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LMG341xR070 GaN 功率級具有集成驅動器和保護功能，使設計人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比，LMG341x 的固有優(yōu)勢包括：超低輸入和輸出電容、零反向恢復（可將開關損耗降低多達 80%），以及低開關節(jié)點振鈴（可降低 EMI）。這些優(yōu)勢實現(xiàn)了像圖騰柱 PFC 這樣的密集和高效的拓撲結構。

*附件：具有集成驅動器和保護功能的 LMG341xR070 600V 70mΩ GaN 數(shù)據(jù)表 .pdf

LMG341xR070 通過集成一組獨特的功能來簡化設計、最大限度地提高可靠性并優(yōu)化任何電源的性能，從而為傳統(tǒng)的共源共柵 GaN 和獨立 GaN FET 提供智能替代方案。集成柵極驅動可實現(xiàn) 100V/ns 開關，Vds 振鈴接近于零，<100 ns 電流限制可防止意外擊穿事件，過熱關斷可防止熱失控，系統(tǒng)接口信號提供自我監(jiān)控功能。

特性

TI GaN 工藝通過加速可靠性應用內硬開關任務配置文件認證
支持高密度電源轉換設計
- 優(yōu)于共源共柵或獨立 GaN FET 的系統(tǒng)性能
- 低電感 8mm x 8mm QFN 封裝，易于設計和布局
- 可調節(jié)驅動強度，以實現(xiàn)開關性能和 EMI 控制
- 數(shù)字故障狀態(tài)輸出信號
- 僅需 +12 V 非穩(wěn)壓電源
集成柵極驅動器
- 零共源電感
- 20 ns 傳播延遲（MHz 工作）
- 工藝調諧的柵極偏置電壓，確保可靠性
- 25 至 100V/ns 用戶可調轉換速率
強大的保護
- 無需外部保護元件
- 具有 <100ns 響應的過流保護
- 150V/ns 轉換速率抗擾度
- 瞬態(tài)過壓抗擾度
- 過熱保護
- 所有電源軌上的 UVLO 保護
設備選項：
- LMG3410R070 ：鎖存過流保護
- LMG3411R070 ：逐周期過流保護

參數(shù)

方框圖

1. 產品概述

?產品名稱?：LMG341xR070（包括LMG3410R070和LMG3411R070）
?類型?：600V GaN功率晶體管，集成驅動器和保護功能
?封裝?：QFN 32引腳，8mm x 8mm
?應用?：適用于高密度工業(yè)和消費者電源供應、多級轉換器、太陽能逆變器、工業(yè)電機驅動、不間斷電源、高壓電池充電器等。

2. 主要特性

?高性能GaN技術?：提供超低輸入和輸出電容，零反向恢復，減少開關損耗和EMI。
?集成驅動器?：
- 零公共源電感
- 20ns傳播延遲，適用于MHz操作
- 可調斜率控制（25V/ns至100V/ns）
?保護功能?：
- 過流保護（OCP），響應時間<100ns
- 過溫保護（OTP）
- 瞬態(tài)過壓免疫
- 欠壓鎖定（UVLO）保護所有電源軌
?設備選項?：
- LMG3410R070：鎖存過流保護
- LMG3411R070：逐周期過流保護

3. 電氣特性

? 最大漏源電壓（VDS） ?：600V（瞬態(tài)最高可達800V）
? 最大連續(xù)漏源電流（IDS） ?：
- Tj = 25°C時：40A
- Tj = 100°C時：30A
? 導通電阻（RDS,ON） ?：
- Tj = 25°C時：70mΩ
- Tj = 125°C時：110mΩ
?LDO輸出電壓?：4.7V至5.3V
?UVLO閾值?：
- 開啟閾值（VDD,(ON)）：9.1V
- 關閉閾值（VDD,(OFF)）：8.5V
- 遲滯電壓（ΔVDD,UVLO）：550mV

4. 功能描述

?直接驅動GaN架構?：利用集成驅動器直接控制GaN FET，提高開關性能。
?內部降壓-升壓轉換器?：生成負電壓用于GaN FET的可靠關斷。
?內部輔助LDO?：為外部數(shù)字隔離器提供5V電源。
?故障檢測?：
- OCP：監(jiān)測漏極電流，超過限值時觸發(fā)保護。
- OTP和UVLO：監(jiān)測驅動器溫度和電源電壓，防止過熱和欠壓操作。