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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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安森美半導(dǎo)體的全系列IGBT滿足汽車、太陽能逆變器、不間斷電源、白家電等各類應(yīng)用需求
安森美半導(dǎo)體是領(lǐng)先的功率器件半導(dǎo)體供應(yīng)商,提供全面的功率器件,包括MOSFET、IGBT、二極管、寬帶隙(WBG)等分立器件及智能功率模塊(IPM)等功...
2017-05-16 標(biāo)簽:逆變器igbt安森美半導(dǎo)體 4089 0
智能功率模塊(IPM)是一種功率半導(dǎo)體模塊,可將操作IGBT所需的所有電路集成到一個(gè)封裝中。它包括所需的驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)功能,以及IGBT。這樣,可以通過...
igbt芯片、igbt單管、igbt模塊、igbt器件等這些的區(qū)別是什么?
igbt芯片、igbt單管、igbt模塊、igbt器件等這些的區(qū)別是什么? IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor...
退飽和電路的實(shí)現(xiàn)機(jī)理是什么樣的?IGBT退飽和過程和保護(hù)
退飽和電路的實(shí)現(xiàn)機(jī)理是什么樣的?IGBT退飽和過程和保護(hù) 退飽和電路的實(shí)現(xiàn)機(jī)理是當(dāng)IGBT工作在飽和狀態(tài)時(shí),通過引入一定的電路設(shè)計(jì)和調(diào)整,使IGBT在過...
2024-02-18 標(biāo)簽:功率開關(guān)散熱器IGBT 4075 0
我國(guó)是世界最大的功率半導(dǎo)體消費(fèi)市場(chǎng);隨著電動(dòng)車市場(chǎng)崛起;電動(dòng)汽車已成為汽車產(chǎn)業(yè)未來的主要成長(zhǎng)動(dòng)能;新能源汽車需求帶動(dòng)MOSFET及IGBT持續(xù)增長(zhǎng);作為...
懷揣著這樣美好的愿景,英飛凌憑借根植中國(guó)家電行業(yè)多年的技術(shù)優(yōu)勢(shì)與行業(yè)資源,搭建和運(yùn)營(yíng)了家電生態(tài)圈網(wǎng)站。
圖1所示為一個(gè)N溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu),N+區(qū)稱為源區(qū),附于其上的電極稱為源極。N+區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū),附于其上的電極稱為柵極。溝道...
IGBT需求旺盛,國(guó)內(nèi)廠商產(chǎn)能大幅開出
集微網(wǎng)消息,2017年以來,功率半導(dǎo)體市場(chǎng)景氣向好,二極管、MOS管、IGBT等功率器件紛紛出現(xiàn)供需偏緊,導(dǎo)致交期延長(zhǎng),價(jià)格數(shù)次調(diào)漲。
igbt模塊的作用和功能 igbt有電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)嗎?
igbt模塊的作用和功能 igbt有電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)嗎? IGBT模塊是一種封裝了多個(gè)IGBT晶體管、驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)電路的半導(dǎo)體器件。它的作用是將低電壓高電...
2023-10-19 標(biāo)簽:IGBT晶體管驅(qū)動(dòng)電路 3999 0
英飛凌(Infineon)IGBT管前10熱門型號(hào)
Infineon(英飛凌)作為一家全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案提供商,其IGBT管產(chǎn)品在市場(chǎng)上備受矚目。下面將介紹英飛凌IGBT管前10熱門型號(hào):一、英飛凌...
igbt反向并聯(lián)二極管作用 IGBT是一種強(qiáng)勁的功率半導(dǎo)體器件,被廣泛應(yīng)用于高電壓、高電流和高速開關(guān)的領(lǐng)域。與傳統(tǒng)的大功率晶體管相比,IGBT能夠提供更...
士蘭微發(fā)布2019年年報(bào),IGBT和IPM產(chǎn)品同比增速40%
報(bào)告期內(nèi),公司研發(fā)項(xiàng)目主要圍繞電源管理產(chǎn)品平臺(tái)、功率半導(dǎo)體器件與模塊技術(shù)、數(shù)字音視頻技術(shù)、射頻/模擬技術(shù),MCU/DSP產(chǎn)品平臺(tái)、MEMS傳感器產(chǎn)品與工...
柵極驅(qū)動(dòng)脈沖觸發(fā),柵極電壓上升至高電平,VGE=+5V,IGBT導(dǎo)通后,電源電壓將對(duì)線圈一次側(cè)漏感充電,一次側(cè)電流開始線性上升。由于在火花塞產(chǎn)生電弧之前...
如何通過設(shè)計(jì)確保IGBT并聯(lián)均流措
由于并聯(lián)IGBT自身參數(shù)的不一致及電路布局不對(duì)稱等,必引起器件電流分配不均,嚴(yán)重時(shí)會(huì)使器件失效甚至損壞主電路,因此,IGBT并聯(lián)的重點(diǎn)是考慮如何通過設(shè)計(jì)...
IGBT:電力電子技術(shù)第三次革命中最具代表性的產(chǎn)品
新能源汽車領(lǐng)域更是IGBT的用武之地。有關(guān)信息顯示,在新能源汽車中,IGBT模塊約占整車成本的7%~10%,是除電池之外所占成本第二高的元件,決定了整車...
H橋IGBT功率單元及試驗(yàn)裝置的母線結(jié)構(gòu)
H橋IGBT功率單元 本文中的實(shí)驗(yàn)裝置是一臺(tái)單相 H 橋IGBT 功率單元,其拓?fù)浣Y(jié)
2010-02-22 標(biāo)簽:IGBT 3914 0
IGBT應(yīng)用領(lǐng)域廣泛,堪稱現(xiàn)代功率變流裝置的“心臟”和綠色高端產(chǎn)業(yè)的“核芯”。
功率半導(dǎo)體,作為現(xiàn)代電子領(lǐng)域的關(guān)鍵組成部分,扮演著將電能轉(zhuǎn)化、控制和分配到各種設(shè)備的重要角色。專門設(shè)計(jì)用于處理高功率電信號(hào)和控制電力流動(dòng)的半導(dǎo)體器件,與...
2023-11-06 標(biāo)簽:IGBT功率半導(dǎo)體二級(jí)管 3902 0
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