與4G相比，毫無疑問，5G的性能遠遠超過其前身。它提供更高的峰值數據速度（高達 20Gbps）、超低延遲、更高的可靠性、巨大的網絡容量、更高的可用性和更統一的用戶體驗。

但隨著5G的好處而來的是某些挫折。例如，研究公司Omdia的下一代基礎設施實踐負責人Daryl Schoolar指出，5G的“更高頻段，如3.5 GHz或mmWave.。..。.不要穿透建筑物以及較低的頻段。

這些高頻無線電波導致的衍射能力差、容易損耗和覆蓋面積減小，這意味著5G小型蜂窩的數量將是4G時代的兩到三倍。事實上，Schoolar預計未來五年5G基站的復合年增長率將達到74.8%。

部署更多的小基站必然意味著需要更多的大容量內存來管理網絡負載增加產生的大量臨時存儲數據以及 5G 應用的實時計算要求，例如車聯網 （V2X） 連接、機器人控制和增強/虛擬現實;以及隨后臨時存儲的數據。

5G網絡數據的小文件大小以及頻繁的寫入要求意味著5G基站內存必須以具有競爭力的價格提供快速的速度和大量的編程/擦除（P / E）周期。憑借其更高的密度，3D NAND閃存正在成為這些部署的首選技術，Silicon Power Computers & Communications，Inc.的Anthony Spence解釋說。

Spence說：“通常情況下，我們有［網絡］客戶希望購買P/E周期在60K范圍內的產品，就像傳統SLC提供的產品一樣。“然而，隨著傳統2D閃存變得稀缺，價格開始上漲，客戶和供應商都在適應這種情況，這就是pSLC 3D NAND閃存的用武之地。

“pSLC能夠以更便宜的成本提供高水平的耐用性，接近SLC的耐用性，”他補充道。

偽單級單元 （pSLC） 閃存是一種多級單元 （MLC） 存儲器衍生產品，在 SLC 和 TLC 解決方案之間提供了中間地帶。該技術更快、更可靠，并提供比傳統MLC或TLC存儲器更高的P / E周期數，Silicon Power的pSLC 3D NAND器件提供30K寫入/擦除周期（超過3D TLC NAND的10倍）。同時，它的成本也比SLC閃存低得多，Silicon Power報價至少節省了86%的成本（圖1）。

圖1.SLC、MLC、TLC 和 pSLC 內存特性的比較。

pSLC，其中“p”代表性能密度

從5G基站設計的角度來看，Spence解釋說，3D pSLC NAND閃存的性能密度提供了能夠在不犧牲面積的情況下增加容量的優勢。

“5G基站比4G前輩有更高的要求，這意味著密度很重要，”他說。“NAND閃存能夠提供更高的存儲容量，因此，例如，如果您希望與16 GB SLC解決方案的60K P / E耐用性相當，則可以使用32GB 30K pSLC。

“ECC-SODIMM或高端SORDIMM DRAM模塊等小尺寸使［網絡工程師］能夠滿足他們的性能需求，而無需犧牲太多空間。

Silicon Power 提供一系列采用 UDIMM、SODIMM、ECC-SODIMM 和其他外形尺寸的高速工業級 DDR4-2666 DRAM 模塊。

為了進一步提高其3D pSLC NAND閃存解決方案的可靠性，Silicon Power提供了廣泛的溫度存儲器變體，以及定制選項，例如部署在制造和其他有毒環境中或附近的基站的抗硫性。

其內存產品還得到該公司的SMART IoT工具箱的支持，該應用程序允許網絡工程師遠程監控存儲設備的運行狀況和狀態。這使他們能夠在組件發生故障之前進行干預并保持網絡正常運行時間。

5G 需要 DDR5 嗎？它可能等不及了。

下一代DDR5規范計劃在今年某個時候由JEDEC發布，但目前仍在進行修訂。新標準有望將帶寬翻倍，同時降低整體功耗，這對5G基站開發人員來說無疑是一個福音。

但即使標準發布臨近，工業界也需要數年時間才能完善技術，以滿足5G基站所需的可靠性、性能和價格范圍。正如Schoolar所指出的那樣，亞太地區預計將占5G市場的64%左右，該地區已經在迅速推動中國制造2025等計劃，將5G定義為“戰略性新興產業”。

那么DDR5是當今5G基站開發人員的答案嗎？目前，答案是“還沒有”。

一個好的選擇似乎是選擇先進的DDR4技術，3D pSLC NAND閃存的正確平衡。

審核編輯：郭婷