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      標簽　>　igbt

      igbt

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      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

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      igbt資訊

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      2024-10-10 標簽：新能源汽車IGBT回流焊 3541 0

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      2021-05-23 標簽：IGBT電子器件boost電路 3526 0

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      2022-03-11 標簽：電阻IGBT 3526 0

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      全球IGBT市場成長迅速,年復合增長率為7%左右

      自2005年，比亞迪就布局IGBT產業。2009年9月，比亞迪半導體自研的IGBT 1.0芯片成功通過中國電器工業協會電力電子分會組織的科技成果鑒定。

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      2023-03-24 標簽：逆變器IGBT 3512 0

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      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是絕緣柵雙極型功率管的簡稱，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場...

      2022-10-19 標簽：MOS管IGBT晶體管 3510 0

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      根據中國光伏行業協會的預測， 2025年全球和中國光伏新增裝機容量的中值分別為：300GW和100GW， 因此我們估計2025年全球和中國的光伏領域IG...

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      2012-02-12 標簽：IGBT隔離電源IGBT驅動器 3459 0

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        ESP8266
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