LMG341xR150 GaN FET 具有集成驅動器和保護功能，使設計人員能夠在電力電子系統中實現更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比，該器件的固有優勢包括超低輸入和輸出電容、零反向恢復（可將開關損耗降低多達 80%）以及低開關節點振鈴（可降低 EMI）。這些優勢實現了像圖騰柱 PFC 這樣的密集和高效的拓撲結構。
*附件：具有集成驅動器和保護功能的 LMG341xR150 600V、150mΩ、GaN FET 數據表.pdf

LMG341xR150 通過集成一組獨特的功能來簡化設計、最大限度地提高可靠性并優化任何電源的性能，從而為傳統的共源共柵 GaN 和獨立 GaN FET 提供智能替代方案。集成柵極驅動可在接近零的 V 電壓下實現 100 V/ns 的開關DS 系列振鈴、小于 100ns 的電流限制響應可針對意外的擊穿事件進行自我保護，過熱關斷可防止熱失控，系統接口信號提供自我監控功能。

特性

• TI GaN 工藝通過加速可靠性應用內硬開關配置文件認證
• 支持高密度電源轉換設計
  • 優于共源共柵或獨立 GaN FET 的系統性能
  • 低電感 8 mm × 8 mm QFN 封裝，易于設計和布局
  • 可調節的驅動強度，用于開關性能和 EMI 控制
  • 數字故障狀態輸出信號
  • 只需要 +12 V 的非穩壓電源
• 集成柵極驅動器
  • 零共源電感
  • 高頻設計的傳播延遲為 20ns
  • 用于補償閾值變化的微調柵極偏置電壓可確保可靠的開關
  • 25V/ns 至 100V/ns 可調轉換速率
• 強大的保護
  • 無需外部保護元件
  • 具有 <100 ns 響應的過流保護
  • 大于 150V/ns 的轉換速率抗擾度
  • 瞬態過壓抗擾度
  • 過熱保護
  • 所有電源軌上的欠壓鎖定 （UVLO） 保護
• 設備選項：
  • LMG3410R150 ：鎖存過流保護
  • LMG3411R150 ：逐周期過流保護

參數

方框圖

1. 基本信息

• ?型號?：LMG341xR150
• ?電壓等級?：600V
• ?導通電阻?：150mΩ
• ?功能?：集成驅動器、保護功能
• ?制造商?：Texas Instruments

2. 關鍵特性

• ?集成驅動器?：內置低電感驅動器，支持高達100V/ns的開關速度，減少開關損耗和EMI。
• ?保護功能?：
  • 過流保護（OCP）：快速響應（<100ns），可選循環周期過流保護（LMG3411R150）或鎖定過流保護（LMG3410R150）。
  • 過溫保護（OTP）：防止熱失控，具有UVLO（欠壓鎖定）保護功能。
  • 瞬態過電壓免疫：增強系統可靠性。
• ?高效率?：零反向恢復電荷，降低開關損耗。
• ?封裝?：8mm × 8mm QFN封裝，便于設計和布局。

3. 電氣規格

• ?最大漏源電壓?：600V
• ?最大連續漏極電流?：
  • @ Tj = 25°C：17A
  • @ Tj = 100°C：13.5A
• ?最大脈沖漏源電流?：43A
• ?柵極驅動電壓?：+12V未調節電源
• ?內部LDO輸出?：5V，用于外部數字隔離器
• ?熱阻?：
  • θ JA ：28.6°C/W
  • θ JC(top) ：9.9°C/W
  • θ JC(bot) ：1.4°C/W

4. 開關性能

• ?最大開關頻率?：支持高頻設計
• ?可調驅動強度?：通過RDRV引腳調整，控制開關性能和EMI。
• ?快速傳播延遲?：20ns，適用于高頻應用。

5. 應用領域

• 工業AC-DC轉換器
• 筆記本電腦電源適配器
• LED顯示屏
• 伺服驅動器電源級

6. 設計指南

• ?布局建議?：使用四層或更多層PCB，最小化電源環路電感。
• ?旁路電容?：推薦在關鍵位置使用小尺寸、表面貼裝電容。
• ?信號隔離?：在高側和低側電路之間使用高速數字隔離器，確保信號完整性。

7. 電源推薦

• ?高側供電?：推薦使用隔離電源或自舉二極管供電。
• ?隔離電源設計?：注意最小化互繞電容，減少開關損耗。
• ?自舉二極管選擇?：選擇低反向恢復電荷和高頻性能的二極管。