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標簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
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無論在消費、工業還是汽車領域,目前氮化鎵都已有了成熟應用的案例。英諾賽科銷售副總裁陳鈺林指出,在快充和激光雷達領域,氮化鎵已經實現了千萬級別的出貨,英偉...
來源:羅姆半導體社區? 1、因為并聯,所以精彩 IGBT與FRD、晶閘管等無元胞器件相比,天生就是并聯的。模塊封裝中更是需要多芯片并聯。正是因為并聯,才...
2022-11-15 標簽:IGBT 4276 0
捷敏2017年第2季獲利已經創下歷史次高,上半年EPS為2.39元,7月營收也下營收新高水準,市場看好8月將會再創單月營收歷史新高,后續捷敏持續布局車用...
隨著新能源汽車的逐漸升溫,碳化硅摩拳擦掌,似乎要挑戰逆變器功率器件IGBT 的霸主地位。市場方面,領頭羊 CREE 與大眾等數家公司簽署長期供貨協議,并...
功率半導體具有能夠支持高電壓、大電流的特性,主要用途包括變 頻、整流、變壓、功率放大、功率控制等。除保障電路正常運行外,因其 能夠減少電能浪費,功率半導...
IGBT即絕緣柵雙極型晶體管,是由雙極型三極管(BJT)和絕緣柵型場效應管(MOSFET)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高...
美國專利局(United States Patent Office)已授予Lyft公司一項專利,稱為自動駕駛車輛通知系統。該專利描述了一種系統,該系統首...
電子發燒友網報道(文/李寧遠)IGBT作為新型功率半導體器件的主流器件,已經廣泛應用于工業、通信、計算機、消費電子、汽車電子以及航空航天、國防軍工等產業...
一.普通晶體管(Thyristor)也稱可控硅(SCR),是靠門極電流觸發的半可控器件,具有正反向阻斷能力,而門極觸發電流是通過在門極G和陰極K之間施加...
目前我國IGBT產業在國家政策及重大項目的推動及市場牽引下得到了迅速發展,呈現出大尺寸區溶(FZ)單晶材料、IGBT芯片工藝和IGBT模塊封裝技術全面蓬...
電動汽車已成為汽車產業未來的主要成長動能,預計在2021年電動汽車將突破800萬輛,為2018年的兩倍。
光伏逆變器是光伏系統非常重要的一個設備,主要作用是把光伏組件發出來的直流電變成交流電,除此之外,逆變器還承擔檢測組件、電網、電纜運行狀態,和外界通信交流...
這個設定的原因是由于IGBT并不是理想開關器件,其開通時間和關斷時間不是嚴格一致的,如果兩端有電壓,將導致直流電源短路,損壞橋臂功率器件,稱之為“橋臂直...
2022-12-28 標簽:IGBT 4123 0
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