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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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如何區(qū)分MOS管,“電路符號(hào)”和“實(shí)物”介紹
讓我們來看看MOS管,分辨一下他們?cè)趺磪^(qū)別,怎么用吧。而且,我們不談原理,只談應(yīng)用。我們分“電路符號(hào)”和“實(shí)物”兩部分來看。
ROHM開發(fā)出第4代SiC MOSFET實(shí)現(xiàn)了業(yè)界先進(jìn)的低導(dǎo)通電阻
ROHM于2015年世界上第一家成功地實(shí)現(xiàn)了溝槽結(jié)構(gòu)SiC MOSFET的量產(chǎn),并一直致力于提高SiC功率元器件的性能。
2021-01-07 標(biāo)簽:MOSFET逆變器低導(dǎo)通電阻 2234 0
選擇一個(gè)工作點(diǎn)而不是另一個(gè)工作點(diǎn)作為數(shù)據(jù)表“最大”額定值的一些原因包括:選擇工作點(diǎn)作為在生產(chǎn)線末端測試時(shí)用于篩選器件的相同工作點(diǎn),或者出于營銷或客戶目的...
雙極步進(jìn)電機(jī)和單極步進(jìn)電機(jī)之間差異
與兩相雙極步進(jìn)電機(jī)的驅(qū)動(dòng)電路相比,兩相單極步進(jìn)電機(jī)的驅(qū)動(dòng)電路在輸入段配置、內(nèi)部邏輯及控制電路和驅(qū)動(dòng)電路使用雙通道方面基本相同,但是輸出段的配置不同。兩相...
2023-03-10 標(biāo)簽:MOSFET步進(jìn)電機(jī)電動(dòng)勢 2231 0
引言:一位朋友要求更一期Snubber的詳細(xì)介紹,這個(gè)拖更好久了,今天就補(bǔ)上!切斷電路中的電流時(shí),電路中的雜散電感會(huì)導(dǎo)致電壓急劇增加,緩沖器電路提供...
2023-09-26 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET緩沖器 2226 0
IXYS功率MOSFET數(shù)據(jù)表中使用的參數(shù)定義
本應(yīng)用筆記介紹了IXYS功率MOSFET數(shù)據(jù)表中使用的參數(shù)定義。本文檔介紹了基本額定值和特性,例如溫度,能量,機(jī)械數(shù)據(jù)以及電流和電壓額定值。它還簡要介紹...
MOS結(jié)構(gòu)加上一對(duì)背靠背的PN結(jié),就構(gòu)成一個(gè)MOSFET。如果MOS結(jié)構(gòu)在零柵壓時(shí)半導(dǎo)體表面不是反型的,此時(shí)由于PN結(jié)的反向截止效果,源漏之間不會(huì)導(dǎo)通。...
**氮化鎵**晶體管和**碳化硅** MOSFET是近兩三年來新興的功率半導(dǎo)體,相比于傳統(tǒng)的硅材料功率半導(dǎo)體,他們都具有許多非常優(yōu)異的特性:耐壓高,導(dǎo)通...
電力場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)和工作原理
功率場效應(yīng)管(Power MOSFET)也叫電力場效應(yīng)晶體管,是一種單極型的電壓控制器件,不但有自關(guān)斷能力,而且有驅(qū)動(dòng)功率小,開關(guān)速度高、無二次擊穿、安...
2023-05-05 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管 2210 0
LED照明電路(臨界模式PFC+DC/DC):利用MOSFET提升效率并降低噪聲的案例
從本文開始將介紹在具體應(yīng)用中效率等的改善案例。LED照明電路(臨界模式PFC+DC/DC):利用MOSFET提升效率并降低噪聲的案例,下面的電路摘自實(shí)際...
2023-02-10 標(biāo)簽:led轉(zhuǎn)換器MOSFET 2203 0
同步整流芯片U7612是一款高頻率、高性能、CCM 同步整流開關(guān),可以在GaN系統(tǒng)中替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。
閃存芯片是非揮發(fā)存儲(chǔ)芯片,廣泛用于電子產(chǎn)品,特別是如數(shù)碼相機(jī)、MP3播放器、手機(jī)、全球定位系統(tǒng)(GPS)、高端筆記本電腦和平板電腦等移動(dòng)電子產(chǎn)品的存儲(chǔ)應(yīng)用。
同步降壓型DC/DC穩(wěn)壓器ADP2384/86的主要特性及應(yīng)用
ADI公司的ADP2384/ADP2386是兩款4mm×4mm LFCSP封裝的高效、同步降壓DC/DC穩(wěn)壓器,內(nèi)部集成一個(gè)44mΩ的高邊檢測功率MOS...
如何用單NMOS設(shè)計(jì)分立式負(fù)載開關(guān)?
需要通過負(fù)載開關(guān)將電路或子系統(tǒng)與電源斷開有幾個(gè)原因,一個(gè)非常簡單和常見的原因是,它有助于節(jié)省電力。
2023-06-07 標(biāo)簽:MOSFET負(fù)載開關(guān)GPIO 2197 0
代對(duì)于不間斷電源高頻逆變電路是選擇IGBT還是MOSFET的功率開關(guān)管呢?
對(duì)于不間斷電源高頻逆變電路是選擇IGBT還是MOSFET的功率開關(guān)管呢?
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