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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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國產(chǎn)存儲(chǔ)芯片發(fā)威！內(nèi)存條價(jià)格殺瘋了！果鏈驚現(xiàn)國產(chǎn)3D NAND！

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）根據(jù) IC Insights 統(tǒng)計(jì)，2020年全球存儲(chǔ)芯片市場規(guī)模達(dá) 1,267 億美元，其中DRAM和NAND Flas...

2022-04-17 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)存儲(chǔ)芯片 5764 0

蘋果AR設(shè)備或?qū)⒁揽縤Phone處理器；三星發(fā)布首款2億像素圖像傳感器

傳鎧俠考慮11月IPO，與西數(shù)并購可能性不大據(jù)外媒最新報(bào)告，鎧俠正在安排于11月進(jìn)行首次公開發(fā)行（IPO），而就在上周，市場傳出西部數(shù)據(jù)正在同鎧俠案進(jìn)...

2021-09-06 標(biāo)簽：arm NAND iPhone 5742 0

2019年和2020年的數(shù)量Bit Volumes現(xiàn)在將同比增長39％和38％

供需是影響客戶為其閃存存儲(chǔ)所支付的價(jià)格的兩個(gè)因素，需求增加推動(dòng)價(jià)格上漲，促使供應(yīng)商增加產(chǎn)量。如果高估需求，這可能會(huì)導(dǎo)致價(jià)格過剩和價(jià)格下跌。

2019-03-20 標(biāo)簽：閃存 NAND 固態(tài)硬盤 5741 0

日韓爭議可能會(huì)破壞DRAM，NAND和顯示器供應(yīng)

韓國公司生產(chǎn)全球70％的DRAM，大約一半的3D NAND，以及全球市場重要的OLED和LCD顯示器。同時(shí)，日本供應(yīng)商掌控了前者大部關(guān)鍵元件的基本材料。...

2019-07-09 標(biāo)簽：DRAM NAND OLED 5730 0

美光科技的新加坡Fab 10A廠完成擴(kuò)建，臺中廠擴(kuò)建可在年底落成

存儲(chǔ)器大廠美光科技（Micron）近日宣布完成新加坡NAND Flash廠Fab 10A擴(kuò)建。美光執(zhí)行長Sanjay Mehrotra表示，新廠區(qū)將視市...

2019-08-19 標(biāo)簽：nand 存儲(chǔ)器自動(dòng)駕駛 5721 0

NAND Flash的寫入速度和擦除速度分別是多少

NAND Flash的寫入速度和擦除速度會(huì)受到多種因素的影響，包括Flash芯片的具體型號、制造工藝、以及操作環(huán)境等。因此，無法給出確切的數(shù)值。

2024-02-19 標(biāo)簽：NAND Flash存儲(chǔ)器 Nand flash 5701 0

DRAM和NAND預(yù)計(jì)2020年占所有IC銷售額三分之一，NAND閃存同比大增27%

IC Insights的最近發(fā)布最新報(bào)告，預(yù)測33個(gè)大IC產(chǎn)品類別銷售額和單位出貨量。33種IC產(chǎn)品類別是世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)（WSTS）組織定義的類別。...

2020-08-05 標(biāo)簽：DRAM NAND 5700 0

搭載長江存儲(chǔ)3D NAND閃存的SSD產(chǎn)品性能達(dá)到國際領(lǐng)先水平

根據(jù)國科微官方的消息，國科微搭載長江存儲(chǔ)3D NAND閃存的固態(tài)硬盤產(chǎn)品已完成批量測試。

2020-01-17 標(biāo)簽：nand ssd 長江存儲(chǔ) 5670 0

倪黃忠：時(shí)創(chuàng)意嵌入式存儲(chǔ)高增長的“獨(dú)門秘籍”

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）“2020年時(shí)創(chuàng)意電子的銷售額達(dá)到18億元，今年目標(biāo)是25億元。其中，智能終端存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)自去年下半年以來快速增長，目前營...

2021-09-26 標(biāo)簽：DRAM NAND 時(shí)創(chuàng)意 5641 0

“從芯到云”，紫光集團(tuán)正意圖在存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)構(gòu)建一個(gè)千億美元帝國

半導(dǎo)體行業(yè)觀察：“從芯到云”，趙偉國治下的紫光集團(tuán)正意圖在存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)構(gòu)建一個(gè)千億美元帝國。

2018-02-05 標(biāo)簽：dram nand 存儲(chǔ) 5624 0

DRAM制程產(chǎn)能滯后技術(shù)是很大問題

DRAM制程推進(jìn)已很緩慢，目前的制程是1y，有EUV的助力，也許可以推進(jìn)到1z，但是1a呢？很多人持疑。即使可以，也是投資甚鉅、所得甚微的最后努力。對于...

