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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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MOS場效應(yīng)晶體管(簡稱MOS管)是一種新型的半導(dǎo)體器件,圖1是N溝導(dǎo)MOS管芯結(jié)構(gòu)原理圖,即在P型硅基片上有兩個 N+擴(kuò)散區(qū),其中一個稱源,用S表示,...
金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 是一種場效應(yīng)晶體管 (FET) 電子器件。它可以充當(dāng)壓控電流源,并主要用作開關(guān)或用于放大電信號。MOSF...
光伏儲能系統(tǒng)中使用的芯片種類多樣,它們在系統(tǒng)的不同部分發(fā)揮著關(guān)鍵作用。
2024-04-22 標(biāo)簽:MOSFETIGBT場效應(yīng)晶體管 2183 0
電流檢測電阻與開關(guān)穩(wěn)壓器架構(gòu)的放置決定了要檢測的電流。檢測的電流包括峰值電感電流、谷值電感電流(連續(xù)導(dǎo)通模式下電感電流的最小值)和平均輸出電流。檢測電阻...
淺析正負(fù)端5V2.4A同步整流ic U7711特點(diǎn)
近期ChatGPT持續(xù)更新?lián)Q代,其背后也帶動算力需求提升,從而帶動AI服務(wù)器需求量上漲,而AI服務(wù)器核心依托高性能芯片,因此芯片板塊近期連續(xù)6個工作日收漲。
搭載了SiC-MOSFET/SiC-SBD的全SiC功率模塊介紹
ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比,“全SiC...
MOSFET的失效機(jī)理:什么是SOA(Safety Operation Area)失效
MOSFET的失效機(jī)理本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?SOA是“Safety Operation Area”的縮寫,意為“安全工作區(qū)”。?需要在SOA范圍內(nèi)使用MOSF...
TMC6140 MOSFET柵極驅(qū)動器概述、性能及優(yōu)勢
高度集成的TMC6140-LA有效簡化高性能BLDC/PMSM驅(qū)動系統(tǒng)設(shè)計,效率提升30%。
2022-03-04 標(biāo)簽:微控制器MOSFET驅(qū)動系統(tǒng) 2156 0
如何通過提升開關(guān)電源的EMI特性來改善整個電路的EMI性能
開關(guān)電源的功率MOSFET安裝在印制電路板上,由于印制電路板上MOSFET走線和環(huán)路存在雜散電容和寄生電感,開關(guān)頻率越高,這些雜散電容和寄生電感更加不能夠忽略。
2019-11-15 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源emi 2154 0
為MAX14922選擇合適的N溝道MOSFET用于高邊工業(yè)輸出應(yīng)用
本應(yīng)用筆記解釋了如何在高邊工業(yè)負(fù)載開關(guān)應(yīng)用中選擇與MAX14922配合使用的合適的外部n溝道MOSFET。
從底層重新認(rèn)識D觸發(fā)器、建立時間和保持時間
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)或 IGFET(絕緣柵場效應(yīng)晶體管)是一種場效應(yīng)晶體管,它在柵極和主體之間利用絕緣體(如 SiO2)。如今,...
2023-12-04 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)晶體管D觸發(fā)器 2147 0
碳化硅(SiC),又名碳化硅,是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導(dǎo)通電阻。
2023-12-12 標(biāo)簽:MOSFET電源轉(zhuǎn)換器肖特基二極管 2146 0
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