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標簽 > 集成驅動器
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技術資料#LMG3410R070 具有集成驅動器和保護功能的 600V 70mΩ GaN
LMG341xR070 GaN 功率級具有集成驅動器和保護功能,使設計人員能夠在電力電子系統中實現更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比,L...
技術資料#LMG3411R070 具有集成驅動器和逐周期過流保護的 600V 70mΩ GaN
LMG341xR070 GaN 功率級具有集成驅動器和保護功能,使設計人員能夠在電力電子系統中實現更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比,L...
技術資料#LMG3410R050 具有集成驅動器和保護功能的 600V 50mΩ GaN
LMG341xR050 GaN 功率級具有集成驅動器和保護功能,使設計人員能夠在電力電子系統中實現更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比,L...
技術資料#LMG3411R050 具有集成驅動器和逐周期過流保護的 600V 50mΩ GaN
LMG341xR050 GaN 功率級具有集成驅動器和保護功能,使設計人員能夠在電力電子系統中實現更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比,L...
技術資料#LMG3411R150 具有集成驅動器和逐周期過流保護的 600V 150mΩ GaN
LMG341xR150 GaN FET 具有集成驅動器和保護功能,使設計人員能夠在電力電子系統中實現更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比,...
技術資料#LMG3410R150 具有集成驅動器和過流保護功能的 600V 150mΩ GaN
LMG341xR150 GaN FET 具有集成驅動器和保護功能,使設計人員能夠在電力電子系統中實現更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比,...
技術資料#LMG3422R030 具有集成驅動器、保護和溫度報告的 600V 30mΩ GaN FET
LMG342xR030 GaN FET 具有集成驅動器和保護功能,針對開關模式電源轉換器,使設計人員能夠將功率密度和效率提升到新的水平。 LMG3...
具有集成驅動器和自我保護功能的GaN FET如何實現下一代工業電源設計
德州儀器(TI)推出了一種新的集成氮化鎵(GaN)功率級產品家族,該家族采用了一種低成本緊湊的四方扁平無引線(OFN)封裝,封裝尺寸為12毫米x12毫米...
技術資料LMG3422R050 具有集成驅動器、保護和溫度報告的 600V 50mΩ GaN FET
LMG342xR050 集成了一個硅驅動器,可實現高達 150V/ns 的開關速度。與分立硅柵極驅動器相比,TI 的集成精密柵極偏置可實現更高的開關 S...
技術資料#LMG3526R030 具有集成驅動器、保護和零電壓檢測功能的650V 30mΩ GaN FET
LMG352xR030 GaN FET 具有集成驅動器和保護功能,針對開關模式電源轉換器,使設計人員能夠將功率密度和效率提升到新的水平。 LMG3...
技術資料#LMG3526R050 具有集成驅動器、保護和零電壓檢測報告的 650V 50mΩ GaN FET
LMG352xR050 GaN FET 具有集成驅動器和保護功能,針對開關模式電源轉換器,使設計人員能夠將功率密度和效率提高到新的水平。 LMG3...
技術資料#LMG3522R050 具有集成驅動器、保護和溫度報告的 650V 50mΩ GaN FET
LMG352xR050 GaN FET 具有集成驅動器和保護功能,針對開關模式電源轉換器,使設計人員能夠將功率密度和效率提高到新的水平。 LMG352...
技術文檔:LMG3616 具有集成驅動器和保護功能的 650V 270mΩ GaN FET
LMG3616 是一款 650V 270mΩ GaN 功率 FET,適用于開關模式電源應用。該 LMG3616 通過將 GaN FET 和柵極驅動器集成...
技術資料#LMG3612 具有集成驅動器和保護功能的 650V 120mΩ GaN FET
LMG3612 是一款 650V 120mΩ GaN 功率 FET,適用于開關模式電源應用。該 LMG3612 通過將 GaN FET 和柵極驅動器集成...
技術文檔#LMG3426R030 600V 30mΩ GaN FET,帶集成驅動器、保護和零電壓檢測
LMG342xR030 集成了一個硅驅動器,可實現高達 150V/ns 的開關速度。與分立硅柵極驅動器相比,TI 的集成精密柵極偏置可實現更高的開關 S...
技術資料#LMG3427R030 600V 30mΩ GaN FET,集成驅動器、保護和零電流檢測
LMG342xR030 GaN FET 具有集成驅動器和保護功能,針對開關模式電源轉換器,使設計人員能夠將功率密度和效率提升到新的水平。
用戶指南#LMG3100 評估模塊 LMG3100EVM-089介紹
LMG3100 評估模塊 (EVM) 是一款緊湊、易于使用的功率級,帶有外部 PWM 信號。該板可配置為降壓轉換器、升壓轉換器或其他使用半橋的轉換器拓撲...
應用筆記:LMG3100R044 100V 4.4mΩ GaN FET,帶集成驅動器
LMG3100 器件是一款具有集成驅動器的 100V 連續 120V 脈沖氮化鎵 (GaN) FET。該器件提供兩種 Rds(on) 和最大電流版本,L...
LMG3614 具有集成驅動器和保護功能的 650V 170mΩ GaN FET概述
LMG3614 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET,適用于開關模式電源應用。該LMG3614通過將 GaN FET 和柵極驅動器集成到 ...
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