2018-10-14 標(biāo)簽：DRAM NAND 三星電子 5620 0

長江存儲(chǔ)或?qū)?021年存儲(chǔ)芯片產(chǎn)量提高一倍

據(jù)媒體報(bào)道，長江存儲(chǔ)計(jì)劃今年把產(chǎn)量提高一倍，計(jì)劃到下半年將每月的存儲(chǔ)芯片產(chǎn)量提高到10萬片晶圓，并準(zhǔn)備試產(chǎn)192層NAND快閃記憶體晶片，最快將于202...

2021-01-12 標(biāo)簽：芯片控制器 NAND 5612 0

日材料禁運(yùn)對SAMSUNG和SK海力士影響甚微而NAND卻上漲了10%

日韓事件持續(xù)發(fā)酵，其中對向韓國出口幾種化學(xué)材料的監(jiān)管被各大媒體報(bào)道。韓國三星電子（SAMSUNG）和SK海力士受影響程度被嚴(yán)重放大，儼然被看成是下一個(gè)“...

2019-07-18 標(biāo)簽：NAND 三星電子 SK海力士 5609 2

在春節(jié)長假期，國人歡慶佳節(jié)的時(shí)候，長江存儲(chǔ)的工廠依然在加緊建設(shè)，以確保今年三季度投產(chǎn)NAND flash，隨著長江存儲(chǔ)投產(chǎn)，中國可望打破當(dāng)前三星在NA...

2018-07-02 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)長江 5580 0

預(yù)期提前，鎧俠再次加速，3D NAND準(zhǔn)備沖擊1000層

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃山明）近日，鎧俠再次宣布，將在2027年實(shí)現(xiàn)3D NAND的1000層堆疊，而此前鎧俠計(jì)劃是在2031年批量生產(chǎn)超1000層的3...

2024-06-29 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)器 3d nand 5543 0

回顧長江存儲(chǔ)3D NAND技術(shù)的發(fā)展進(jìn)程

日前，有媒體報(bào)道稱，消息人士透露，長江存儲(chǔ)計(jì)劃到2021年下半年將存儲(chǔ)芯片的月產(chǎn)量提高一倍至10萬片晶圓，并準(zhǔn)備最早將于2021年年中試產(chǎn)第一批192層...

2021-01-13 標(biāo)簽：閃存控制器 NAND 5531 0

紫光實(shí)現(xiàn)大容量企業(yè)級3D NAND芯片封測的規(guī)模量產(chǎn) 讓國產(chǎn)存儲(chǔ)更進(jìn)一步

昨日，紫光集團(tuán)旗下紫光宏茂微電子（上海）有限公司發(fā)布信息，宣布公司成功實(shí)現(xiàn)大容量企業(yè)級3D NAND芯片封測的規(guī)模量產(chǎn)。他們表示，這次公告標(biāo)志著內(nèi)資封測...

2019-02-04 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)紫光 5504 0

全球2Q19 DRAM市場下跌9％ NAND閃存持平

DRAMeXchange數(shù)據(jù)顯示，第二季度全球DRAM存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值連續(xù)下降9％，而NAND閃存業(yè)則持平。 DRAMeXchange表示，第二季度DR...

2019-08-21 標(biāo)簽：DRAM NAND 存儲(chǔ)器 5499 0

2018年底開始向市場供應(yīng)尖端產(chǎn)品三維NAND型閃存芯片

那么前景如何呢？英國調(diào)查公司IHS Markit首席分析師南川明表示“2020年以后的NAND供需取決于長江存儲(chǔ)科技”。如果將該公司的計(jì)劃全部計(jì)算進(jìn)去，...

2018-04-25 標(biāo)簽：NAND 閃存芯片 5496 0

Omdia：2020年全球半導(dǎo)體銷售達(dá)4733億美元英特爾三星海力士位列前三甲

Omdia在2020年四季度發(fā)布的《Semiconductor Competitive Landscape Tool (CLT)》中報(bào)告稱，2020年半...

2021-03-31 標(biāo)簽：芯片高通英特爾 5467 0

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云儲(chǔ)存

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
富士通

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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。
江波龍

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非易失性存儲(chǔ)器

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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲(chǔ)品牌。
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長鑫存儲(chǔ)

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