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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。
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ADI技術(shù)文章 - 電池充電器的反向電壓保護(hù)
負(fù)載和充電器雖與反向電壓隔離,但是起保護(hù)作用的 MOSFET 現(xiàn)在面臨的一大問(wèn)題是功耗過(guò)高。
看懂MOSFET數(shù)據(jù)表:UIS/雪崩額定值
UIS測(cè)試由圖1中所示的測(cè)試電路執(zhí)行。在FET關(guān)閉時(shí),其上施加了一個(gè)電源電壓,然后檢查器件上是否有泄露。在FET接通時(shí),電感器電流穩(wěn)定增加。當(dāng)達(dá)到所需的...
ME8133是一款高性能,高效率電流模式PWM控制器,內(nèi)封650V/4A功率MOSFET,功率最高可達(dá)30W(220VAC)。
電力場(chǎng)效應(yīng)管的動(dòng)態(tài)特性和主要參數(shù)
電力場(chǎng)效應(yīng)管(Power Field-Effect Transistor,簡(jiǎn)稱(chēng)Power FET),特別是其中的絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET),在電力...
2024-09-13 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管晶體管 2315 0
功率MOSFET有兩種類(lèi)型:N溝道和P溝道,在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過(guò)程中選擇N管還是P管,要針對(duì)實(shí)際的應(yīng)用具體來(lái)選擇,N溝道MOSFET選擇的型號(hào)多,成本低;P溝...
MOSFET如何定義 MOSFET內(nèi)部結(jié)構(gòu)詳解
功率MOSFET為多單元集成結(jié)構(gòu),如IR的HEXFET采用六邊形單元;西門(mén)子Siemens的SIPMOSFET采用正方形單元;摩托羅拉公司Motorol...
專(zhuān)為48V電動(dòng)汽車(chē)應(yīng)用而開(kāi)發(fā)的eFuse參考設(shè)計(jì)
在電路保護(hù)設(shè)計(jì)中,電子保險(xiǎn)絲 ( eFuse ) 是一個(gè)令人興奮的技術(shù),也代表著一種創(chuàng)新的新趨勢(shì)——這種基于半導(dǎo)體技術(shù)、具有自恢復(fù)特性的解決方案
2024-01-11 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)繼電器MOSFET 2308 0
金氧半場(chǎng)效晶體管(MOSFET)憑借其通用性和廣泛用途躋身于最受歡迎的晶體管之列。歐時(shí)電子指南將詳述這類(lèi)晶體管的工作機(jī)制,并提供關(guān)于使用和選擇恰當(dāng)MOS...
2023-10-26 標(biāo)簽:MOSFET 2306 0
用SiC驅(qū)動(dòng)強(qiáng)大的燈或電機(jī)
改變大功率燈或電機(jī)亮度的最佳技術(shù)之一是脈沖寬度調(diào)制 (PWM)。在汽車(chē)電子系統(tǒng)中,一段時(shí)間以來(lái),控制單元使用 PWM 命令控制和管理各種執(zhí)行器。例如,柴...
MOSFET是開(kāi)關(guān)和汽車(chē)應(yīng)用中非常常見(jiàn)的元件,支持低壓或高壓擺幅,并具有寬范圍的電流驅(qū)動(dòng)。高功率應(yīng)用的數(shù)量正在增加,從而產(chǎn)生了對(duì)功率MOSFET的額外需...
2023-06-30 標(biāo)簽:放大器MOSFET驅(qū)動(dòng)器 2299 0
描述:MOSFET的最大允許電壓。參數(shù):額定電壓 - VR (Voltage Rating)
2024-01-26 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 2298 0
如何為您的SiC MOSFET選擇合適的柵極驅(qū)動(dòng)器
雖然 SiC 提供了一系列優(yōu)勢(shì),包括更快的開(kāi)關(guān)和更高的效率,但它也帶來(lái)了一些設(shè)計(jì)挑戰(zhàn),可以通過(guò)選擇正確的柵極驅(qū)動(dòng)器來(lái)解決。
2022-08-03 標(biāo)簽:MOSFETSiC柵極驅(qū)動(dòng)器 2297 0
三菱電機(jī)開(kāi)發(fā)了工業(yè)應(yīng)用的NX封裝全SiC功率模塊,采用低損耗SiC芯片和優(yōu)化的內(nèi)部結(jié)構(gòu),與現(xiàn)有的Si-IGBT模塊相比,顯著降低了功率損耗,同時(shí)器件內(nèi)部...
Chipown經(jīng)典多模式ACDC芯片PN8715H/PN8712H系列可完美替換5ARxx
Chipown經(jīng)典多模式ACDC芯片PN8715H/PN8712H系列,可完美替代進(jìn)口工業(yè)級(jí)芯片5ARxx系列 。
2023-09-14 標(biāo)簽:MOSFET過(guò)壓保護(hù)器跨導(dǎo)放大器 2296 0
基于DSP實(shí)現(xiàn)具有PID參數(shù)自整定功能的智能調(diào)節(jié)器的設(shè)計(jì)
由于經(jīng)驗(yàn)不易精確的描述,控制過(guò)程中各種信號(hào)及評(píng)價(jià)指標(biāo)不易定量的表示,模糊理論是解決這一難題的最好方法,運(yùn)用模糊控制規(guī)則,DSP根據(jù)電子負(fù)載系統(tǒng)的實(shí)際響應(yīng)...
PFC MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗測(cè)試方案
MOSFET/IGBT的開(kāi)關(guān)損耗測(cè)試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié),但很多工程師對(duì)開(kāi)關(guān)損耗的測(cè)量還停留在人工計(jì)算的感性認(rèn)知上,PFC MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗...
為了確保安全可靠的運(yùn)行壽命,電源配備了各種保護(hù)機(jī)制。其中一些限制了短路故障條件下提供的電流,確保電源的組件不會(huì)過(guò)熱或擊穿,從而允許設(shè)備在故障消除后恢復(fù)正...
隨著能夠取代白熾燈泡的大功率LED的出現(xiàn),產(chǎn)生了對(duì)將LED與可用電源(電池、汽車(chē)電氣系統(tǒng)等)有效匹配的電路的需求。電路還應(yīng)該能夠調(diào)節(jié)和控制LED光輸出,...
功率場(chǎng)效應(yīng)管的基本特性,如何提高功率MOSFET的動(dòng)態(tài)性能
MOSFET的漏伏安特性(輸出特性):截止區(qū)(對(duì)應(yīng)GTR的截止區(qū));飽和區(qū)(對(duì)應(yīng)于GTR的放大區(qū));非飽和區(qū)(對(duì)應(yīng)于GTR的飽和區(qū))。功率MOSFET在...
2023-07-04 標(biāo)簽:MOSFET功率場(chǎng)效應(yīng)管 2286 0
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