智能交通系統 （ITS）、乘客信息系統 （PIS） 和其他車載應用（如視頻監控和數據記錄）有時會產生不穩定的電壓供應。嵌入式 SSD 可能會受到這些不穩定輸入電壓的負面影響。

那么，輸入電壓究竟如何影響SSD的NAND閃存呢？

在這里，原始誤碼率（RBER）很重要。RBER是糾錯碼（ECC）之前的誤碼率，它反映了NAND閃存的初始可靠性。RBER 越高，NAND 閃存的可靠性越低。

為了說明這一點，下面給出了五個示例，每個示例都有0.3V的電壓波動。

圖1.我們的控制圖顯示了NAND閃存的3.3V至3.6V電源，在0.3V偏移范圍內波動。

Figure 2. When set to the standards NAND flash voltage range of 2.7V to 3.0V， the RBER is 10^（-5.850， which is in the normal range.

圖3.當接收3.6V至3.9V輸入時，REBER增加到10^-5.845。

圖4.當電壓增加到3.9V至4.2V時，RBER增加到10^（-5.832）。

圖5.當將電源電壓設置為 4.2V 至 4.5V 時，RBER 繼續增加至 10^ （-5.823）。

如前所述，一般來說，輸入電壓越高，RBER 越高，對 SSD性能的影響越大。

Renice 的 SSD 解決方案采用針對每個 SSD 的可接受電壓范圍量身定制的專用電路進行設計，可確保在極端或惡劣環境中的性能和可靠性。

審核編輯：郭婷