LMG352xR030 GaN FET 具有集成驅(qū)動器和保護功能,針對開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器,使設(shè)計人員能夠?qū)⒐β拭芏群托侍嵘叫碌乃健?/p>
LMG352xR030 集成了一個硅驅(qū)動器,可實現(xiàn)高達 150V/ns 的開關(guān)速度。與分立硅柵極驅(qū)動器相比,TI 的集成精密柵極偏置可實現(xiàn)更高的開關(guān) SOA。這種集成與 TI 的低電感封裝相結(jié)合,可在硬開關(guān)電源拓撲中提供干凈的開關(guān)和最小的振鈴。可調(diào)節(jié)的柵極驅(qū)動強度允許控制 20V/ns 至 150V/ns 的轉(zhuǎn)換速率,可用于主動控制 EMI 并優(yōu)化開關(guān)性能。LMG3526R030包括零電壓檢測 (ZVD) 功能,當實現(xiàn)零電壓切換時,該功能可從 ZVD 引腳提供脈沖輸出。LMG3527R030 包括零電流檢測 (ZCD) 功能,當檢測到正漏源電流時,該功能可從 ZCD 引腳提供脈沖輸出。
*附件:LMG352xR030 具有集成驅(qū)動器、保護和溫度報告功能的 650 V 30 mΩ GaN FET 數(shù)據(jù)表.pdf
高級電源管理功能包括數(shù)字溫度報告和故障檢測。GaN FET 的溫度通過可變占空比 PWM 輸出報告,從而簡化了器件負載管理。報告的故障包括過流、短路、過熱、VDD UVLO 和高阻抗 RDRV 引腳。
特性
- 650V 硅基氮化鎵 FET,帶集成柵極驅(qū)動器
- 集成高精度柵極偏置電壓
- 200V/ns FET 抑制
- 2MHz 開關(guān)頻率
- 20V/ns 至 150V/ns 轉(zhuǎn)換速率,用于優(yōu)化開關(guān)性能和 EMI 抑制
- 采用 7.5V 至 18V 電源供電
- 強大的保護
- 逐周期過流和鎖存短路保護,具有 < 100ns 響應(yīng)
- 在硬開關(guān)時可承受 720V 浪涌
- 針對內(nèi)部過熱和 UVLO 監(jiān)控進行自我保護
- 高級電源管理
- 數(shù)字溫度 PWM 輸出
- LMG3526R030 包括零電壓檢測 (ZVD) 功能,便于軟開關(guān)轉(zhuǎn)換器
- LMG3527R030 包括零電流檢測 (ZCD) 功能,便于軟開關(guān)轉(zhuǎn)換器
- 頂部冷卻的 12mm × 12mm VQFN 封裝將電氣和熱路徑分開,以實現(xiàn)最低功率環(huán)路電感
參數(shù)
方框圖
應(yīng)用
?開關(guān)模式功率轉(zhuǎn)換器
?商戶網(wǎng)絡(luò)和服務(wù)器PSU
?商業(yè)電信整流器
?太陽能逆變器和工業(yè)電機驅(qū)動器
?不間斷電源
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