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      標(biāo)簽　>　nand

      nand

      nand

      +關(guān)注16人關(guān)注

      NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

      文章：1542個 瀏覽：138136次 帖子：345個

      nand資訊

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      2020-11-19 標(biāo)簽：芯片閃存NAND 3.9萬 0

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      2018-08-17 標(biāo)簽：DRAMNAND存儲芯片 2.7萬 0

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      美光技術(shù)與產(chǎn)品執(zhí)行副總裁 Scott DeBoer 表示：“美光 232 層 NAND 率先在生產(chǎn)中將 3D NAND堆疊層數(shù)擴展到超過 200 層，可...

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      數(shù)據(jù)顯示2018年內(nèi)存降價無望

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      2018-02-11 標(biāo)簽：nandddr3內(nèi)存 1.9萬 0

      長江存儲成功將Xtacking技術(shù)應(yīng)用于其第二代3D NAND產(chǎn)品的開發(fā)

      談到NAND閃存，或者說以它為代表的SSD產(chǎn)品，多數(shù)人對速度的理解集中在像是SATA 3／PCIe 3．0等外部接口上，但其實閃存芯片也有內(nèi)部接口，LG...

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      解析半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

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      中興事件的爆發(fā)暴露出中國芯片產(chǎn)業(yè)的短板，芯片產(chǎn)業(yè)從來沒有像今天這樣，受到媒體、公眾甚至國家高層如此迫切的重視。

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      美光科技公司在2019年面臨中美貿(mào)易挑戰(zhàn)。隨著華為被列入美國政府的實體名單，芯片制造商不得不暫停向華為發(fā)貨。鑒于需求疲軟和供過于求，美光面臨的另一個挑戰(zhàn)...

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      一文看懂半導(dǎo)體工藝演進(jìn)對DRAM、邏輯器件、NAND的影響

      一文看懂半導(dǎo)體工藝演進(jìn)對DRAM、邏輯器件、NAND的影響

      本文主要圍繞DRAM、邏輯器件和NAND這三大尖端產(chǎn)品來進(jìn)行詳細(xì)介紹。

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      2018-08-30 標(biāo)簽：芯片nandflash 1.3萬 0

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