女人自慰AV免费观看内涵网,日韩国产剧情在线观看网址,神马电影网特片网,最新一级电影欧美,在线观看亚洲欧美日韩,黄色视频在线播放免费观看,ABO涨奶期羡澄,第一导航fulione,美女主播操b

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

英飛凌(Infineon)IGBT管前10熱門型號

中芯巨能 ? 2023-08-25 16:58 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

Infineon(英飛凌)作為一家全球領先的半導體解決方案提供商,其IGBT管產品在市場上備受矚目。下面將介紹英飛凌IGBT管前10熱門型號:

一、英飛凌IGBT管前10熱門型號:

1、IKW40N120H3: Infineon的IKW40N120H3是一款高壓IGBT,適用于高效能和高可靠性的應用。它具有1200V的電壓額定值和40A的電流額定值,能夠提供低導通和開關損耗,以及優異的熱穩定性。

2、IKW40N65H5: Infineon的IKW40N65H5是一款高性能IGBT,適用于高頻率和高溫度的應用。它具有650V的電壓額定值和40A的電流額定值,具有低導通和開關損耗,以及出色的熱穩定性。

3、IKW50N65H5: Infineon的IKW50N65H5是一款高壓IGBT,適用于高功率和高可靠性的應用。它具有650V的電壓額定值和50A的電流額定值,能夠提供低導通和開關損耗,以及優異的熱穩定性。

4、IKW40N120T2: Infineon的IKW40N120T2是一款高壓IGBT,適用于高效能和高可靠性的應用。它具有1200V的電壓額定值和40A的電流額定值,能夠提供低導通和開關損耗,以及優異的熱穩定性。

5、IKW30N60T: Infineon的IKW30N60T是一款低壓IGBT,適用于中功率和高頻率的應用。它具有600V的電壓額定值和30A的電流額定值,具有低導通和開關損耗,以及出色的熱穩定性。

6、IKW50N60T: Infineon的IKW50N60T是一款低壓IGBT,適用于高功率和高可靠性的應用。它具有600V的電壓額定值和50A的電流額定值,能夠提供低導通和開關損耗,以及優異的熱穩定性。

7、IKW40N120CS6: Infineon的IKW40N120CS6是一款高壓IGBT,適用于高功率和高可靠性的應用。它具有1200V的電壓額定值和40A的電流額定值,能夠提供低導通和開關損耗,以及優異的熱穩定性。

8、IKW30N60H3: Infineon的IKW30N60H3是一款高壓IGBT,適用于高效能和高可靠性的應用。它具有600V的電壓額定值和30A的電流額定值,能夠提供低導通和開關損耗,以及優異的熱穩定性。

9、IHW20N120R5: Infineon的IHW20N120R5是一款高壓IGBT,適用于高功率和高可靠性的應用。它具有1200V的電壓額定值和20A的電流額定值,能夠提供低導通和開關損耗,以及優異的熱穩定性。

10、IKW75N60T: Infineon的IKW75N60T是一款高性能IGBT,適用于需要高功率和低損耗的應用。具有600V的電壓額定值和75A的電流額定值,具有出色的開關特性和熱性能。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 英飛凌
    +關注

    關注

    68

    文章

    2336

    瀏覽量

    140398
  • IGBT
    +關注

    關注

    1278

    文章

    4051

    瀏覽量

    254073
  • IGBT管
    +關注

    關注

    0

    文章

    27

    瀏覽量

    13414
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    請問ModusToolbox?是否支持與 Infineon WiFi BLE 配對的 ST MCU?

    在什么情況下可以使用ModusToolbox?來支持 ST MCU 與 Infineon WiFi BLE 配對的應用程序? 據我了解,所有與英飛凌 WiFi BLE 模塊配對的 ST MCU
    發表于 06-05 07:14

    Marvell美滿宣布以25億美元現金向英飛凌出售汽車以太網業務

    4 月 8 日消息,Marvell 美滿電子和 Infineon 英飛凌當地時間昨日宣布,雙方已就 Marvell 向英飛凌出售汽車以太網技術業務達成最終協議, 英飛凌將就此支付 25
    的頭像 發表于 04-08 18:13 ?1103次閱讀
    Marvell美滿宣布以25億美元現金向<b class='flag-5'>英飛凌</b>出售汽車以太網業務

