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      標簽　>　igbt

      igbt

      igbt

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      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

      文章：3073個 瀏覽：254668次 帖子：483個

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      ?當前電動汽車的發展速度有目共睹，據高盛研究公司發布的數據顯示，到2023年，電動汽車銷量將占全球汽車銷量的10%；到2030年，這一數據預計將增長至3...

      2023-10-31 標簽：電動汽車模塊IGBT 4394 0

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      根據2019年的報告，功率晶體管的銷售額增長率達到兩位數，再創新高。

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      中高壓逆變器應用領域門極驅動器技術的創新者Power Integrations推出1SP0351 SCALE-2?單通道+15/-10V即插即用型門極驅...

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