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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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SGT MOSFET,即屏蔽柵溝槽MOSFET,是一種先進(jìn)的功率半導(dǎo)體器件。這種技術(shù)改變了MOSFET內(nèi)部電場(chǎng)的形態(tài),將傳統(tǒng)的三角形電場(chǎng)進(jìn)一步的變更為類...
基于功率MOSFET的鋰電池保護(hù)電路設(shè)計(jì)
鉛酸電池具有安全、便宜、易維護(hù)的特點(diǎn),因此目前仍然廣泛的應(yīng)用于電動(dòng)自行車。但是鉛酸電池污染大、笨重、循環(huán)次數(shù)少,隨著世界各國(guó)對(duì)環(huán)保要求越來(lái)越高,鉛酸電池...
STripFET F8 MOSFET在汽車配電系統(tǒng)的作用
汽車電動(dòng)化和數(shù)字化的大趨勢(shì)包括區(qū)域控制架構(gòu)、功率芯片驅(qū)動(dòng)數(shù)字化、電池管理系統(tǒng)、功率電子和電源/能源管理。
2023-02-06 標(biāo)簽:MOSFET電源管理電池管理系統(tǒng) 2055 0
第三代半導(dǎo)體功率器件在汽車行業(yè)的應(yīng)用
碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性,它突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制,成為第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅材料性能優(yōu)勢(shì)引領(lǐng)功率器件新變革。
場(chǎng)效應(yīng)晶體管的類型及特點(diǎn)
場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種常用的半導(dǎo)體器件,用于控制電流的流動(dòng)。
2024-02-22 標(biāo)簽:MOSFETJFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2049 0
SiC MOSFET電動(dòng)汽車牽引逆變器設(shè)計(jì)
工程師面臨著對(duì)現(xiàn)代電動(dòng)汽車 (EV) 性能和里程的權(quán)衡。更快的加速和更高的巡航速度需要更頻繁、更耗時(shí)的充電站。另外,更長(zhǎng)里程要求造成了各項(xiàng)進(jìn)展的不確定性...
2022-07-07 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET牽引逆變器 2048 0
SemiQ推出一系列采用SOT-227封裝的1,200V MOSFET
為了擴(kuò)大QSiC SiC模塊的選擇范圍,SemiQ推出了一系列采用SOT-227封裝的1,200V MOSFET,可與或不與1,200V SiC肖特基二...
BSIM5模型從基本的一維MOSFET物理學(xué)出發(fā),推導(dǎo)出基本的電荷和通道電流方程,然后將其擴(kuò)展到準(zhǔn)二維和三維情況,包括短通道、窄通道、多晶硅耗盡和量子力學(xué)效應(yīng)。
DC/DC轉(zhuǎn)換器電路中MOSFET的選擇指南(上)
本系列文章以轉(zhuǎn)換器 IC 評(píng)估板的參考電路為主題,說(shuō)明選擇各種分立元件時(shí)的重要特性。在講解過(guò)程中,通過(guò)使用 LTspice 改變?cè)骷蛟骷旧淼某?shù)...
2025-01-10 標(biāo)簽:二極管轉(zhuǎn)換器MOSFET 2038 0
穿通擊穿的擊穿點(diǎn)軟,擊穿過(guò)程中,電流有逐步增大的特征,這是因?yàn)楹谋M層擴(kuò)展較寬,產(chǎn)生電流較大。另一方面,耗盡層展寬大容易發(fā)生DIBL效應(yīng),使源襯底結(jié)正偏出...
安森美創(chuàng)新的ATPAK封裝汽車功率MOSFET
安森美半導(dǎo)體創(chuàng)新的ATPAK封裝不僅可使功率MOSFET外形更纖薄,其采用的夾焊技術(shù)更可實(shí)現(xiàn)達(dá)100 A的電流處理能力,極佳的散熱性確保安全性和更高可靠...
2016-08-08 標(biāo)簽:MOSFET安森美半導(dǎo)體 2033 0
DC-DC變換器,即直流-直流變換器,是一種在直流電路中將一個(gè)電壓值的電能轉(zhuǎn)換為另一個(gè)電壓值的電能的裝置。它廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中,特別是在需要不同電...
半導(dǎo)體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件,那么你對(duì)半導(dǎo)體有多少了解呢?今天我們就從最基礎(chǔ)的半導(dǎo)體功率器件入手,全面了解半導(dǎo)體的“前世今生”。
LED 照明的設(shè)計(jì)人員已經(jīng)很快熟悉了各類適用的安全標(biāo)準(zhǔn),如針對(duì)美國(guó)通用 LED 燈的 IEC 62560、針對(duì) LED 陣列和模塊的 IEC 62031...
2022-12-14 標(biāo)簽:ledMOSFET欠壓保護(hù)電路 2028 0
電機(jī)的典型驅(qū)動(dòng)方法包括電壓驅(qū)動(dòng)、電流驅(qū)動(dòng)以及PWM驅(qū)動(dòng)。本文將介紹采用PWM驅(qū)動(dòng)方式的恒流工作。首先介紹的是什么是PWM驅(qū)動(dòng)的電機(jī)恒流工作,其次是PWM...
2023-02-24 標(biāo)簽:MOSFETPWM驅(qū)動(dòng)電機(jī) 2028 0
DMX1015E在Type-C PD充電器的應(yīng)用原理
DMZ(X)1015E是具有超高閾值電壓的耗盡型MOSFET( ARK(方舟微)特有的超高閾值“UItraVt ^??^ ”專利技術(shù) ),利用該器件的亞...
電機(jī)控制器中的功率MOS驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)
通用MCU或DSP的IO電壓通常是5V3.3V,IO的電流輸出能力在20MA以下,不足以直接驅(qū)動(dòng)功率MOSFET。所以使用通用MCU或DSP來(lái)設(shè)計(jì)電機(jī)驅(qū)...
2023-07-25 標(biāo)簽:mcuMOSFET驅(qū)動(dòng)器 2021 0
Littelfuse N溝道和P溝道功率MOSFET的比較分析
Littelfuse P溝道功率MOSFETs,雖不及廣泛使用的N溝道MOSFETs出名,在傳統(tǒng)的應(yīng)用范圍也較有限,然而,隨著低壓(LV)應(yīng)用需求的增加...
在電子工程領(lǐng)域,場(chǎng)效應(yīng)管(Field Effect Transistor,簡(jiǎn)稱FET)作為一種重要的半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備和電路中。其中,功...
2024-05-31 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 2019 0
開關(guān)電源芯片SF1538DP的主要特性及其主引腳說(shuō)明
工程師們?cè)陂_關(guān)電源適配器的新產(chǎn)品研發(fā)設(shè)計(jì)過(guò)程中,通常會(huì)為所設(shè)計(jì)的新產(chǎn)品添加一些保護(hù)措施,以此來(lái)避免開關(guān)電源適配器在使用過(guò)程中出現(xiàn)短路或元件損壞、使其工作...
2024-03-01 標(biāo)簽:MOSFETLED驅(qū)動(dòng)線性電源 2016 0
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