女人自慰AV免费观看内涵网,日韩国产剧情在线观看网址,神马电影网特片网,最新一级电影欧美,在线观看亚洲欧美日韩,黄色视频在线播放免费观看,ABO涨奶期羡澄,第一导航fulione,美女主播操b

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

國(guó)產(chǎn)IGBT廠商斯達(dá)半導(dǎo)外購(gòu)芯片的原因分析

我快閉嘴 ? 來(lái)源:科創(chuàng)板日?qǐng)?bào) ? 作者:吳凡 ? 2020-12-23 16:15 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

12月22日,江蘇宏微科技股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“宏微股份”)的科創(chuàng)板申報(bào)材料獲得上交所受理,公司擬募資5.58億元,分別投向新型電力半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目、研發(fā)中心建設(shè)項(xiàng)目以及償還銀行貸款及補(bǔ)充流動(dòng)資金項(xiàng)目。

宏微股份采取的是Fabless模式,其主要產(chǎn)品為功率半導(dǎo)體器件,主要包括IGBT、FRED芯片、單管及模塊等產(chǎn)品,報(bào)告期內(nèi),公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入分別為2.09億元、2.62億元、2.6億元、1.42億元。

記者梳理發(fā)現(xiàn),除了擁有芯片自研技術(shù)外,宏微股份還存在每年向其同行業(yè)公司英飛凌大筆采購(gòu)芯片的情況,且在報(bào)告期內(nèi),公司每年外購(gòu)芯片的金額要高于其采購(gòu)自研芯片所需金額。

并且記者還注意到,國(guó)產(chǎn)IGBT廠商斯達(dá)半導(dǎo)同樣存在外購(gòu)芯片的情況,其背后存在著怎樣的原因??jī)杉夜緦?duì)此又是如何解釋?

英飛凌是第一大供應(yīng)商

宏微股份的產(chǎn)品中,單管主要是指將一個(gè)IGBT芯片單獨(dú)或與FRED芯片、MOSFET芯片通過(guò)芯片焊接和鋁絲鍵合至銅框架基板上,接入電極,并通過(guò)塑封外殼封裝而成;而模塊中除芯片以外,主要由DBC基板、鋁線或銅線等材料組成。

可以看出的是,不論上述哪款產(chǎn)品,芯片都是其中的核心零部件。

記者從招股書中獲悉,宏微股份是國(guó)內(nèi)少數(shù)可以自主研發(fā)IGBT、FRED芯片的公司。但除了由芯片代工供應(yīng)商生產(chǎn)的自研芯片外,宏微股份還存在對(duì)外采購(gòu)芯片的情況。

報(bào)告期內(nèi),宏微股份向英飛凌采購(gòu)的芯片金額分別為:2216.73萬(wàn)元、4159.39萬(wàn)元、5159.20萬(wàn)元以及1423.25萬(wàn)元,占當(dāng)期采購(gòu)總額的比重分別為14.89%、21.01%、28.43%和13.49%。而自2018年起,英飛凌就持續(xù)穩(wěn)居宏微股份第一大供應(yīng)商的位置。

值得注意的是,英飛凌的身份不僅是宏微股份的供應(yīng)商,同時(shí)也是宏微股份在功率半導(dǎo)體器件行業(yè)的國(guó)外競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手,根據(jù)IHS Markit 2018年報(bào)告,2017年其全球市場(chǎng)占有率為22.40%,在低電壓、中電壓和高電壓IGBT領(lǐng)域,英飛凌均占據(jù)領(lǐng)先地位。

從另一個(gè)角度看,2017年至2020年1-6月,公司芯片(外購(gòu))的采購(gòu)金額分別為:3776.68萬(wàn)元、5367.51萬(wàn)元、6200.62萬(wàn)元以及2307.7萬(wàn)元;而前述各期,公司對(duì)自研芯片的采購(gòu)金額分別為:739.97萬(wàn)元、1477.97萬(wàn)元、2382.00萬(wàn)元以及1734.93萬(wàn)元。

需要說(shuō)明的是,外購(gòu)芯片是指向芯片生產(chǎn)商直接采購(gòu)芯片成品,而自研是由公司提供芯片光刻版圖設(shè)計(jì)和工藝流程,代工企業(yè)自行采購(gòu)硅片等原材料加工后向公司交付芯片,屬于原材料采購(gòu),公司采購(gòu)的芯片成本中已經(jīng)包含了代工成本。

