù)據(jù)量未來(lái)5年內(nèi)將超過之前所有數(shù)據(jù)存儲(chǔ)量的兩倍。海量數(shù)據(jù)的誕生和數(shù)據(jù)的全生命周期的增...

2022-11-11 標(biāo)簽：NAND 西部數(shù)據(jù) 969 0

三星第8代V-NAND已開始量產(chǎn)

三星采用 3D 縮放（3D scaling）技術(shù)，減少表面積并降低高度，同時(shí)避免了縮小時(shí)通常會(huì)發(fā)生的單元間的干擾。通過這項(xiàng)技術(shù)，三星顯著的提升每片晶圓的...

2022-11-10 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)密度三星 678 0

三星開始量產(chǎn)第8代V-NAND，存儲(chǔ)密度高達(dá)1Tb

* 三星第8代V-NAND具有目前三星同類產(chǎn)品中最高的存儲(chǔ)密度，可更高效地為企業(yè)擴(kuò)展存儲(chǔ)空間深圳2020年11月8日 /美通社/ --? 作為全球化的...

2022-11-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 NAND 1314 0

CMOS的NOR門和NAND門

PMOS部分，如果A為高，B為高，或者A、B均為高時(shí)，PMOS部分必須處于關(guān)斷的狀態(tài)。而且，如果A和B均為低時(shí)，PMOS部分必須為ON的狀態(tài)。

2022-11-02 標(biāo)簽：CMOS NAND 反相器 8127 0

美光正式出貨全球最先進(jìn)的 1β技術(shù)節(jié)點(diǎn)DRAM

2022 年?11 月?2 日；內(nèi)存與存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU...

2022-11-02 標(biāo)簽：DRAM NAND 存儲(chǔ) 1549 0

存儲(chǔ)器4Q寒氣蔓延第3季NAND晶圓跌價(jià)約達(dá)3成以上

NAND價(jià)格從2022年第1季在缺貨拉抬調(diào)漲報(bào)價(jià)后，市場(chǎng)價(jià)格快速反轉(zhuǎn)走跌，第3季NAND晶圓跌價(jià)約達(dá)3成以上，相當(dāng)于從年初高點(diǎn)下跌約達(dá)50%，由于終端備...

2022-11-01 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)器晶圓 764 0

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來(lái)的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來(lái)解決2D或者平面NAND閃存帶來(lái)的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來(lái)容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。
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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語(yǔ)：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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