據(jù)媒體報道指國產(chǎn)存儲芯片企業(yè)長江存儲已開發(fā)出128層的NAND flash存儲芯片，這是當(dāng)前國際存儲芯片企業(yè)正在投產(chǎn)的NAND flash技術(shù)，意味著中國的存儲芯片技術(shù)已達(dá)到國際領(lǐng)先水平。

中國是全球最大的制造國，制造了全球超過七成的手機(jī)，其他PC、平板電腦等電子產(chǎn)品也有很大比例在中國生產(chǎn)，因此中國對芯片的需求極大，據(jù)悉中國采購的芯片占全球芯片市場的份額超過五成，采購的芯片金額甚至超過石油。

存儲芯片正中國進(jìn)口的主要芯片之一，估計(jì)中國采購的存儲芯片占全球存儲芯片的比例超過五分之一。然而在2019年以前，中國幾乎沒有生產(chǎn)存儲芯片，全球的存儲芯片主要由韓國、日本、美國生產(chǎn)，中國對全球存儲芯片的依賴性非常高。

為改變這一局面，中國努力推進(jìn)存儲芯片的研發(fā)和生產(chǎn)，2018年長江存儲生產(chǎn)出第一代NAND flash存儲芯片，2019年合肥長鑫生產(chǎn)出DDR內(nèi)存芯片，中國終于在存儲芯片行業(yè)邁出了第一步。

長江存儲雖然在2018年開始投產(chǎn)NAND flash存儲芯片，然而其時它生產(chǎn)的NAND flash存儲芯片僅是32層，而當(dāng)時全球主流的NAND flash存儲芯片技術(shù)為64層，長江存儲也認(rèn)識到自己在技術(shù)上的落后，因此32層NAND flash存儲芯片并沒有大規(guī)模生產(chǎn)，而僅為錘煉生產(chǎn)技術(shù)，并提升研發(fā)人員的技術(shù)水平。

2019年長江存儲研發(fā)出64層NAND flash存儲芯片，追上了全球NAND flash存儲芯片的主流技術(shù)水平，它開始大規(guī)模投產(chǎn)NAND flash存儲芯片。此時中國才真正實(shí)現(xiàn)了部分NAND flash存儲芯片的自給，不過其時由于長江存儲才開始規(guī)模化生產(chǎn)，國內(nèi)市場的NAND flash存儲芯片還是主要由國外供應(yīng)。

目前長江存儲研發(fā)出128層NAND flash，預(yù)計(jì)該項(xiàng)技術(shù)的NAND flash存儲芯片將很快投入量產(chǎn)，而目前海外存儲芯片也正在推進(jìn)128層NAND flash存儲芯片的量產(chǎn)，這意味著中國的NAND flash存儲芯片在技術(shù)上已接近國際領(lǐng)先水平。

推動長江存儲快速提升NAND flash存儲芯片技術(shù)離不開國內(nèi)企業(yè)的支持，其中就包括華為。2019年華為被美國列入實(shí)體清單，美國存儲芯片企業(yè)美光與華為的合作受阻，華為迅速與長江存儲合作研發(fā)NAND flash存儲芯片，早在數(shù)年前華為就已研發(fā)SSD控制芯片，在存儲芯片技術(shù)上有一定積累，而且它是全球第二大手機(jī)企業(yè)、前五大服務(wù)器廠商，對NAND flash存儲芯片有很大的需求，華為的支持也加快了長江存儲研發(fā)更先進(jìn)的NAND flash存儲芯片技術(shù)的腳步。

中國自改革開放以來主要是依靠來料加工的方式發(fā)展經(jīng)濟(jì)，直到2007年之前加工貿(mào)易占中國貿(mào)易的比例還超過五成，自那之后加工貿(mào)易占中國貿(mào)易的比例逐漸下降至近年的三成左右，機(jī)電、通信等高技術(shù)產(chǎn)品占中國出口的比例逐漸提升，凸顯出中國制造正逐漸往高端制造業(yè)爬升。

中國在NAND flash存儲芯片技術(shù)上僅僅數(shù)年時間就接近國際先進(jìn)水平，對于中國制造業(yè)來說無疑是非常重大的技術(shù)進(jìn)展，代表著中國制造在數(shù)十年的努力下終于形成高度完善的產(chǎn)業(yè)鏈，擁有了深厚的技術(shù)積累，厚積薄發(fā)，迅速突破，代表著中國制造向中國創(chuàng)造轉(zhuǎn)變再上層樓。