上述的數(shù)據(jù)反映出兩個(gè)情況:其一是公司除了向英飛凌外購(gòu)芯片外,也有向其他廠商外購(gòu)芯片;其二,公司對(duì)于外購(gòu)芯片的金額顯著高于自研芯片所需原材料的采購(gòu)金額。

外購(gòu)芯片的原因

進(jìn)一步來(lái)看,招股書中提到,外購(gòu)芯片主要包含IGBT芯片、FRED芯片、整流二極管芯片等,各類芯片價(jià)格差異較大,其中IGBT芯片單價(jià)相對(duì)較高;而宏微股份的自研芯片主要為IGBT芯片。

對(duì)于外購(gòu)芯片的原因,宏微股份未在招股書中具體提及,但公司在解釋主營(yíng)業(yè)務(wù)毛利率低于同行業(yè)可比公司平均水平時(shí)提到:“公司部分客戶指定要求使用進(jìn)口芯片,進(jìn)口芯片價(jià)格相對(duì)較高,導(dǎo)致部分IGBT模塊毛利率相對(duì)偏低”。

不過(guò)由于外購(gòu)芯片的品種較多,因此在報(bào)告期內(nèi),宏微股份外購(gòu)芯片的平均采購(gòu)單價(jià)低于自研芯片。

此外,除了宏微股份存在外購(gòu)芯片的情況外,記者注意到,其同行業(yè)公司斯達(dá)半導(dǎo)也存在類似的情形。

斯達(dá)半導(dǎo)在今年1月披露的招股書中稱,公司自主研發(fā)設(shè)計(jì)的IGBT芯片和快恢復(fù)二極管芯片已經(jīng)量產(chǎn);但同時(shí),公司仍然存在外購(gòu)芯片的情況,包括英飛凌、Si-Chip Power Technologies Limited、IXYSSemiconductor GmbH等公司。

除了2019年1-6月外,2016年至2018年,斯達(dá)半導(dǎo)各期外購(gòu)芯片的金額均超過(guò)其采購(gòu)自主研發(fā)芯片的金額。

為此,在此前監(jiān)管層向公司發(fā)送的“反饋意見”中,監(jiān)管層要求公司說(shuō)明,外購(gòu)芯片的原因及合理性,外購(gòu)芯片的主要采購(gòu)對(duì)象,公司自主芯片在IGBT模塊產(chǎn)品的重要程度;自主芯片與外購(gòu)芯片的區(qū)別、聯(lián)系、功能是否可相互替代,公司是否對(duì)外購(gòu)芯片尤其是進(jìn)口芯片形成重大依賴,自主芯片的核心零部件是否依賴進(jìn)口。

斯達(dá)半導(dǎo)在招股書中稱,其自主研發(fā)設(shè)計(jì)的最新一代FS Trench芯片,具備替代進(jìn)口芯片的能力,公司對(duì)外購(gòu)芯片不存在重大依賴。而對(duì)外采購(gòu)芯片的原因是:由于客戶對(duì)公司自研芯片的批量化使用需要一定的驗(yàn)證時(shí)間,因此在正常情況下,公司自主研發(fā)的芯片完全取代進(jìn)口芯片需要一定過(guò)程。

就技術(shù)角度而言,斯達(dá)半導(dǎo)稱,其已實(shí)現(xiàn)了IGBT芯片國(guó)產(chǎn)化,具備替代進(jìn)口IGBT模塊的能力。宏微股份在招股書中則提到,其最新研發(fā)成功的宏微第四代IGBT M4i 750V 280A芯片,在擊穿耐壓、短路極限時(shí)間方面與英飛凌芯片基本相同,在損耗、電流密度方面與英飛凌芯片相接近。
責(zé)任編輯:tzh

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 芯片
    +關(guān)注

    關(guān)注

    459

    文章

    52487

    瀏覽量

    440630
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    335

    文章

    28889

    瀏覽量

    237581
  • IGBT
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1278

    文章

    4068

    瀏覽量

    254503
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    三花汽零蒞臨中微導(dǎo)參觀指導(dǎo)工作

