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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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第7代IGBT正開(kāi)始在儲(chǔ)能領(lǐng)域大放異彩
? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃山明)在儲(chǔ)能技術(shù)高速發(fā)展的今天,更強(qiáng)的發(fā)電與蓄電能力,更高的能源管理效率,更穩(wěn)定的輸送能力都是相關(guān)企業(yè)追求的方向,這就需要功...
探究電驅(qū)動(dòng)電磁兼容EMC開(kāi)發(fā)測(cè)試閉環(huán)方案的建立
新能源汽車電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的電磁干擾問(wèn)題一直是汽車工業(yè)界的技術(shù)難題。受制于電磁干擾法規(guī)測(cè)試超標(biāo)的困擾,無(wú)論是電驅(qū)動(dòng)零部件廠家還是整車廠均想要攻克電驅(qū)系統(tǒng)潛在的...
2021-04-16 標(biāo)簽:電磁兼容IGBT電驅(qū)動(dòng) 3713 0
深圳比亞迪微電子有限公司是比亞迪集團(tuán)旗下的獨(dú)立子公司,自2003年開(kāi)始致力于集成電路及功率器件的開(kāi)發(fā),并提供產(chǎn)品應(yīng)用的整套解決方案。比亞迪微電子立足于自...
該系列文章的第一部分介紹了電網(wǎng)換相換流器(LCC)。這篇文章將討論電壓源換流器(VSC)并比較兩種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。 ? VSC目前已成為首選實(shí)施對(duì)象,原因...
IGCT和IGBT的區(qū)別? IGCT(Integrated Gate-Commutated Thyristor)和 IGBT(Insulated Gat...
2023-11-17 標(biāo)簽:IGBTIGCT功率半導(dǎo)體 3671 0
開(kāi)關(guān)電源的效率優(yōu)化方法 如何定制開(kāi)關(guān)電源解決方案
開(kāi)關(guān)電源的效率優(yōu)化方法 開(kāi)關(guān)電源的效率優(yōu)化是一個(gè)系統(tǒng)工程,涉及多個(gè)方面,以下是一些關(guān)鍵的優(yōu)化方法: 采用高品質(zhì)的變壓器 : 變壓器是開(kāi)關(guān)電源中的核心部件...
2024-11-29 標(biāo)簽:變壓器開(kāi)關(guān)電源IGBT 3669 0
MOSFET目前缺口仍達(dá)30% 缺貨潮持續(xù)到明年
全球金氧半場(chǎng)效電晶體(MOSFET)產(chǎn)能大缺,下半年恐現(xiàn)缺貨潮,ODM/OEM廠及系統(tǒng)廠客戶搶產(chǎn)能,臺(tái)廠大中、富鼎、尼克森、杰力等第3季訂單全滿,接單能...
新興的制程方法和分析手段 X-ray檢測(cè)設(shè)備的原理?
近幾年,隨著通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子等產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,x-ray檢測(cè)設(shè)備也漸漸發(fā)展起來(lái)。X-ray檢測(cè)技術(shù)作為新興的制程方法和分析手段,可以實(shí)現(xiàn)在不破壞產(chǎn)品的...
中車電動(dòng)為新能源汽車產(chǎn)業(yè)注強(qiáng)“芯”劑
火柴盒般大小的黑匣子,肚子里裝著小“芯”臟和復(fù)雜的“經(jīng)脈”,能將電能自由轉(zhuǎn)換和控制。這,就是新能源汽車的“芯”——IGBT。
全球范圍內(nèi)來(lái)看,工控和新能源汽車是IGBT需求占比最大的兩個(gè)下游領(lǐng)域。分下游需求來(lái)看(2017年數(shù)據(jù)),工控是IGBT目前最大的需求市場(chǎng),需求占比達(dá)到3...
【大大魚干的類比電源講堂】Infineon IGBT 的死區(qū)計(jì)算
在現(xiàn)代工業(yè)的各種應(yīng)用中,經(jīng)常使用帶有功率元器件(MOFET、IGBT……)當(dāng)作輸出的驅(qū)動(dòng)電路,其中最常見(jiàn)、也最容易造成問(wèn)題的不外乎就是會(huì)上、下交替導(dǎo)通的...
青銅劍科技IGBT驅(qū)動(dòng)方案亮相英飛凌汽車電子季度技術(shù)研討會(huì)
青銅劍科技與英飛凌深度合作,聯(lián)合開(kāi)發(fā)了多款功能強(qiáng)大、高可靠性的汽車級(jí)IGBT驅(qū)動(dòng),分別是基于英飛凌HybridPACK? Drive、HybridPAC...
2017-06-16 標(biāo)簽:英飛凌igbtigbt驅(qū)動(dòng) 3639 0
利普思半導(dǎo)體完成4000萬(wàn)元Pre-A輪融資
無(wú)錫利普思半導(dǎo)體有限公司(簡(jiǎn)稱利普思半導(dǎo)體)近日完成Pre-A輪融資,由正泰集團(tuán)領(lǐng)投、水木易德跟投,融資金額達(dá)4000萬(wàn)元。利普思半導(dǎo)體成立于2019年...
英飛凌計(jì)劃擴(kuò)大其無(wú)錫工廠的IGBT模塊生產(chǎn)線
英飛凌中國(guó)官方消息顯示,11月6日,英飛凌在第三屆中國(guó)國(guó)際進(jìn)口博覽會(huì)上宣布,將新增在華投資,擴(kuò)大其無(wú)錫工廠的IGBT模塊生產(chǎn)線。無(wú)錫工廠擴(kuò)產(chǎn)后,將成為英...
2020-11-06 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車半導(dǎo)體IGBT 3616 0
中環(huán)股份發(fā)布關(guān)于投資組建合資公司的公告
公告披露,根據(jù)中環(huán)股份發(fā)展戰(zhàn)略規(guī)劃,為打造功率半導(dǎo)體器件與應(yīng)用全產(chǎn)業(yè)協(xié)同創(chuàng)新基地,促進(jìn)行業(yè)內(nèi)聯(lián)盟企業(yè)協(xié)同發(fā)展。
矽睿科技擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的CMOS集成六軸組合傳感器(三軸加速度計(jì)加三軸陀螺儀)技術(shù),基于該技術(shù)正在開(kāi)發(fā)適用于無(wú)線智能移動(dòng)系統(tǒng)的傳感器產(chǎn)品,該產(chǎn)品在功耗...
目前,碳化硅(SiC)這種半導(dǎo)體材料因其在電力電子應(yīng)用中的出色表現(xiàn)引起了廣泛的關(guān)注。對(duì)晶圓和器件的研究在近年來(lái)已經(jīng)取得很大進(jìn)展。碳化硅是一種寬禁帶(WB...
我們之前有介紹過(guò)什么是IGBT,不過(guò)主要是從結(jié)構(gòu)上對(duì)其進(jìn)行了剖析,并未深入介紹,今天金譽(yù)半導(dǎo)體再?gòu)钠渌嵌葋?lái)充分了解一下IGBT的具體信息。此文信息量有...
2022-12-08 標(biāo)簽:MOSFETIGBT驅(qū)動(dòng)電路 3570 0
IGBT的構(gòu)造和功率MOSFET的對(duì)比如圖 1-1 所示。IGBT 是通過(guò)在功率MOSFET 的漏極上追加p+層而構(gòu)成的,從而具有以
2010-07-20 標(biāo)簽:IGBT 3562 0
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