    MOSFET與IGBT的區別

    做很大功率,電流和電壓都可以,就是一點頻率不是太高,目前英飛凌的新一代IGBT硬開關速度可以到100KHZ,那已經是不錯了.不過相對于MOSFET的工作頻率還是九牛一毛,MOSFET可以工作到幾百
    發表于 03-25 13:43

    英飛凌與富士等外資品牌IGBT模塊價格戰策略的本質與深層危機分析

    ”,更暴露了外資企業在技術迭代、成本控制、市場適應等方面的深層危機。 英飛凌IGBT模塊與富士IGBT模塊的大幅度降價策略 本質上是技術護城河崩塌的防御性掙扎 。其深層危機源于 技術
    的頭像 發表于 03-21 13:18 ?492次閱讀
    <b class='flag-5'>英飛凌</b>與富士等外資品牌<b class='flag-5'>IGBT</b>模塊價格戰策略的本質與深層危機分析

    高頻感應電源國產SiC碳化硅模塊替代英飛凌IGBT模塊損耗計算對比

    傾佳電子楊茜以50KW高頻感應電源應用為例,分析BASiC基本股份國產SiC模塊替代英飛凌IGBT模塊損耗計算對比: 傾佳電子楊茜致力于推動國產SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT
    的頭像 發表于 02-10 09:41 ?380次閱讀
    高頻感應電源國產SiC碳化硅模塊替代<b class='flag-5'>英飛凌</b><b class='flag-5'>IGBT</b>模塊損耗計算對比

    英飛凌IGBT7系列芯片大解析

    上回書(英飛凌芯片簡史)說到,IGBT自面世以來,歷經數代技術更迭,標志性的技術包括平面柵+NPT結構的IGBT2,溝槽柵+場截止結構的IGBT3和
    的頭像 發表于 01-15 18:05 ?1065次閱讀
    <b class='flag-5'>英飛凌</b><b class='flag-5'>IGBT</b>7系列芯片大解析

    電磁爐IGBT型號代換

    常用電磁爐用IGBT代換
    發表于 11-11 14:09 ?4次下載

    IGBT芯片/單/模塊/器件的區別

    在電力電子技術的快速中,IGBT(絕緣柵雙極型晶體)技術以其高效、可靠的性能,成為眾多領域的核心組件。從微小的IGBT芯片到復雜的IGBT器件,每一個組成部分都承載著推動電力電子技術
    的頭像 發表于 10-15 15:23 ?1665次閱讀

    英飛凌推出帶指紋傳感器的生物識別芯片卡模塊

    英飛凌科技(Infineon Technologies)近期宣布了一項創新突破,成功推出了搭載指紋傳感器的生物識別芯片卡模塊——Infineon Secora Pay Bio,這一產品標志著支付安全
    的頭像 發表于 09-19 17:31 ?1089次閱讀

    igbt功率型號參數意義

    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體)是一種功率半導體器件,廣泛應用于電力電子領域。IGBT功率型號參數意義是了解
    的頭像 發表于 08-08 09:11 ?3484次閱讀

    開關是mos還是IGBT

    開關既是mos也是IGBT。開關是一種電子器件,用于控制電流的開關。在電子電路中,開關
    的頭像 發表于 08-07 17:21 ?5139次閱讀

    焊機IGBT后怎樣維修

    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極晶體)是現代電力電子設備中常用的功率器件,廣泛應用于焊機、變頻器、電源等設備中。當焊機中的IGBT發生炸
    的頭像 發表于 08-07 15:59 ?4239次閱讀

    igbt功率發熱什么原因

    IGBT(絕緣柵雙極晶體)是一種廣泛應用于電力電子領域的功率半導體器件,具有高電壓、大電流、高頻率等特點。然而,在實際應用過程中,IGBT功率發熱是一個常見問題,嚴重影響了
    的頭像 發表于 08-07 15:40 ?3385次閱讀

    MOSIGBT的辨別

    MOS(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導體場效應晶體)和IGBT(Insulated Gate Bipolar
    的頭像 發表于 07-26 18:07 ?6574次閱讀

    溝槽型IGBT與平面型IGBT的差異

    溝槽型IGBT(溝槽柵絕緣柵雙極型晶體)與平面型IGBT(平面柵絕緣柵雙極型晶體)是兩種常見的絕緣柵雙極型晶體
    的頭像 發表于 07-24 10:39 ?4056次閱讀
    溝槽型<b class='flag-5'>IGBT</b>與平面型<b class='flag-5'>IGBT</b>的差異