    近日,全球領(lǐng)先的汽車熱管理系統(tǒng)制造商浙江三花汽車零部件有限公司蒞臨中微導(dǎo)進(jìn)行車規(guī)級(jí)芯片供應(yīng)審廠工作,我司副總裁兼汽車事業(yè)部總經(jīng)理李振華全程參與審核對(duì)接。此次審廠是中微
    的頭像 發(fā)表于 05-27 16:43 ?391次閱讀

    部分外資廠商IGBT模塊失效報(bào)告作假對(duì)中國(guó)功率模塊市場(chǎng)的深遠(yuǎn)影響

    部分IGBT模塊廠商失效報(bào)告作假的根本原因及其對(duì)中國(guó)功率模塊市場(chǎng)的深遠(yuǎn)影響,可以從技術(shù)、商業(yè)、行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)等多維度分析,并結(jié)合中國(guó)功率模塊市場(chǎng)的動(dòng)態(tài)變化進(jìn)行綜合評(píng)估: 一、失效報(bào)告作假的根
    的頭像 發(fā)表于 05-23 08:37 ?272次閱讀
    部分外資<b class='flag-5'>廠商</b><b class='flag-5'>IGBT</b>模塊失效報(bào)告作假對(duì)中國(guó)功率模塊市場(chǎng)的深遠(yuǎn)影響

    向電源行業(yè)的功率器件專家致敬:拆穿海外IGBT模塊廠商失效報(bào)告造假!

    中國(guó)電力電子逆變器變流器的功率器件專家以使用者身份拆穿國(guó)外IGBT模塊失效報(bào)告廠商造假的事件,是中國(guó)技術(shù)實(shí)力與產(chǎn)業(yè)鏈話語(yǔ)權(quán)提升的標(biāo)志性案例。通過(guò)技術(shù)創(chuàng)新與嚴(yán)謹(jǐn)?shù)目茖W(xué)態(tài)度,成功揭露了國(guó)外廠商I
    的頭像 發(fā)表于 04-27 16:21 ?217次閱讀
    向電源行業(yè)的功率器件專家致敬:拆穿海外<b class='flag-5'>IGBT</b>模塊<b class='flag-5'>廠商</b>失效報(bào)告造假!

    國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET廠商絕口不提柵氧可靠性的根本原因是什么

    兩方面展開分析: 一、部分國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET廠商避談柵氧可靠性的根本原因 技術(shù)矛盾:電性能與可靠性的權(quán)衡 碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)中,柵氧可靠性與電性能參數(shù)(如
    的頭像 發(fā)表于 04-07 10:38 ?326次閱讀

    中國(guó)電力電子客戶不再迷信外資品牌的IGBT模塊和SiC模塊

    。以下從大眾汽車尾氣排放造假事件、部分海外IGBT模塊供應(yīng)商的失效報(bào)告造假而造成的行業(yè)誠(chéng)信問(wèn)題切入,結(jié)合國(guó)產(chǎn)IGBT模塊和SiC模塊的崛起背景,分析具體
    的頭像 發(fā)表于 03-28 09:50 ?323次閱讀

    中國(guó)IGBT芯片細(xì)分應(yīng)用領(lǐng)域分析 高壓IGBT打破國(guó)外技術(shù)壟斷

    來(lái)源: 電力電子技術(shù)與應(yīng)用 1、中國(guó) IGBT芯片 應(yīng)用領(lǐng)域:三大類產(chǎn)品的應(yīng)用場(chǎng)景 IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是電力控制和電力轉(zhuǎn)換的核心器件,是由BJT(雙極型晶體管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管
    的頭像 發(fā)表于 11-08 11:30 ?2628次閱讀
    中國(guó)<b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>芯片</b>細(xì)分應(yīng)用領(lǐng)域<b class='flag-5'>分析</b> 高壓<b class='flag-5'>IGBT</b>打破國(guó)外技術(shù)壟斷

    我想要用橋電路測(cè)試IGBT,但是IGBT總是導(dǎo)不通,求大家?guī)兔纯词菫槭裁?/a>

    我想用橋電路測(cè)試igbt,所以我根據(jù)以下電路圖搭建了電路,但是igbt總是導(dǎo)不通,有沒有大佬幫忙看看為什么 驅(qū)動(dòng)板的輸入為兩個(gè)互補(bǔ)的PWM波,輸出也為兩個(gè)互補(bǔ)的PWM波,已用示波器
    發(fā)表于 11-05 11:06

    營(yíng)收首降,達(dá)導(dǎo)能否找到下一個(gè)風(fēng)口?

