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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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IGBT的工作原理/性能優(yōu)勢/應(yīng)用領(lǐng)域/技術(shù)趨勢/測試與選型要點——你知道多少?
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,融合了 MOSFET 的高輸入阻抗和 BJT(雙極型晶體管)的低導(dǎo)通壓降優(yōu)勢,在...
新品 | 采用高性能DCB的Easy B系列CoolSiC? 2kV SiC MOSFET模塊
新品采用高性能DCB的EasyB系列CoolSiC2kVSiCMOSFET模塊英飛凌EasyDUAL和EasyPACK2B2kV、6mΩ半橋和三電平模塊...
數(shù)明半導(dǎo)體推出全新600V/4A半橋門極驅(qū)動SiLM228x系列
在工業(yè)電機控制、新能源逆變以及開關(guān)電源等高壓高功率應(yīng)用中,傳統(tǒng)門極驅(qū)動方案長期面臨三大技術(shù)瓶頸:在高壓環(huán)境下,抗干擾能力薄弱易引發(fā)誤觸發(fā);驅(qū)動效率低下導(dǎo)...
2025-05-30 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源IGBT 355 0
安森美PowerTrench MOSFET助力光伏逆變器設(shè)計
隨著全球?qū)稍偕茉葱枨蟮目焖僭鲩L,光伏系統(tǒng)的效率與可靠性成為行業(yè)關(guān)注的焦點。安森美(onsemi)提供多種MOSFET方案,助力光伏逆變器廠商實現(xiàn)更高...
破局時刻:大陸首款55A/-200V/50mΩ高壓MOSFET問世-VBP2205N
大陸首款55A/-200V/50mΩ高壓MOSFET問世——國產(chǎn)功率半導(dǎo)體的200V高壓革命為國產(chǎn)替代進程注入了強勁動力! 微碧半導(dǎo)體(VBsemi)正...
2025-05-29 標(biāo)簽:MOSFET 141 0
新品 | 采用頂部散熱 Q-DPAK封裝的 CoolSiC? 1200V G2 SiC MOSFET
新品采用頂部散熱Q-DPAK封裝的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET英飛凌采用頂部散熱Q-DPAK封裝的CoolSiC1200VSiCMOS...
合科泰為您講解如何基于MOSFET的工作電壓與電流特性進行選型,確認最大工作電壓、耐久等級、評估瞬態(tài)電壓風(fēng)險;計算負載電流、選定額定電流與散熱設(shè)計、關(guān)注...
新品 | 采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC? 1200V G2 SiC MOSFET半橋產(chǎn)品
新品采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET半橋產(chǎn)品英飛凌采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC1200VG2SiCMOS...
近日,某全球知名基礎(chǔ)設(shè)施解決方案服務(wù)商專家團隊一行蒞臨我司參觀交流。此次到訪聚焦于關(guān)鍵電源保障、智能制造等方向,雙方圍繞行業(yè)發(fā)展趨勢、產(chǎn)品應(yīng)用落地及合作...
Nexperia MLPAK33封裝60V MOSFET助力優(yōu)化電源開關(guān)性能
在挑選MOSFET時,大多數(shù)工程師首先關(guān)注的一個參數(shù)便是RDS(on)值。然而,面對消費電子、計算、移動設(shè)備乃至工業(yè)子系統(tǒng)的大批量需求,設(shè)計工程師對產(chǎn)品...
2025-05-23 標(biāo)簽:MOSFET電源開關(guān)Nexperia 165 0
隨著SiC材料特性的深入發(fā)掘和技術(shù)的不斷成熟,SiC MOSFET模塊在光伏逆變器、工業(yè)變頻器、軌道交通牽引變流器等工業(yè)應(yīng)用中展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢,不僅大幅提...
在服務(wù)器電源、工業(yè)驅(qū)動及新能源領(lǐng)域,MOSFET的性能直接決定系統(tǒng)的能效與可靠性。為滿足高密度、高效率需求,MDD辰達半導(dǎo)體推出全新SGT系列MOSFE...
一款功率輸出模塊由N型功率MOSFET組成H橋電路驅(qū)動芯片-SS6952T
電機驅(qū)動芯片 - SS6952T為電機一體化應(yīng)用提供一種大電流單通道集成電機驅(qū)動方案。SS6952T有一路H橋驅(qū)動,可提供較大峰值電流7A,可驅(qū)動一個刷...
2025-05-21 標(biāo)簽:MOSFET電機驅(qū)動芯片 102 0
芯長征SiC功率模塊榮獲2025金芯獎新銳產(chǎn)品獎
此前,2025年5月14日至15日,第十二屆汽車電子創(chuàng)新大會(AEIF 2025)在上海盛大舉行,這場盛會聚焦汽車電子產(chǎn)業(yè)的前沿技術(shù)與發(fā)展趨勢,匯聚了眾...
為何必須通過TDDB(時間相關(guān)介質(zhì)擊穿)方法檢驗國產(chǎn)SiC MOSFET的柵氧可靠性水平
在充電樁、車載充電機(OBC)、汽車空調(diào)、光伏逆變器及逆變焊機等應(yīng)用中,部分國產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET因柵氧可靠性問題頻繁爆雷,其根源在于柵氧化層...
老舊MPPT設(shè)計中+15V驅(qū)動下的部分國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET柵氧爆雷隱患
以下是對部分國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET因一味滿足老舊光伏逆變器MPPT設(shè)計中+15V驅(qū)動電壓需求而引發(fā)柵氧可靠性隱患的深度分析。
基本半導(dǎo)體亮相2025上海國際充換電與光儲充展覽會
此前,5月14-16日,2025第四屆上海國際充換電與光儲充展覽會(簡稱:CPSE上海充換電展)在上海汽車會展中心盛大開幕。基本半導(dǎo)體攜全系列碳化硅功率...
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