    作為國(guó)內(nèi)市占率第一、全球排名第六的IGBT龍頭企業(yè),達(dá)導(dǎo)在2024年上半年業(yè)績(jī)突然踩下剎車。昔日的高歌猛進(jìn)為何戛然而止? 8月31日,國(guó)
    的頭像 發(fā)表于 09-20 11:24 ?1795次閱讀
    營(yíng)收首降,<b class='flag-5'>斯</b><b class='flag-5'>達(dá)</b><b class='flag-5'>半</b><b class='flag-5'>導(dǎo)</b>能否找到下一個(gè)風(fēng)口?

    igbt導(dǎo)通壓降受哪些因素影響

    。這個(gè)參數(shù)對(duì)于整個(gè)電力電子系統(tǒng)的效率和性能至關(guān)重要。導(dǎo)通壓降的大小受到多種因素的影響,以下是一些主要因素的分析IGBT的結(jié)構(gòu)和設(shè)計(jì) : 柵極氧化層厚度 :柵極氧化層的厚度會(huì)影響IGBT
    的頭像 發(fā)表于 09-19 14:51 ?2905次閱讀

    IGBT導(dǎo)通壓降和飽和壓降怎么區(qū)分

    絕緣柵雙極晶體管(IGBT)是一種電力電子器件,它結(jié)合了MOSFET的高輸入阻抗和雙極型晶體管的低導(dǎo)通壓降特性。在電力電子領(lǐng)域,IGBT廣泛應(yīng)用于變頻器、電動(dòng)汽車、太陽(yáng)能逆變器等設(shè)備中。 導(dǎo)
    的頭像 發(fā)表于 09-19 14:46 ?5547次閱讀

    橋驅(qū)動(dòng)器燒毀原因分析

    橋驅(qū)動(dòng)器燒毀的原因可以歸結(jié)為多個(gè)方面,這些原因通常與電路設(shè)計(jì)、工作環(huán)境、元件質(zhì)量及操作使用等因素密切相關(guān)。
    的頭像 發(fā)表于 08-28 14:55 ?1634次閱讀

    igbt焊機(jī)驅(qū)動(dòng)波形往前跑正常嗎

    深入分析,才能找到問(wèn)題的根本原因并采取相應(yīng)的解決措施。本文將從以下幾個(gè)方面進(jìn)行介紹: IGBT焊機(jī)的工作原理 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transisto
    的頭像 發(fā)表于 08-07 16:03 ?1049次閱讀

    IGBT關(guān)斷過(guò)程分析

    絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)作為電力電子領(lǐng)域中至關(guān)重要的元件,其關(guān)斷過(guò)程的分析對(duì)于理解其性能和應(yīng)用至關(guān)重要。IGBT結(jié)合了雙極型晶體管(BJT)和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的優(yōu)勢(shì),具有導(dǎo)
    的頭像 發(fā)表于 07-26 18:03 ?5059次閱讀
    <b class='flag-5'>IGBT</b>關(guān)斷過(guò)程<b class='flag-5'>分析</b>

    igbt驅(qū)動(dòng)波形振蕩原因及解決方法

    IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體器件。它結(jié)合了MOSFET和雙極型晶體管(BJT)的優(yōu)點(diǎn),具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降、快速開關(guān)速度等特點(diǎn)。 一、IGBT驅(qū)動(dòng)波形
    的頭像 發(fā)表于 07-25 10:38 ?7433次閱讀

    IGBT功率器件功耗

    IGBT等功率電子器件在工作中,由于自身的功率損耗,將引起IGBT溫度升高。引起功率器件發(fā)熱的原因主要有兩個(gè),一是功率器件導(dǎo)通時(shí),產(chǎn)生的通態(tài)損耗。二是功率器件的開通與關(guān)斷過(guò)程中產(chǎn)生的開
    的頭像 發(fā)表于 07-19 11:21 ?1326次閱讀
    <b class='flag-5'>IGBT</b>功率器件功耗